【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 C100的內(nèi)存有相當(dāng)一部分可以超頻到133，但不是全部；而PC133的內(nèi)存卻可以保證100%穩(wěn)定工作在PC133外頻下（CL=2）。（4）Geil(金邦、原樵風(fēng)金條)金邦金條分為“金、紅、綠、銀、藍(lán)”五種內(nèi)存條，各種金邦金條的SPD均是確定的，對(duì)應(yīng)不同的主板。其中紅色金條是PC133內(nèi)存；金色金條P針對(duì)PC133服務(wù)器系統(tǒng)，適合雙處理器主板；綠色金條是PC100內(nèi)存；藍(lán)A色金條針對(duì)AMD750/760 K7系主板，面向超頻玩家；藍(lán)V色金條針對(duì)KX133主板；藍(lán)T色金條針對(duì)KT133主板；銀色金條是面向筆記本電腦的PC133內(nèi)存。金邦內(nèi)存芯片編號(hào)例如GL2000 GP 6 LC 16M8 4 TG7 AMIR 00 32其中GL2000代表芯片類型（GL2000=千禧條TSOPs即小型薄型封裝，金SDRAM=BLP）；GP代表金邦科技的產(chǎn)品；6代表產(chǎn)品家族（6=SDRAM）；LC代表處理工藝（C=5V Vcc CMOS，LC= Vdd CMOS，V= Vdd CMOS）；16M8是設(shè)備號(hào)碼（深度*寬度，內(nèi)存芯片容量 = 內(nèi)存基粒容量 * 基粒數(shù)目 = 16 * 8 =128Mbit，其中16 = 內(nèi)存基粒容量；8 = 基粒數(shù)目；M = 容量單位，無(wú)字母=Bits，K=KB，M=MB，G=GB）；4表示版本；TG是封裝代碼（DJ=SOJ，DW=寬型SOJ，F(xiàn)=54針4行FBGA，F(xiàn)B=60針8*16 FBGA，F(xiàn)C=60針11*13 FBGA，F(xiàn)P=反轉(zhuǎn)芯片封裝，F(xiàn)Q=反轉(zhuǎn)芯片密封，F(xiàn)1=62針2行FBGA，F(xiàn)2=84針，2行FBGA，LF=90針FBGA，LG=TQFP，R1=62針2行微型FBGA，R2=84針2行微型FBGA，TG=TSOP（第二代），U=μ BGA）；7是存取時(shí)間（7=7ns（143MHz））；AMIR是內(nèi)部標(biāo)識(shí)號(hào)。以上編號(hào)表示金邦千禧條，128MB，TSOP（第二代）封裝， Vdd CMOS制造工藝，7ns、143MHz速度。（5）SEC（Samsung Electronics，三星）三星EDO DRAM內(nèi)存芯片編號(hào)例如KM416C254D表示：KM表示三星內(nèi)存；4代表RAM種類（4=DRAM）；16代表內(nèi)存芯片組成x16（1=x1[以1的倍數(shù)為單位]、4=x8=x16=x16）；C代表電壓（C=5V、V=）；254代表內(nèi)存密度256Kbit（256[254] =256Kx、512(514)= 512Kx、1 = 1Mx、4 = 4Mx、8 = 8Mx、16 =16Mx）；D代表內(nèi)存版本（空白=第1代、A=第2代、B=第3代、C=第4代、D=第5代）即三星256Kbit*16=4Mb內(nèi)存。三星SDRAM內(nèi)存芯片編號(hào)例如KM416S16230AG10表示：KM表示三星內(nèi)存；4代表RAM種類（4=DRAM）；16代表內(nèi)存芯片組成x16（4 = x8 = x16 =x16）；S代表SDRAM；16代表內(nèi)存芯片密度16Mbit（1 = 1M、2 = 2M、4 = 4M、8 =8M、16 = 16M）；2代表刷新（0 = 4K、1 = 2K、2 = 8K）；3表示內(nèi)存排數(shù)（2=2排、3=4排）；0代表內(nèi)存接口（0=LVTTL、1=SSTL）；A代表內(nèi)存版本（空白=第1代、A=第2代、B=第3代）；G代表電源供應(yīng)（G=自動(dòng)刷新、F=低電壓自動(dòng)刷新）；10代表最高頻率（7 =7ns[143MHz]、8 = 8ns[125 MHz]、10 = 10ns[100 MHz]、H = 100MHz @ CAS值為L(zhǎng)=100 MHz @ CAS值為3）。三星的容量需要自己計(jì)算一下，方法是用“S”后的數(shù)字乘S前的數(shù)字，得到的結(jié)果即為容量，即三星16M*16=256Mbit SDRAM內(nèi)存芯片，刷新為8K，內(nèi)存Banks為3，內(nèi)存接口LVTTL，第2代內(nèi)存，自動(dòng)刷新，速度是10ns(100 MHz)。