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正文內(nèi)容

基于at89c51單片機的電子時鐘的設計與實現(xiàn)(編輯修改稿)

2025-01-11 02:30 本頁面
 

【文章內(nèi)容簡介】 程序時,接 +5V 電源。 Pin19:時鐘 XTAL1 腳,片內(nèi)振蕩電路的輸入端。 Pin18:時鐘 XTAL2 腳,片內(nèi)振蕩電路的輸出端。 8051 的時鐘有兩種方式,一種是片內(nèi)時鐘振蕩方式,但需在 18 和 19 腳外接 石英晶體(212MHz)和振蕩電容,振蕩電容的值一般取 10p30p。另外一種是外部時鐘方式,即將XTAL1 接地,外部時鐘信號從 XTAL2 腳輸入。 輸入輸出 (I/O)引腳: Pin39Pin32 為 輸入輸出腳, Pin1Pin1 為 輸入輸出腳, Pin21Pin28為 輸入輸出腳, Pin10Pin17 為 輸入輸出腳,這些輸入輸出腳的功能說明將在以下內(nèi)容闡述。 重慶信息技術職業(yè)學院畢業(yè)設計 第 6 頁 Pin9:RESET/Vpd 復位信號復用腳,當 8051 通電,時鐘電路開始工 作,在 RESET 引腳上出現(xiàn) 24 個時鐘周期以上的高電平,系統(tǒng)即初始復位。初始化后,程序計數(shù)器 PC 指向0000H, P0P3 輸出口全部為高電平,堆棧指鐘寫入 07H,其它專用寄存器被清 “0”。 RESET由高電平下降為低電平后,系統(tǒng)即從 0000H 地址開始執(zhí)行程序。然而,初始復位不改變 RAM(包括工作寄存器 R0R7)的狀態(tài), 8051 的初始態(tài)如下表 所示: 表 8051的初始狀態(tài) 特殊功能寄存器 初始態(tài) 特殊功能寄存器 初始態(tài) ACC 00H B 00H PSW 00H SP 07H DPH 00H TH0 00H DPL 00H TL0 00H IP xxx00000B TH1 00H IE 0xx00000B TL1 00H TMOD 00H TCON 00H SCON xxxxxxxxB SBUF 00H P0P3 1111111B PCON 0xxxxxxxB 8051 的復位方式可以是自動復位,也可以是手動復位,見下圖。此外, RESET/Vpd 還是 一復 用腳, Vcc 掉電期間,此腳可接上備用電源,以保證單片機內(nèi)部 RAM 的數(shù)據(jù)不丟失。 Pin30:ALE 當訪問外部程序器時, ALE(地址鎖存 )的輸出用于鎖存地址的低位字節(jié)。而訪問內(nèi)部程序存儲器時, ALE 端將有一個 1/6 時鐘頻率的正脈沖信號,這個信號可以用于識別單片機是 否工作,也可以當作一個時鐘向外輸出。更有一個特點,當訪問 外部 存儲器,ALE 會跳過一個脈沖。如果單片機是 EPROM,在編程其間, 將用于輸入編程脈沖。 Pin29: 當訪問外部程序存儲器時, 此腳輸出 負脈沖選通信號, PC 的 16 位地址數(shù)據(jù)將出現(xiàn)在 P0 和 P2 口上,外部程序存儲器則把指令數(shù)據(jù)放到 P0 口上,由 CPU 讀入并執(zhí)行。 Pin31:EA/Vpp 程序存儲器的內(nèi)外部選通線, 8051 和 8751 單片機,內(nèi)置有 4kB 的程序存儲器,當 EA 為高電平并且程序地址小于 4kB 時,讀取內(nèi)部程序存儲器指令數(shù)據(jù),重慶信息技術職業(yè)學院畢業(yè)設計 第 7 頁 而超過 4kB 地址則讀取外部指令數(shù)據(jù)。如 EA 為 低電平,則不管地址大小,一律讀取外部程序存儲器指令。顯然,對內(nèi)部無程序存儲器的 8031,EA 端必須接地。 在編程時, EA/Vpp 腳還需加上 21V 的編程電壓。 8051 的復位方式可以是自動復位,也可以是手動復位,見下圖 和 所示 。此外, RESET/Vpd 還是一復用腳, Vcc 掉電其間,此腳可接上備用電源,以保證單片機內(nèi)部 RAM 的數(shù)據(jù)不丟失。 圖 上電自動和手動復位電路圖 圖 內(nèi)部和外部時鐘方式圖 Pin30:ALE/ 當訪問外部程序器時, ALE(地址鎖存 )的輸出用于鎖存地址的低位字節(jié)。而訪問內(nèi)部程序存儲器時, ALE 端將有一個 1/6 時鐘頻率的正脈沖信號,這個信號可以用于識別單片機是否工作,也可以當作一個時鐘向外輸出。更有一個特點,當訪問外部程序存儲器, ALE 會跳過一個脈沖。 重慶信息技術職業(yè)學院畢業(yè)設計 第 8 頁 如果單片機是 EPROM,在編程其間, 將用于輸入編程脈沖。 Pin29: 當訪問外部程序存儲器時,此腳輸出負脈沖選通信號, PC 的 16 位地址數(shù)據(jù)將出現(xiàn)在 P0 和 P2 口上,外部程序存儲器則把指令數(shù)據(jù)放到 P0 口上,由 CPU 讀入并執(zhí)行。 