【文章內(nèi)容簡介】 繼續(xù)工作，掉電模式凍結(jié)振蕩器而保存 RAM 的數(shù)據(jù)，停止芯片其它功能直至外中斷激活或硬件 復(fù)位。同時該芯 片還具有 PDIP、 TQFP 和 PLCC 等三種封裝形式，以適應(yīng)不同產(chǎn)品的需求。 10102 )(RRRV po??陜西能源職業(yè)技術(shù)學(xué)院畢業(yè)論文 12 NC35V S S36V S S37NC38P 2. 0 / A 0839P 2. 1 / A 0940P 2. 2 / A 1041P 2. 3 / A 1142P 2. 4 / A 1243P 2. 5 / A 1344P 2. 6 / A 1445P 2. 7 / A 1546P S E N47A L E / P R O G48E A /V p p49P 0. 7 / A D 750P 0. 6 / A D 651P 0. 5 / A D 552P 0. 4 / A D 453P 0. 3 / A D 354P 0. 2 / A D 255P 0. 1 / A D 156P 0. 0 / A D 057A V r e f +58A V r e f +59A V S S60A V D D61P 5. 7 / A D C 762P 5. 6 / A D C 663P 5. 5 / A D C 564P 5. 4 / A D C 465P 5. 3 / A D C 366P 5. 2 / A D C 267P 5. 1 / A D C 168P 5. 0 / A D C 01V D D2S T A D C3P W M 04P W M 15EW6P 4. 0 / C M S R 07P 4. 1 / C M S R 18P 4. 2 / C M S R 29P 4. 3 / C M S R 310P 4. 4 / C M S R 411P 4. 4 / C M S R 512P 4. 6 / C M T 013P 4. 7 / C M T 114R S T15P 1. 0 / C T 0 I16P 1. 1 / C T 1 I17P 1. 2 / C T 2 I18P 1. 3 / C T 3 I19P 1. 4 / T 220P 1. 5 / R T 221P 1. 6 / S C L22P 1. 7 / S D A23P 3. 0 / R xD24P 3. 1 / T xD25P 3. 2 / I N T 026P 3. 3 / I N T 127P 3. 4 / T 028P 3. 5 / T 129P 3. 6 / W R30P 3. 7 / R D31NC32X T A L 233X T A L 1348 7 C 5 5 2J?87 C 55 2 圖 31 87C552單片機 主要特性 與 MCS51 產(chǎn)品指令系統(tǒng)完全兼容 4K 字節(jié)可編程閃爍存儲器 壽命： 1000 寫 /擦循環(huán) 數(shù)據(jù)保留時間： 10 年 全靜態(tài)工作： 0Hz24MHz 三級程序存儲器鎖定 1288 位內(nèi)部 RAM 32 可編程 I/O 線 兩個 16位定時器 /計數(shù)器 5 個中斷源 可編程串行通道 陜西能源職業(yè)技術(shù)學(xué)院畢業(yè)論文 13 低功耗的閑置和掉電模式 片內(nèi)振蕩器和時鐘電路 管腳說明 VCC：供電電壓 GND：接地 STADC：啟動 AD操作 PWM0：脈寬調(diào)制：輸出 0（低電平有效） PWM1：脈寬調(diào)制：輸出 1（低電平有效） EW：看門狗使能 P0 口： P0 口為一個 8 位漏級開路雙向 I/O 口，每腳可吸收 8TTL 門電流。當(dāng) P1 口的管腳第 一次寫 1時，被定義為高阻輸入。 P0能夠用于外部程序數(shù)據(jù)存儲器，它可以被定義為數(shù)據(jù) /地址的第八位。在 FIASH 編程時， P0 口作為原碼輸入口，當(dāng) FIASH 進(jìn)行校驗時， P0 輸出原碼，此時 P0 外部必須被拉高。 P1 口： P1口是一個內(nèi)部提供上拉電阻的 8位雙向 I/O 口， P1口緩沖器能接收輸出4TTL 門 電流。 P1 口管腳寫入 1 后，被內(nèi)部上拉為高，可用作輸入， P1口被外部下拉為低電平時，將輸出電流，這是由于內(nèi)部上拉的緣故。在 FLASH 編程和校驗 時， P1 口作為第八位地址接收。 P2 口： P2 口為一個內(nèi)部上拉電阻的 8 位雙向 I/O 口， P2 口緩沖器可接收，輸出 4個 TTL門電流，當(dāng) P2 口被寫 “1” 時，其管腳被內(nèi)部上拉電阻拉高，且作為輸入。