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正文內(nèi)容

基于單片機(jī)控制的煤氣、天然氣的泄漏報(bào)警器(編輯修改稿)

2025-01-06 23:03 本頁面
 

【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 P0 能夠用于外部程序數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器, 本設(shè)計(jì) 可以被定義為數(shù)據(jù) /地址的第八位。在 FIASH 編程時(shí), P0 口作為原碼輸入口,當(dāng) FIASH 進(jìn)行校驗(yàn)時(shí), P0 輸出原碼,此時(shí) P0外部必須被拉高。 P1 口 : P1 口是一個(gè)內(nèi)部提供上拉電阻的 8 位雙向 I/O 口, P1 口緩沖器能接收輸出 4TTL 門電流。 P1口管腳寫入 1 后,被內(nèi)部上拉為高,可用作輸入, P1口被外部下拉為低電平時(shí),將輸出電流,這是由于內(nèi)部上拉的緣故。在 FLASH 編程和校驗(yàn)時(shí), P1 口作為第八位地址接收。 P2 口 : P2 口為一個(gè)內(nèi)部上拉電阻的 8 位雙向 I/O 口, P2 口緩沖器可接收,輸出 4 個(gè) TTL 門電流,當(dāng) P2口被寫 “1”時(shí),其管腳被內(nèi)部上拉電阻拉高,且作為輸入。并因此作為輸入時(shí), P2 口的管腳被外部拉低,將輸出電流。這是由于內(nèi)部上拉的緣故。 P2 口當(dāng)用于外部程序存儲(chǔ)器或 16 位地址外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器進(jìn)行存取時(shí), P2 口輸出地址的高八位。在給出地址 “1”時(shí), 本設(shè)計(jì) 利用內(nèi)部上拉優(yōu)勢(shì),當(dāng)對(duì)外部八位地址數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器進(jìn)行讀寫時(shí), P2 口輸出其特殊功能寄存器的內(nèi)容。 P2口在 FLASH 編程和校驗(yàn)時(shí)接收高八位地址信號(hào)和控制信號(hào)。 P3 口 : P3 口管腳是 8 個(gè)帶內(nèi)部上拉電阻的雙向 I/O 口,可接收輸出 4 個(gè) TTL 門電流。當(dāng) P3口寫入 “1”后, 本設(shè)計(jì) 們被內(nèi)部上拉為高電平,并用作輸入。作為輸入,由于外部下拉為低電平, P3口將輸出電流( ILL)這是由于上拉的緣故。 RST: 復(fù)位輸入。當(dāng)振蕩器復(fù)位器件時(shí),要保持 RST 腳兩個(gè)機(jī)器周期的高電平 時(shí)間。 ALE/PROG: 當(dāng)訪問外部存儲(chǔ)器時(shí),地址鎖存允許的輸出電平用于鎖存地址的地位字節(jié)。在FLASH 編程期間,此引腳用于輸入編程脈沖。在平時(shí), ALE 端以不變的頻率周期輸出正脈沖信號(hào),此頻率為振蕩器頻率的 1/6。因此 本設(shè)計(jì) 可用作對(duì)外部輸出的脈沖或用于定時(shí)目的。然而要注意的是:每當(dāng)用作外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器時(shí),將跳過一個(gè) ALE 脈沖。如想禁止 ALE 的輸出可在 SFR8EH 地址上置0。此時(shí), ALE 只有在執(zhí)行 MOVX, MOVC 指令是 ALE 才起作用。另外,該引腳被略微拉高。如果微處理器在外部執(zhí)行狀態(tài) ALE 禁止,置位無 效。 /PSEN: 外部程序存儲(chǔ)器的選通信號(hào)。在由外部程序存儲(chǔ)器取指期間,每個(gè)機(jī)器周期兩次 /PSEN有效。