Pin31:EA/Vpp 程序存儲器的內(nèi)外部選通線, 8051 和 8751 單片機,內(nèi)置有 4kB 的程序存儲器,當 EA 為高電平并且程序地址小于 4kB 時,讀取內(nèi)部程序存儲器指令數(shù)據(jù),而超過 4kB 地址則讀取外部指令數(shù) 據(jù)。如 EA 為低電平,則不管地址大小,一律讀取外部程序存儲器指令。顯然,對內(nèi)部無程序存儲器的 8031,EA 端必須接地。重慶信息技術職業(yè)學院畢業(yè)設計 第 9 頁 第 3 章 數(shù)字鐘的硬件設計 最小系統(tǒng)設計 圖 單片機最小系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)圖 單片機的最小系統(tǒng)是由電源、復位、晶振、 /EA=1 組成,下面介紹一下每一個組成部分。 ( 1) 電源引腳 Vcc40, 電源端 GND20, 接地端 工作電壓為 5V,另有 AT89LV51工作電壓則是 , 引腳功能一樣 。 重慶信息技術職業(yè)學院畢業(yè)設計 第 10 頁 ( 2) 外接晶體引腳 如圖 所示: 圖 晶振連接的內(nèi)部、 外部方式圖 XTAL1 是片內(nèi)振蕩器的反相放大器輸入端, XTAL2 則是輸出端,使用外部振蕩器時,外部振蕩信號應直接加到 XTAL1,而 XTAL2 懸空。內(nèi)部方式時,時鐘發(fā)生器對振蕩脈沖二分頻,如晶振為 12MHz,時鐘頻率就為 6MHz。晶振的頻率可以在 1MHz24MHz 內(nèi)選擇。電容取 30PF 左右。系統(tǒng)的時鐘電路設計是采用的內(nèi)部方式,即利用芯片內(nèi)部的振蕩電路。AT89 單片機內(nèi)部有一個用于構(gòu)成振蕩器的高增益反相放大器。引腳 XTAL1 和 XTAL2 分別是此放大器的輸入端和輸出端。這個放大器與作為反饋元件的片外晶體諧振器一 起構(gòu)成一個自激振蕩器。外接晶體諧振器以及電容 C1 和 C2 構(gòu)成并聯(lián)諧振電路,接在放大器的反饋回路中。對外接電容的值雖然沒有嚴格的要求,但電容的大小會影響震蕩器頻率的高低、震蕩器的穩(wěn)定性、起振的快速性和溫度的穩(wěn)定性。因此,此系統(tǒng)電路的晶體振蕩器的值為12MHz,電容應盡可能的選擇陶瓷電容,電容值約為 22μF。在焊接刷電路板時,晶體振蕩器和電容應盡可能安裝得與單片機芯片靠近,以減少寄生電容,更好地保證震蕩器穩(wěn)定和可靠地工作。 ( 3) 復位 RST 在振蕩器運行時,有兩個機器周期( 24 個振蕩周期)以上的高電平出現(xiàn)在此引腿時 ,將使單片機復位,只要這個腳保持高電平, 51 芯片便循環(huán)復位。復位后 P0- P3 口均置 1 引腳表現(xiàn)為高電平,程序計數(shù)器和特殊功能寄存器 SFR 全部清零。當復位腳由高電平變?yōu)榈碗娖綍r,芯片為 ROM 的 00H 處開始運行程序。復位是由外部的復位電路來實現(xiàn)的。片內(nèi)復位電路是復位引腳 RST 通過一個斯密特觸發(fā)器與復位電路相連,斯密特觸發(fā)器用來抑制噪聲,它的輸出在每個機器周期的 S5P2,由復位電路采樣一次。 重慶信息技術職業(yè)學院畢業(yè)設計 第 11 頁 復位電路通常采用上電自動復位和按鈕復位兩種方式,此電路系統(tǒng)采用的是上電與按鈕復位電路。當時鐘頻率選用 6MHz 時, C 取 22μF, Rs 約為 200Ω, Rk 約為 1K。復位操作不會對內(nèi)部 RAM 有所影響。常用的復位電路如 圖 所示 : 圖 復位電路 ( 4) 輸入輸出引腳 ① P0 端口 [] P0 是一個 8 位漏極開路型雙向 I/O 端口,端口置 1(對端口寫 1)時作高阻抗輸入端。作為輸出口時能驅(qū)動 8 個 TTL。對內(nèi)部 Flash 程序存儲器編程時,接收指令字節(jié) 。校驗程序時輸出指令字節(jié),要求外接上拉電阻。在訪問外部程序和外部數(shù)據(jù)存儲器時, P0 口是分時轉(zhuǎn)換的地址 (低 8 位 )/數(shù)據(jù)總線,訪問期間內(nèi)部的上拉電阻起作用。 ② P1 端口 [- ] P1 是一個帶有內(nèi)部上拉電阻的 8 位雙向 I/0 端口。輸出時可驅(qū)動 4 個 TTL。端口置 1 時,內(nèi)部上拉電阻將端口拉到高電平,作輸入用。內(nèi)部 Flash 程序存儲器編程時,接收低 8 位地址信息。 ③ P2 端口 [- ] P2 是一個帶有內(nèi)部上拉電阻的 8 位雙向 I/0 端口。輸出 時可驅(qū)動 4 個 TTL。端口置 1 時,內(nèi)部上拉電阻將端口拉到高電平,作輸入用。對內(nèi)部 Flash 程序存儲器編程時,接收高 8 位地址和控制信息。在訪問外部程序和 16 位外部數(shù)據(jù)存儲器時,P2 口送出高 8 位地址。而在訪問 8 位地址的外部數(shù)據(jù)存儲器時其引腳上的內(nèi)容在此期間不會改變。 ④ P3 端口 [- ] P2 是一個帶有內(nèi)部上拉電阻的 8 位雙向 I
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