本科畢業(yè)設(shè)計(jì)論文開(kāi)題報(bào)告(編輯修改稿)
2025-10-25 11:06 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 鏡設(shè)計(jì)中一般要求至少兩個(gè)LTPSTFT的物理特性是一致的（閾值電壓、遷移率等相同），對(duì)于目前的多晶硅工藝這是很難實(shí)現(xiàn)的。電壓編程模式是在數(shù)據(jù)線上使用電壓信號(hào)控制流經(jīng)OLED的電流而決定像素的明暗程度。電壓編程模式結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，開(kāi)口率高，像素充電迅速，功耗小，控制方便，外圍驅(qū)動(dòng)芯片設(shè)計(jì)容易、成本低。通過(guò)像素驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)可補(bǔ)償LTPSTFT閾值電壓的差異及OLED導(dǎo)通電壓隨時(shí)間退化，還可以補(bǔ)償大面積顯示中電源線寄生電阻引起的電壓降，但無(wú)法補(bǔ)償TFT中載流子遷移率的差異。盡管如此，可以通過(guò)優(yōu)化LTPSTFT制備工藝提高遷移率的均勻性。最簡(jiǎn)單的AMOLED像素驅(qū)動(dòng)電路如右圖所示，包含兩個(gè)薄膜晶體管(TFT)和一個(gè)存儲(chǔ)電容（簡(jiǎn)稱2T1C電路），其中一個(gè)開(kāi)關(guān)(switching)TFT，一個(gè)驅(qū)動(dòng)（driving）TFT。當(dāng)掃描線(scanline)開(kāi)啟時(shí)，外部電路送入電壓數(shù)據(jù)信號(hào)經(jīng)由開(kāi)關(guān)TFT存儲(chǔ)在存儲(chǔ)電容(Cs)中，此電壓信號(hào)控制驅(qū)動(dòng)TFT導(dǎo)通電流大小，也就決定了OLED的灰階；當(dāng)掃描線關(guān)閉時(shí)，存儲(chǔ)于Cs中的電壓仍能保持驅(qū)動(dòng)TFT在導(dǎo)通狀態(tài)，故能在一個(gè)畫(huà)面時(shí)間內(nèi)維持OLED的固定電流。與TFTLCD利用穩(wěn)定的電壓控制亮度不同，OLED器件屬于電流驅(qū)動(dòng)，需要穩(wěn)定的電流來(lái)控制發(fā)光。由于制程和器件老化等原因，各個(gè)像素點(diǎn)驅(qū)動(dòng)管TFT的閾值電壓存在不均勻性，這樣導(dǎo)致流過(guò)各個(gè)像素點(diǎn)OLED的電流會(huì)發(fā)生變化，影響圖像顯示的均勻性。因此有必要對(duì)像素電路提出補(bǔ)償，使流過(guò)各個(gè)像素點(diǎn)的電流非均勻些控制在一定的范圍之內(nèi)。很多文獻(xiàn)在仿真的過(guò)程中，將OLED器件作為一個(gè)二極管和電容的并聯(lián)，本項(xiàng)目中采用的OLED模型也是將一個(gè)二極管和電容并聯(lián)。本項(xiàng)目采用EDA仿真軟件Hspice，對(duì)設(shè)計(jì)的AMOLED像素
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