但在訪問外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器時(shí),這兩次有效的 /PSEN 信號(hào)將不出現(xiàn)。 /EA/VPP: 當(dāng) /EA 保持低電平時(shí),則在此期間外部程序存儲(chǔ)器( 0000HFFFFH),不管是否有內(nèi)部程序存儲(chǔ)器。注意加密方式 1 時(shí), /EA 將內(nèi)部鎖定為 RESET;當(dāng) /EA 端保持高電平時(shí),此間內(nèi)部程序存儲(chǔ)器。在 FLASH 編程期間,此引腳也用于施加 12V 編程電源( VPP)。 XTAL1: 反向振蕩放大器的輸入及內(nèi)部時(shí)鐘工作電路的 輸入。 XTAL2: 來自反向振蕩器的輸出。 振蕩器特性 : XTAL1 和 XTAL2 分別為反向放大器的輸入和輸出。該反向放大器可以配置為片內(nèi)振蕩器。石晶振蕩和陶瓷振蕩均可采用。如采用外部時(shí)鐘源驅(qū)動(dòng)器件, XTAL2 應(yīng)不接。有余輸入至內(nèi)部時(shí)鐘信號(hào)要通過一個(gè)二分頻觸發(fā)器,因此對(duì)外部時(shí)鐘信號(hào)的脈寬無任何要求,但必須保證脈沖的高低電平要求的寬度。 芯片擦除: 整個(gè) PEROM 陣列和三個(gè)鎖定位的電擦除可通過正確的控制信號(hào)組合,并保持 ALE 管腳處于低電平 10ms 來完成。在芯片擦操作中,代碼陣列全被寫 “1”且在任何非空存儲(chǔ)字節(jié)被重復(fù)編程以前,該操作必須被執(zhí)行。 此外, AT89C51設(shè)有穩(wěn)態(tài)邏輯,可以在低到零頻率的條件下靜態(tài)邏輯,支持兩種軟件可選的掉電模式。在閑置模式下, CPU 停止工作。但 RAM,定時(shí)器,計(jì)數(shù)器,串口和中斷系統(tǒng)仍在工作。在掉電模式下,保存 RAM 的內(nèi)容并且凍結(jié)振蕩器,禁止所用其他芯片功能,直到下一個(gè)硬件復(fù)位 畢業(yè)設(shè)計(jì)用紙 第 12 頁 共 32 頁 為止。 時(shí)鐘電路 80C51時(shí)鐘有兩種方式產(chǎn)生,即內(nèi)部方式和外部方式。 80C51中有一個(gè)構(gòu)成內(nèi)部震蕩器的高增益反向放大器,引腳 XTAL1和 XTAL2分別是該放大器的輸入端和輸出端。 本次采用內(nèi)部震蕩電路 ,瓷片電容采用 22PF,晶振為 12MHZ。 如圖 32所示。 主控電路 本次設(shè)計(jì)中的單片機(jī)主控電路圖如 33 所示 : A7A0A1A2A3A4A5A61423O UT 2L E DO UT 1X T A L 218X T A L 119A L E30EA31P S E N29RS T9P 0 .0 /A D 039P 0 .1 /A D 138P 0 .2 /A D 237P 0 .3 /A D 336P 0 .4 /A D 435P 0 .5 /A D 534P 0 .6 /A D 633P 0 .7 /A D 732P 1 . 01P 1 . 12P 1 . 23P 1 . 34P 1 . 45P 1 . 56P 1 . 67P 1 . 78P 3 .0 /R X D10P 3 .1 /T X D11P 3 .2 /I NT 012P 3 .3 /I NT 113P 3 .4 /T 014P 3 .7 / R D17P 3 . 6 / W R16P 3 .5 /T 115P 2 .7 /A 1 528P 2 .0 / A 821P 2 .1 / A 922P 2 .2 /A 1 023P 2 .3 /A 1 124P 2 .4 /A 1 225P 2 .5 /A 1 326P 2 .6 /A 1 427U1A T 8 9 C5 1X1CR Y S T A LC13 0 p fC23 0 p fR11kC32 2 u FR21 0 k 溫度檢測(cè) 電路 溫度傳感器 DS18B20的簡(jiǎn)介 DALLAS 半導(dǎo)體公司的數(shù)字化溫度傳感器 DS18B20是世界上第一片支持“一線總線”接口的溫度傳感器。