三星PC133標(biāo)準(zhǔn)SDRAM內(nèi)存芯片格式如下：Unbuffered型：KMM3 xx s xxxx BT/BTS/ATSGA Registered型：KMM3 90 s xxxx BTI/ATIGA三星DDR同步DRAM內(nèi)存芯片編號(hào)例如KM416H4030T表示：KM表示三星內(nèi)存；4代表RAM種類（4=DRAM）；16表示內(nèi)存芯片組成x16（4=x8=x16=x132=x32）；H代表內(nèi)存電壓（H=DDR SDRAM[]、L=DDR SDRAM[]）；4代表內(nèi)存密度4Mbit（4=4M、8 = 8M、16 = 16M、32 = 32M、64 = 64M、12 = 128M、25 =256M、51 = 512M、1G = 1G、2G = 2G、4G = 4G）；0代表刷新（0 = 64m/4K []、1 = 32m/2K[]、2 = 128m/8K[]、3 = 64m/8K[]、4 =128m/16K[]）；3表示內(nèi)存排數(shù)（3=4排、4=8排）；0代表接口電壓（0=混合接口LVTTL+SSTL_3()、1=SSTL_2()）；T表示封裝類型（T=66針TSOP II、B=BGA、C=微型BGA(CSP)）；Z代表速度133MHz（5 = 5ns, 200MHz(400Mbps)、6 = 6ns,166MHz(333Mbps)、Y = , 150MHz(300Mbps)、Z = ,133MHz(266Mbps)、8 = 8ns, 125MHz(250Mbps)、0 = 10ns, 100MHz(200Mbps)）。即三星4Mbit*16=64Mbit內(nèi)存芯片， DDR SDRAM，刷新時(shí)間0 = 64m/4K()，內(nèi)存芯片排數(shù)為4排（兩面各兩排），接口電壓LVTTL+SSTL_3()，封裝類型66針TSOP II，速度133MHZ。三星RAMBUS DRAM內(nèi)存芯片編號(hào)例如KM418RD8C表示：KM表示三星內(nèi)存；4代表RAM種類（4=DRAM）；18代表內(nèi)存芯片組成x18（16 = x118 = x18）；RD表示產(chǎn)品類型（RD=Direct RAMBUS DRAM）；8代表內(nèi)存芯片密度8M（4 = 4M、8 =8M、16 = 16M）；C代表封裝類型（C = 微型BGA、D =微型BGA [逆轉(zhuǎn)CSP]、W = WLCSP）；80代表速度（60 = 600Mbps、80 = 800Mbps）。即三星8M*18bit=144M，BGA封裝，速度800Mbps。（6）Micron（美光）Micron公司是世界上知名內(nèi)存生產(chǎn)商之一（如右圖Micron PC143 SDRAM內(nèi)存條），其SDRAM芯片編號(hào)格式為：MT48 ab cdMef Ag TGhi j其中MT代表Micron的產(chǎn)品；48代表產(chǎn)品家族（48=SDRAM、4=DRAM、46=DDR SDRAM、6=Rambus）；ab代表處理工藝（C=5V Vcc CMOS，LC= Vdd CMOS，V= Vdd CMOS）；cdMef設(shè)備號(hào)碼（深度*寬度），無(wú)字母=Bits，K=Kilobits（KB），M=Megabits（MB），G=Gigabits（GB）Mricron的容量=cd*ef；ef表示數(shù)據(jù)位寬(132分別代表4位、8位、16位和32位)；Ag代表Write Recovery〔Twr〕(A2=Twr=2clk)；TG代表封裝（TG=TSOPII封裝，DJ=SOJ，DW=寬型SOJ，F(xiàn)=54針4行FBGA，F(xiàn)B=60針8*16 FBGA，F(xiàn)C=60針11*13 FBGA，F(xiàn)P=反轉(zhuǎn)芯片封裝，F(xiàn)Q=反轉(zhuǎn)芯片密封，F(xiàn)1=62針2行FBGA，F(xiàn)2=84針2行FBGA，LF=90針FBGA，LG=TQFP，R1=62針2行微型FBGA，R2=84針2行微型FBGA，U=μ BGA）；j代表功耗（L=低耗，空白=普通）；hj代表速度，分成以下四類：（A）、DRAM4=40ns，5=50ns，6=60ns，7=70ns SDRAM，x32 DDR SDRAM（時(shí)鐘率 @ CL3）15=66MHz，12=83MHz，10+=100MHz，8x+=125MHz，75+=133MHz，7x+=143MHz，65=150MHz，6=167MHz，55=183MHz，5=200MHzDDR