光刻技術(shù)及發(fā)展前景講解-資料下載頁
2025-05-11 01:35本頁面
【正文】 面臨的困難與挑戰(zhàn) ≥32納米 內(nèi)容概要 光學(xué)掩膜版圖形分辨率加強(qiáng)技術(shù)的研發(fā)和后光學(xué)成像技術(shù)掩膜版的制造 控制圖形的對(duì)準(zhǔn)，線寬和缺陷，使用亞分辨率輔助圖形技術(shù)；掌握曝光過程中缺陷的產(chǎn)生；制訂 193nm工藝平臺(tái)上實(shí)現(xiàn)小于 45納米半間距線寬工藝圖形所需掩膜版的放大倍率，并研發(fā)基于小像場(chǎng)使用的補(bǔ)償模式；制造用于后光學(xué)成像技術(shù)的 1倍五缺陷膜版 成本控制和投資回報(bào) 控制設(shè)備、工藝的投入產(chǎn)出比，制造成本可接受且適用的光學(xué)掩膜版和用于后光學(xué)成像技術(shù)的掩膜版；合理調(diào)配資源，杜絕浪費(fèi)，研發(fā) 450mm硅片生產(chǎn)設(shè)備 工藝控制 控制柵電極的線寬變化＜ 4nm，研發(fā)新的圖形對(duì)準(zhǔn)技術(shù)＜ 11nm；控制線寬邊緣粗糙度表現(xiàn)；控制測(cè)量引入線寬變化和缺陷＜ 50nm；采用更精確的光刻膠模型，采用更精確的 OPC模型，并基于光學(xué)極化效應(yīng)確認(rèn)其表現(xiàn)；控制并校正光刻設(shè)備的光散射，尤其針對(duì)極紫外線光刻設(shè)備；采用利于光刻工藝的設(shè)計(jì)和成產(chǎn)要求優(yōu)化的設(shè)計(jì)方案 沉浸式光刻技術(shù) 控制沉浸式光刻技術(shù)生產(chǎn)中產(chǎn)生的缺陷、研發(fā)、優(yōu)化光刻膠的組成，使之具備和液體以及頂部疏水層良好的兼容性，研發(fā)折射率＞ ；折射率＞ 以及折射率＞ 極紫外線光刻技術(shù) 制造低缺陷密度的掩膜基板；研發(fā)功率＞ 115瓦的光源系統(tǒng)以及長(zhǎng)壽命低損耗的光學(xué)部件；研發(fā)線寬邊緣粗糙度＜ 3nm，感光靈敏度＜ 10ml/cm2 ；分辨率＜ 40納米半間距線寬工藝圖形的光刻膠；制造＜ 10%本征光散射的光學(xué)部件；控制光學(xué)部件的污染，研究不使用有機(jī)保護(hù)薄膜的掩膜版保護(hù)；研究與光學(xué)成像工藝生產(chǎn)設(shè)備的兼容性 但一切還遠(yuǎn)沒有結(jié)束 ! 據(jù) Intel表示， 11nm制程節(jié)點(diǎn)上該公司的光刻技術(shù)將采用多種光刻工藝互補(bǔ)混搭的策略，將 193nm沉浸式光刻技術(shù) 與 EUV,無掩模光刻（ maskless）等技術(shù)混合在一起來滿足 11nm制程的需求。 從 Intel的計(jì)劃路線圖，我們可以看出，未來的 11nm工藝可能會(huì)是多種工藝技術(shù)的混合應(yīng)用，以便達(dá)到更加卓越的效果！
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