并因此作為輸入時， P2 口的管腳被外部拉低，將輸出電流。這是由于內(nèi)部上拉的緣故。 P2口當(dāng)用于外部程序存儲器或 16 位地址外部數(shù)據(jù)存儲器進(jìn)行存取時， P2口輸出地址的高八位。在給出地址 “1” 時，它利用內(nèi)部上拉優(yōu)勢，當(dāng)對外部八位地址 數(shù)據(jù)存儲器進(jìn)行讀寫時， P2 口輸出其特殊功能寄存器的內(nèi)容。 P2 口在 FLASH 編程和校驗時接收高八位地址信號和控制信號。 P3 口： P3 口管腳是 8 個帶內(nèi)部上拉電阻的雙向 I/O 口，可接收輸出 4 個 TTL 門電流。當(dāng) P3口寫入 “1” 后，它們被內(nèi)部上拉為高電平，并用作輸入。作為輸入，由于外部下拉為低電平， P3 口將輸出電流（ ILL）這是由于上拉的緣故。 陜西能源職業(yè)技術(shù)學(xué)院畢業(yè)論文 14 RXD（串行輸入口） TXD（串行輸出口） /INT0（外部中斷 0） /INT1（外部 中斷 1） T0（記時器 0外部輸入） T1（記時器 1外部輸入） /WR（外部數(shù)據(jù)存儲器寫選通） /RD（外部數(shù)據(jù)存儲器讀選通） P3 口同時為閃爍編程和編程校驗接收一些控制信號。 P4 口： 8位可編程的 I/O口 P5 口： 8位輸入出口： ADC0ADC7 可選功能 AD 的 8位輸入口路輸入通道 RST：復(fù)位輸入。當(dāng)振蕩器復(fù)位器件時，要保持 RST 腳兩個機器周期的高電平時間。 ALE/PROG：當(dāng)訪問外部存儲器時，地址鎖存允許的輸出電平用于鎖存地址的地位字節(jié)。在 FLASH 編程期間，此 引腳用于輸入編程脈沖。在平時， ALE 端以不變的頻率周期輸出正脈沖信號，此頻率為振蕩器頻率的 1/6。因此它可用作對外部輸出的 脈沖或用于定時目的。然而要注意的是：每當(dāng)用作外部數(shù)據(jù)存儲器時，將跳過一個 ALE 脈沖。如想禁止 ALE 的輸出可在 SFR8EH 地址上置 0。此時， ALE 只有在執(zhí)行 MOVX， MOVC 指令是 ALE才起作用。另外，該引腳被略微拉高。如果微處理器在外部執(zhí)行狀態(tài) ALE 禁止，置位無效。 /PSEN：外部程序存儲器的選通信號。在由外部程序存儲器取指期間，每個機器周期兩次 /PSEN 有效。但在訪問外部數(shù)據(jù)存儲 器時，這兩次有效的 /PSEN 信號將不出現(xiàn)。 /EA/VPP：當(dāng) /EA 保持低電平時，則在此期間外部程序存儲器（ 0000H FFFFH），不管是否有內(nèi)部程序存儲器。注意加密方式 1時， /EA 將內(nèi)部鎖定為 RESET；當(dāng) /EA 端保持高電平時，此間內(nèi)部程序存儲器。在 FLASH 編程期間，此引腳也用于施加 12V 編程電源（ VPP）。 XTAL1：反向振蕩放大器的輸入及內(nèi)部時鐘工作電路的輸入。 陜西能源職業(yè)技術(shù)學(xué)院畢業(yè)論文 15 XTAL2：來自反向振蕩器的輸出。 AVdd：模擬電源 AVss：模擬地 AVREF： AD轉(zhuǎn)換參考電阻 :高端 AVREF:AD 轉(zhuǎn) 換參考電阻 :低端 VSS：數(shù)字地 單片機復(fù)位 復(fù)位電路： 有兩種方式可以實現(xiàn)復(fù)位： 1）將復(fù)位腳保持至少兩個機械周期高電平； 2）通過片內(nèi)上電檢測電路檢測到 VCC 從 0 伏開始上升。 為了保證上電復(fù)位的可靠， RST 保持高電平的時間至少為振蕩器啟動時間再加上機械周期。 RST 還可被看門狗定時器 T3 所激活的下拉晶體管內(nèi)部拉低。 T3 輸出的脈沖寬度為三個機械周期。這樣的一個短的機械脈沖式必要的，可以盡可能快的使處理器或系統(tǒng)從錯誤中恢復(fù)。 需要注意的是，定時器 T3 輸出地脈沖不能對上電復(fù)位電容放電。因此看門狗定時器也 用于外部器件時， RST 腳不能連接此電容。應(yīng)當(dāng)使用一個不同的電路來執(zhí)行上電復(fù)位。定時器 T3的溢出將對 87C552 產(chǎn)生一個強制復(fù)位。而與 RST 管腳無關(guān)。 陜西能源職業(yè)技術(shù)學(xué)院畢業(yè)論文 16 圖 32上電復(fù)位 振蕩器特性 時鐘電路： 在 MCS51芯片內(nèi)部有一個高增益反相放大器，其輸入端為芯片引腳 XTAL1，其輸出端為引腳 XTAL2。