20xx年醫(yī)學(xué)專(zhuān)題—脈沖波形詳解(編輯修改稿)
2024-11-17 00:10 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 8.2.1 用門(mén)電路組成(zǔ ch233。nɡ)的施密特觸發(fā)器,第十七頁(yè)，共五十一頁(yè)。,vI1,0,0,1,(1) ?I上升(sh224。ngshēng),正向閾值電壓 (VT+): ?I 值在增加過(guò)程中，使輸出電壓(di224。nyā)產(chǎn)生跳變時(shí)所對(duì)應(yīng)?I 的值。,第十八頁(yè)，共五十一頁(yè)。,,vI1,,第十九頁(yè)，共五十一頁(yè)。,vI1,第二十頁(yè)，共五十一頁(yè)。,8.2.2 集成(j237。 ch233。nɡ)施密特觸發(fā)器,第二十一頁(yè)，共五十一頁(yè)。,施密特觸發(fā)器的應(yīng)用(y236。ngy242。ng),1. 波形(bō x237。nɡ)變換,第二十二頁(yè)，共五十一頁(yè)。,2. 波形(bō x237。nɡ)的整形與抗干擾,第二十三頁(yè)，共五十一頁(yè)。,合理選擇回差電壓(di224。nyā)，可消除干擾信號(hào)。,3.消除(xiāoch)干擾信號(hào),第二十四頁(yè)，共五十一頁(yè)。,?o,υI,4. 幅度(fd249。)鑒別,第二十五頁(yè)，共五十一頁(yè)。,8.3 多諧振蕩器,8.3.1 由門(mén)電路組成(zǔ ch233。nɡ)的多諧振蕩器,8.3.3 石英(sh237。yīng)晶體振蕩器,8.3.2 用施密特觸發(fā)器構(gòu)成波形產(chǎn)生(chǎnshēng)電路,第二十六頁(yè)，共五十一頁(yè)。,多諧振蕩器的基本組成：開(kāi)關(guān)器件+反饋延遲(y225。nch237。)環(huán)節(jié),開(kāi)關(guān)器件(q236。ji224。n)：產(chǎn)生高、低電平,反饋延遲(y225。nch237。)環(huán)節(jié)（ RC電路）：利用RC電路的充放電特性實(shí)現(xiàn)延時(shí)，輸出電壓經(jīng)延時(shí)后，反饋到開(kāi)關(guān)器件輸入端，改變電路的輸出狀態(tài)，以獲得所脈沖波形輸出。,8.3 多諧振蕩器,第二十七頁(yè)，共五十一頁(yè)。,8.3.1 由CMOS門(mén)電路(di224。nl249。)組成的多諧振蕩器,1. 電路(di224。nl249。)組成,υo1與υo反相，電容(di224。nr243。ng)接在υo與υI之間:,第二十八頁(yè)，共五十一頁(yè)。,8.3.1 由CMOS門(mén)電路(di224。nl249。)組成的多諧振蕩器,第二十九頁(yè)，共五十一頁(yè)。,2. 工作(gōngzu242。)原理,第三十頁(yè)，共五十一頁(yè)。,2. 工作(gōngzu242。)原理,第三十一頁(yè)，共五十一頁(yè)。,,第三十二頁(yè)，共五十一頁(yè)。,（2）第二暫穩(wěn)態(tài)電容放
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