液體、固體電介質特性二-資料下載頁
2025-05-10 09:25本頁面
【正文】 質 區(qū)域B區(qū)域A區(qū)域Cμ ss min278hΦ 50Φ 100101 1 101 102 103 104 105 106 107 108 109 1010 1011 1012時間（ μ s ）500450400350300250200150100500擊穿電壓為一分鐘耐壓的百分比數(shù)（％）電工紙板的擊穿電壓 與電壓作用時間的關系 39 1. 固體電介質擊穿特性的劃分 區(qū)域 C： 擊穿電壓隨擊穿前時間的增加而明顯下降 ， 具有熱擊穿的特點 區(qū)域 D ： C區(qū)以外 區(qū)域B區(qū)域A區(qū)域Cμ ss min278hΦ 50Φ 100101 1 101 102 103 104 105 106 107 108 109 1010 1011 1012時間（ μ s ）500450400350300250200150100500擊穿電壓為一分鐘耐壓的百分比數(shù)（％）電工紙板的擊穿電壓 與電壓作用時間的關系 A、 B 區(qū)： 屬于電擊穿 C 區(qū)： 屬于熱擊穿 D 區(qū)： 為電化學擊穿 、 電老 化 ， 擊穿時間在幾十 個小時以上 ， 甚至幾年 40 ? 電擊穿理論建立在固體電介質中發(fā)生碰撞電離基礎上 ， 固體電介質中存在少量傳導電子 ， 在電場加速下與晶格結點上的原子碰撞 ， 從而導致?lián)舸? ? 電擊穿的特點：電壓作用時間短，擊穿電壓高，擊穿電壓與環(huán)境溫度無關，與電場均勻程度有密切關系，與電壓作用時間關系很小。 ? 當固體電介質的介質損耗很小、有良好的散熱條件，且內部不存在局部放電，這種情況下發(fā)生的擊穿通常是電擊穿。其擊穿場強一般可達 105～106kV／ m 。 二、 擊穿理論 —— （ 1）電擊穿理論 41 碰撞電離引起擊穿的解釋 ? 固有擊穿理論 —— 單位時間內傳導電子從電場獲得的能量與因碰撞而失去的能量不平衡而引起擊穿 ? 電子崩擊穿理論 —— 傳導電子由電場得到了可使晶格原子電離的能量，產生了電子崩，當電子崩發(fā)展到足夠強時（ ?d足夠大），引起固體介質擊穿 42 擊穿理論 —— （ 2）熱擊穿理論 ? 介質內部的熱不平衡過程所造成的。電導電流和介質極化引起介質損耗，使介質發(fā)熱，介質溫度升高，而介質的電導率隨溫度的升高而急劇增大，所以電流進一步增大，損耗、發(fā)熱也隨之增加。發(fā)熱和散熱的不平衡導致。 ? 熱擊穿的特點：擊穿電壓隨環(huán)境溫度的升高按指數(shù)規(guī)律降低；擊穿電壓與散熱條件有關，如介質厚度大，則散熱困難，因此擊穿電壓并不隨介質厚度成正比增加；當電壓頻率增大時，擊穿電壓將下降；擊穿電壓與電壓作用時間有關。 43 ? 介質劣化的結果。 ? 介質的局部區(qū)域發(fā)生局部放電，這種放電并不立即形成貫穿性通道，而是非完全擊穿，它使介質引起化學離解，形成樹枝狀通道，這些樹枝狀通道，隨時間推移不斷伸長，使絕緣進一步劣化，最終發(fā)展到整個電介質擊穿。 ? 電化學擊穿的特點：由于它是絕緣性能下降之后發(fā)生的擊穿，因此擊穿電壓比電擊穿和熱擊穿低。電化學擊穿不發(fā)生在很高電壓下，而是在較低電壓下甚至是工作電壓下發(fā)生。 擊穿理論 —— （ 3）電化學擊穿理論
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