而在芯片的外部， XTAL1 和 XTAL2 之間跨接晶體振蕩器和微調(diào)電容，從而構(gòu)成一個穩(wěn)定的自激振蕩器，這就是單片機的時鐘電路如下。 時鐘電路產(chǎn)生的震蕩脈沖經(jīng)過觸發(fā)器進(jìn)行二分頻之后，才成為單片機的時鐘脈沖信號。一般的，電容 C1 和 C2 取 30uf 左右，晶體的振蕩頻率范圍是 。晶體振蕩頻率高，則系統(tǒng)的時鐘頻率也高，單片機運行速度也就快。 XTAL1 和 XTAL2 分別為反向放大器的輸入和輸出。該反向放大器可以配置為片內(nèi)振蕩器。石晶振蕩和陶瓷振蕩均可采用。如采用外部時鐘源驅(qū)動器件， XTAL2 應(yīng)不接。有余輸入至內(nèi)部時鐘信號要通過一個二分頻觸發(fā)器，因此對外部時鐘信號的脈寬無任何要求，但必須保證脈沖的高低電平要求的寬度。 XTAL1 接外部晶體的一個引腳。在單片機內(nèi)部，它是一個反相放大器的輸入端，這個放大器 構(gòu)成了片內(nèi)振蕩器。當(dāng)采用外部振蕩器時，對 HMOS 單片機，此引腳應(yīng)接地；對 CHMOS 單片機，此引腳作為驅(qū)動端。 XTAL2 接外晶體的另一端。在單片機內(nèi)部，接至上述振蕩器的反相放大器的輸出端。采用外部振蕩器時，對 HMOS 單片機，該引腳接外部振。 陜西能源職業(yè)技術(shù)學(xué)院畢業(yè)論文 17 芯片擦除 整個 PEROM 陣列和三個鎖定位的電擦除可通過正確的控制信號組合，并保持 ALE 管腳處于低電平 10ms 來完成。在芯片擦操作中，代碼陣列全被寫 “1” 且在任何非空存儲字節(jié)被重復(fù)編程以前，該操作必須被執(zhí)行。 串口通訊 單片機的結(jié)構(gòu)和特殊寄存器，這是你編寫軟 件的關(guān)鍵。至于串口通信需要用到那些特殊功能寄存器呢，它們是 SCON， TCON， TMOD， SCON 等，各代表什么含義呢？ SBUF 數(shù)據(jù)緩沖寄存器這是一個可以直接尋址的串行口專用寄存器。有朋友這樣問起過 “ 為何在串行口收發(fā)中，都只是使用到同一個寄存器 SBUF？而不是收發(fā)各用一個寄存器 ” 。實際上 SBUF 包含了兩個獨立的寄存器，一個是發(fā)送寄存，另一個是接收寄存器，但它們都共同使用同一個尋址地址－ 99H。 CPU 在讀 SBUF 時會指到接收寄存器，在寫時會指到發(fā)送寄存器，而且接收寄存器是雙緩沖寄存器，這樣可以避免接收中斷沒 有及時的被響應(yīng)，數(shù)據(jù)沒有被取走，下一幀數(shù)據(jù)已到來，而造成的數(shù)據(jù)重疊問題。發(fā)送器則不需要用到雙緩沖，一般情況下我們在寫發(fā)送程序時也不必用到發(fā)送中斷去外理發(fā)送數(shù)據(jù)。操作 SBUF 寄存器的方法則很簡單，只要把這個 99H 地址用關(guān)鍵字 sfr 定義為一個變量就可以對其進(jìn)行讀寫操作了，如 sfr SBUF = 0x99。當(dāng)然你也可以用其它的名稱。通常在標(biāo)準(zhǔn)的 或 等頭文件中已對其做了定義，只要用 include 引用就可以了。 SCON 串行口控制寄存器通常在芯片或設(shè)備中為了監(jiān)視或控制接口狀態(tài) ，都會引用到接口控制寄存器。 SCON 就是 51 芯片的串行口控制寄存器。它的尋址地址是 98H，是一個可以位尋址的寄存器，作用就是監(jiān)視和控制 51 芯片串行口的工作狀態(tài)。 51 芯片的串口可以工作在幾個不同的工作模式下，其工作模式的設(shè)置就是使用 SCON 寄存器。它的各個位的具體定義如下： SM0 SM1 SM2 REN TB8 RB8 TI RI SM0、 SM1 為串行口工作模式設(shè)置位，這樣兩位可以對應(yīng)進(jìn)行四種模式的設(shè)置。串行口工作模式設(shè)置。 SM0 SM1 模式 功能 波特率 0 0 0 同步移位寄存器 fosc/12 陜西能源職業(yè)技術(shù)學(xué)院畢業(yè)論文 18 0 1 1 8 位 UART 可變 1 0 2 9 位 UART fosc/32 或 fosc/64 1 1 3 9 位 UART 可變 在這里只說明最常用的模式 1，其它的模式也就一一略過，有興趣的朋友可以找相關(guān)的硬件資料查看。表中的 fosc 代表振蕩器的頻率，也就是晶振的頻率。 UART 為(Universal Asynchronous Receiver）的英文縮寫。 SM2 在模式 模式 3 中為多處理機通信使能位。在模式 0 中要求該位為 0。 REM 為允許接收位， REM 置 1 時串口允許接收，置 0 時禁止接收。 REM 是 由軟件置位或清零