溫度測(cè)量范圍 為 55~ +125 攝氏度,可編程為 9位~ 12 位轉(zhuǎn)換精度,測(cè)溫分辨率可達(dá) 攝氏度,分辨率設(shè)定參數(shù)以及用戶設(shè)定的報(bào)警溫度存儲(chǔ)在 EEPROM 中,掉電后依然保存。被測(cè)溫度用符號(hào)擴(kuò)展的 16位數(shù)字量方式串行輸出;多個(gè) DS18B20可以并聯(lián)到 3 根或 2 根線上, CPU只需一根端口線就能與諸多 DS18B20 通信,占用微處理器的端口較少,可節(jié)省大量的引線和邏輯電路。 因此用 本設(shè)計(jì) 來組成一個(gè)測(cè)溫系統(tǒng),具有線路簡(jiǎn)單,在一根通信線,可以掛很多這樣的數(shù)字溫度計(jì),十分方便。 由表 31 可見, DS18B20 溫度轉(zhuǎn)換的時(shí)間比較長(zhǎng),而且設(shè)定的分辯率越高,所需要的溫度數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換時(shí)間就越長(zhǎng)。因此,在實(shí)際應(yīng)用中要將分辯率和轉(zhuǎn)換時(shí)間權(quán)衡考慮。 圖 33 主控電路 圖 32 震蕩電路圖 畢業(yè)設(shè)計(jì)用紙 第 13 頁 共 32 頁 表 31 DS18B20 分辯率的定義規(guī)定 R1 R0 分辯率 /位 溫度最大轉(zhuǎn)換時(shí)間 /ms 0 0 9 0 1 10 1 0 11 375 1 1 12 750 DS18B20內(nèi)部結(jié)構(gòu)主要由四部分組成: 64位光刻 ROM、溫度傳感器、非揮發(fā)的溫度報(bào)警觸發(fā)器 TH和 TL、配置寄存器。 DS18B20的管腳排列、各 種封裝形式, DQ 為 數(shù)據(jù)輸入 /輸出引腳。開漏單總線接口引腳。當(dāng)被用著在寄生電源下,也可以向器件提供電源 ; GND為 地信號(hào) ; VDD為 可選擇的 VDD引腳。當(dāng)工作于寄生電源時(shí),此引腳必須接地 ,如 圖 34所示。 DS18B20工作時(shí)序: 根據(jù) DS18B20 的通訊協(xié)議,主機(jī)控制 DS18B20 完成溫度轉(zhuǎn)換必須經(jīng)過三個(gè)步驟: ( 1) 每一次讀寫之前都必須要對(duì) DS18B20 進(jìn)行復(fù)位; ( 2) 復(fù)位成功后發(fā)送一條 ROM 指令; ( 3) 最后發(fā)送 RAM 指令,這樣才能對(duì) DS18B20 進(jìn)行預(yù)定的操作。 復(fù)位要求主 CPU 將數(shù)據(jù)線下 拉 500 微秒,然后釋放, DS18B20 收到信號(hào)后等待 15~ 60 微秒左右后發(fā)出 60~ 240 微秒的存在低脈沖,主 CPU 收到此信號(hào)表示復(fù)位成功。其工作時(shí)序包括初始化時(shí)序、寫時(shí)序和讀時(shí)序,具體工作方法如圖 35, 36, 37 所 示。 (1) 初始化時(shí) 刻表 響應(yīng)脈沖60 ~2 40等待1 5 60主機(jī) 最小4 80主機(jī)復(fù)位脈沖最小4 80 US 圖 35 初始化時(shí)刻表 總線上的所有傳輸過程都是以初始化開始的,主機(jī)響應(yīng)應(yīng)答脈沖。應(yīng)答脈沖使主機(jī)知道,總線圖 34 DS18B20管腳圖 畢業(yè)設(shè)計(jì)用紙 第 14 頁 共 32 頁 上有從機(jī)設(shè)備,且準(zhǔn)備就緒。主機(jī)輸出低電平,保持低電平時(shí)間至少 480us,以產(chǎn)生復(fù)位脈沖。接著主 機(jī)釋放總線, ,延時(shí) 15~ 60us,并進(jìn)入接受模式,以產(chǎn)生低電平應(yīng)答脈沖,若為低電平,再延時(shí) 480us。 (2) 寫時(shí)序 采樣15~45采樣15~4511主機(jī)寫1 時(shí)序主機(jī)寫0 時(shí)序 圖 36 寫時(shí)序 在主機(jī)對(duì) DS18B20 寫數(shù)據(jù)(主機(jī)對(duì) DS18B20 發(fā)送各種命令)時(shí),先將數(shù)據(jù)線激發(fā)為低電平,該低電平應(yīng)大于 1us。 寫時(shí)序包括寫 0 時(shí)序和寫 1 時(shí)序。所有寫時(shí)序至少需要 60us,且在 2 次獨(dú)立的寫時(shí)序之間至少需要 1us 的恢復(fù)時(shí)間,都是以總線拉低開始。寫 1 時(shí)序,主機(jī)輸出低電平,延時(shí)2us,然后釋放總線,延時(shí) 60us。寫 0 時(shí)序,主機(jī)輸出低電平,延時(shí) 60us,然后釋放總線,延時(shí) 2us。 (3) 讀時(shí)序 主機(jī)采樣主機(jī)采樣454511主機(jī)寫1時(shí) 序主機(jī)寫0時(shí) 序 圖 37 讀 時(shí)序 總線器件僅在主機(jī)發(fā)出讀時(shí)序 是時(shí) ,才向主機(jī)傳輸數(shù)據(jù),所以,在主機(jī)發(fā)出讀數(shù)據(jù)命令后,必須馬上產(chǎn)生讀時(shí)序,以便從機(jī)能夠傳輸數(shù)據(jù)。所有讀時(shí)序至少需要 60us,且在 2 次獨(dú)立的讀時(shí)序之間至少需要 1us 的恢復(fù)時(shí)間。每個(gè)讀時(shí)序都由主機(jī)發(fā)起,至少拉低總線 1us。主機(jī)在讀時(shí)序期間必須釋放總線,并且在時(shí)序起始后的 15us 之內(nèi)采樣總 線狀態(tài)。主機(jī)輸出低電平延時(shí) 2us,然后主機(jī)轉(zhuǎn)入輸入模式延時(shí) 12us,然后讀取總線當(dāng)前電平,然后延時(shí) 50us。 本設(shè)計(jì)中, 選用 DS18B20 溫度傳感器,因?yàn)楸驹O(shè)計(jì)可以把溫度直接轉(zhuǎn)化為 16 位串行數(shù)字信號(hào),使用中不需要附加電路,但與主機(jī)通信有嚴(yán)格的時(shí)序要求。 溫度檢測(cè)電路原理 溫度檢測(cè)電路 圖如圖 38 所示, DS18B20 選用默認(rèn)的 12 位精度的分辨率,此時(shí)輸出端 DQ 輸出的溫度值為 16 位二進(jìn)制補(bǔ)碼的表達(dá)式, DS18B20 輸出端 DQ 與單片機(jī)引腳 相接,將數(shù)據(jù)傳入單片機(jī)進(jìn)行處理。 畢業(yè)設(shè)計(jì)用紙 第 15 頁 共 32 頁 L E DA7A0A1A2A3A4A5A61423O UT 2O UT 2L E DO UT 1X T A L 218X T A L 119A L E30EA31P S E N29RS T9P 0 .0 /A D 039P 0 .1 /A D 138P 0 .2 /A D 237P 0 .3 /A D 336P 0 .4 /A D 435P 0 .5 /A D 534P 0 .6 /A D 633P 0 .7 /A D 732P 1 . 01P 1 . 12P 1 . 23P 1 . 34P 1 . 45P 1 . 56P 1 . 67P 1 . 78P 3 .0 /R X D10P 3 .1 /T X D11P 3 .2 /I NT 012P 3 .3 /I NT 113P 3 .4 /T 014P 3 .7 / R D17P 3 . 6 / W R16P 3 .5 /T 115P 2 .7 /A 1 528P 2 .0 / A 821P 2 .1 / A 922P 2 .2 /A 1 023P 2
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