輝光管時(shí)鐘顯示畢業(yè)設(shè)計(jì)(編輯修改稿)
2025-01-06 15:33 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 4 AT89C52 單片機(jī)的介紹 圖 3 封裝 AT89C52 ATMEL是一種低功耗 ，高性能 CMOS 8位單片機(jī)．片內(nèi)含 8K byTES的可反復(fù)擦寫的只讀程序存儲(chǔ)器（ PEROM）。器件采用 ATMEL公司的高密度、非易失性存儲(chǔ)技術(shù)生產(chǎn)，與標(biāo)準(zhǔn) 80C51指令系統(tǒng)及 80C52 產(chǎn)品引腳兼容，片內(nèi)置通用 8位中央處理器（ CPU ）和 FLASH由存儲(chǔ)單元，功能強(qiáng)大 AT89C52單片適用 于許多較為復(fù)雜控制應(yīng)用場(chǎng)合。 主要性能參數(shù) ： 與 Mcs51產(chǎn)品指令和引腳完全兼容。 8字節(jié)可重擦寫 FLASH閃速存儲(chǔ)器 1000 次擦寫周期 全靜態(tài)操作： 0HZ24MHZ 三級(jí)加密程序存儲(chǔ)器 256X8字節(jié)內(nèi)部 RAM 32個(gè)可編程 I/0口線 3個(gè) 16 位定時(shí)／計(jì)數(shù)器 8個(gè)中斷源 可編程串行 UART通道 低功耗空閑和掉電模式 AT89C52 提供以下標(biāo)準(zhǔn)功能： 8字節(jié) FLASH閃速存儲(chǔ)器， 256字 節(jié) 內(nèi)部 RAM , 32個(gè) I/O口線，3 個(gè) 16 位定時(shí)／計(jì)數(shù)器，一個(gè) 6向量?jī)杉?jí)中斷結(jié)構(gòu)，一個(gè)全雙工串行通信口，片內(nèi) 振蕩器及時(shí)鐘電路。同時(shí)， AT89c52可降至 零赫茲 的靜態(tài)邏輯操作，并支持兩種軟件可選的節(jié)電上作模式。空閑方式停止 CPU 的工作，但允許 RAM，定時(shí)／計(jì)數(shù)器．串行通信口及中斷系統(tǒng)繼續(xù)工作。掉電方式保存 RAM 中的內(nèi)容，但振蕩器停止工作并禁止其它所有部件工作直到下一個(gè)硬件復(fù)位 。 5 圖 4 單片機(jī)內(nèi)部結(jié)構(gòu) 功能引腳說明： 圖 5 引腳圖 6 Vcc:電源電壓 GND:接 地 P0： 是一組 8位漏極開路型雙向 1/O 口，也即地址 /數(shù)據(jù)總線復(fù)用口。作為輸出口用時(shí)．每位能吸收電流的方式驅(qū)動(dòng) 8個(gè) TTL 邏輯門電路，對(duì)端口 P0 寫 “1” 時(shí)，可作為高阻抗輸入端用。P0口 也可以配置為復(fù)低位地址 /數(shù)據(jù)總線和內(nèi)存數(shù)據(jù)訪問外部程序。在這種模式下， P0具有內(nèi)部上拉電阻。 在 FLASH 由編程時(shí)， P0 口接收指令字節(jié)，而在程序校驗(yàn)時(shí)，輸出指令字節(jié)，校驗(yàn)時(shí)，要求外接上拉電阻。 P1： 是一個(gè)帶內(nèi)部上拉電阻的 8位雙 向 I/O口， Pl的輸出緩沖級(jí)可驅(qū)動(dòng)（吸收或輸出電流）4個(gè) TTL邏輯門電路。對(duì)端口寫 “1” ，通過內(nèi)部的上拉電阻把端口拉到高電平，此時(shí)可作輸入口。作輸入口使用時(shí)，因?yàn)閮?nèi)部存在上拉電阻某個(gè)引腳被外部信號(hào)拉低時(shí)會(huì)輸出一個(gè)電流 IIL， 此外， 和 /計(jì)數(shù)器 2 的外部計(jì)數(shù)輸入（ ）和輸入（ ) 。 P2： 是一個(gè)帶有內(nèi)部上拉電阻的 8 位雙向 I/O 口， P2 的輸出緩沖級(jí)可驅(qū)動(dòng)（吸收或輸出電流） 4 個(gè) TTL 邏輯電路。對(duì)端口 P2 寫 “l(fā) ，通過內(nèi)部的上拉電阻把端口拉到高電平，此 時(shí)可作輸入口，作輸入口使用時(shí)，因?yàn)閮?nèi)部存在上拉電阻，某個(gè)引腳被外部信號(hào)拉低時(shí)會(huì)輸出一個(gè)電流（ llt ）。 P3： 口是一組帶有內(nèi)部上拉電阻的 8位雙向 I/O口。 P3口輸出緩沖級(jí)可驅(qū)動(dòng) (吸收或輸出電流） 4個(gè) TTL邏輯門電路。對(duì) P3口寫入 “1” 時(shí)，它們被內(nèi)部上拉電阻拉高并可作為輸入端口。此時(shí)，被外部拉低的 P3口將用上拉電阻輸出電流（ IIL) . 此外， P3口 一些特殊功能口，如下表所示： RXD 串行輸入口 TXD 串行輸出口 /INT0 外部中斷 0 /INT1 外部中 斷 1 T0 記時(shí)器 0 外部輸入 /WR 外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器寫選通 /RD 外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器讀選通 表 1 功能口 RST： 復(fù)位輸入。當(dāng)振蕩器工作時(shí)， RST引腳出現(xiàn)兩個(gè)機(jī)器周期以上高電平將使單片機(jī)復(fù)位。 PSEN：程序儲(chǔ)存允許 PSEN輸出是外部程序存儲(chǔ)器的讀選通信號(hào)，當(dāng) AT89C52 由外部程序存儲(chǔ)器取指令（或數(shù)據(jù)）時(shí)，每個(gè)機(jī)器周期兩次 PSEN有效，即輸出兩個(gè)脈沖。在此期間，當(dāng)訪問 7 外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器，將跳過兩次 PSEN信號(hào)。 EA/VPP： 外部訪問允許。欲使 CPU 僅訪問外部程序存儲(chǔ)器 (地址為 0000HFFFFH ) , EA 端必須保持低電平 (接地）．需注怠的是：如果加密位 LBI被編程，復(fù)位時(shí)內(nèi)部會(huì)鎖存 EA端狀態(tài)。 如 EA端為高電平（接 Vcc端）。 flash存儲(chǔ)器編程時(shí)，該引腳加上 +12V的編程允許電源 VPP ，當(dāng)然這必須是該器件是使用 12V編程電壓 VPP 。 XTAL1：振蕩器反相放大器的及內(nèi)部時(shí)鐘發(fā)生器的輸入端． XTAL1：振蕩器反相放大器的輸出端。 特殊功能寄存器： 并非所有的地址都被定義，還有相當(dāng)一部分沒有定義。對(duì)沒有定義的單元讀 寫將是無(wú)效的，讀出的數(shù)位將不確定，而寫入的數(shù)據(jù)也將丟失。 軟件使用者 不應(yīng)將數(shù)據(jù) 1寫入未定義的單元，由于這些單元在將來(lái)的產(chǎn)品中可能賦予新的功能，在這種情況下，復(fù)位后這些單元數(shù)值總是 “0” 。 定時(shí) /計(jì)數(shù)器 2的控制和狀態(tài)位位于 T2CON和 T2MOD ，寄存器對(duì)（ RCA02H、 RCAP2L）是定時(shí)器 2在 16 位捕獲方式或 16位自動(dòng)重裝載方式下的捕獲 /自動(dòng)重裝載寄存器。 數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 AT89C52有 256個(gè)字節(jié)的內(nèi)部 RAM , 80H－ FFH高 128個(gè)字節(jié)與特殊功能寄存器（ SFR）地址是重疊的，也就是高 128字 節(jié) 的 RAM和殊功能寄存器的地址是相同的，但物理上它們是分開的。 當(dāng)一條指令訪問 7FH以上的內(nèi)部地址單元時(shí)，指令中使用的尋址方式是不同的，也即尋址方式?jīng)Q定是訪問高 128字節(jié) RAM還是訪問特殊功能寄存器。如果指令是直接尋址方式則為訪問特殊功能寄存器． 主要芯片簡(jiǎn)介 主要利用 AT89C52 單片機(jī)與時(shí)鐘芯片 DS130 2N5551三極管及 十進(jìn)制解碼器 74LS145 芯片組成 8 2． 三極管 2N5551 功能 及引腳圖 圖 6 1 基極 2發(fā)射極 3集電極 2N5551是一種 NPN型高反壓三極 管。 直流電流增益 hFE最小值 (dB)： 80 直流電流增益 hFE最大值 (dB)： 250 集電極－發(fā)射集最小雪崩電壓 Vceo(V)： 160 集電極最大電流 Ic(max)(A)： 最小電流增益帶寬乘積 Ft(MHz)： 100 可以用在高壓開關(guān)管、中功率功放、視頻放大等。 十進(jìn)制解碼器 HD74LS145 芯片功能及引腳 BCD到十進(jìn)制解碼器 /驅(qū)動(dòng)器（ 15 V輸出） 圖 7 HD74LS145芯片引腳 9 BC
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