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基于單片機(jī)的可燃?xì)獗O(jiān)測(cè)報(bào)警控制系統(tǒng)的設(shè)計(jì)_畢業(yè)設(shè)計(jì)論文(編輯修改稿)

2025-08-14 19:54 本頁(yè)面
 

【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 28 結(jié)論 32 參考文獻(xiàn) 33 謝辭 34 附錄 35 濱州學(xué)院本科畢業(yè)設(shè)計(jì)(論文) 1 引言 煤礦爆炸、廠房起火、工人中毒、家庭煤氣泄漏等此類(lèi)新聞報(bào)道層出不窮。 礦井、石油化工、室內(nèi)煤氣等眾多易燃易爆場(chǎng)所的安全問(wèn)題一直被廣泛關(guān)注。因此設(shè)計(jì)一款能穩(wěn)定并實(shí)時(shí)采集現(xiàn)場(chǎng)可燃?xì)怏w信號(hào)測(cè)量檢測(cè)系統(tǒng)就尤為重要。 近年來(lái)大規(guī)模集成電路發(fā)展迅速,同時(shí)也帶動(dòng)了單片機(jī)的迅猛發(fā)展,這給在野外以及無(wú)人監(jiān)測(cè)的 地方進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)帶來(lái)了巨大的方便?!皞€(gè)頭小、價(jià)格低、功能強(qiáng)大”是單片機(jī)的一大特征,與微型計(jì)算機(jī)的功能相似。在環(huán)境監(jiān)測(cè)儀中運(yùn)用單片機(jī)技術(shù),不僅能降低成本,還能減小其體積和質(zhì)量,提高環(huán)境監(jiān)測(cè)儀的自動(dòng)化水平,對(duì)環(huán)境監(jiān)測(cè)更加準(zhǔn)確。 按系統(tǒng)功能實(shí)現(xiàn)要求,決定控制系統(tǒng)采用市場(chǎng)上很普遍的 AT89C51 單片機(jī), A/D轉(zhuǎn)換采用 ADC0804,其轉(zhuǎn)換速度完全可以達(dá)到本次設(shè)計(jì)的要求,顯示部分由LCD1602 液晶屏進(jìn)行顯示。 本設(shè)計(jì)是通過(guò)采用 MQ2 氣體傳感器作為可燃?xì)怏w的信號(hào)采集工具 ,系統(tǒng)建立濃度與電壓關(guān)系,利用單片機(jī)技術(shù) 將采集到 的模擬電壓量經(jīng)過(guò) AD 轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào),經(jīng)過(guò)信號(hào)處理計(jì)算 ,濃度值由液晶顯示,觸發(fā)聲光報(bào)警,啟動(dòng)無(wú)線控制排氣裝置。 濱州學(xué)院本科畢業(yè)設(shè)計(jì)(論文) 2 第一章 報(bào)警器的概述 報(bào)警器的 研究背景 中國(guó)在逐步進(jìn)入工業(yè)化的同時(shí),工業(yè)事故也在屢屢發(fā)生。煤礦爆炸、廠房起火、工人中毒、家庭煤氣泄漏等此類(lèi)新聞報(bào)道層出不窮。這些事故的主要原因是工業(yè)環(huán)境中不當(dāng)使用有毒有害、易燃易爆氣體。在日常生活中到處充斥著有毒有害、易燃易爆氣體,一旦發(fā)生泄露,不僅污染了環(huán)境,造成嚴(yán)重的人員傷亡和財(cái)產(chǎn)損失。而且還會(huì)嚴(yán)重地威脅到了人們的日常生活。 報(bào) 警器 的研究意義 近年來(lái)大規(guī)模集成電路發(fā)展迅速,同時(shí)也帶動(dòng)了單片機(jī)的迅猛發(fā)展,這給在野外以及無(wú)人監(jiān)測(cè)的地方進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)帶來(lái)了巨大的方便。個(gè)頭雖小、價(jià)格便宜但功能強(qiáng)大是單片機(jī)的一大特征,與微型計(jì)算機(jī)的功能相似。將單片機(jī)技術(shù)運(yùn)用到環(huán)境監(jiān)測(cè)儀中,不僅能降低成本,而且還可以減小環(huán)境監(jiān)測(cè)儀的體積和質(zhì)量,提高環(huán)境監(jiān)測(cè)儀的自動(dòng)化水平,增強(qiáng)環(huán)境監(jiān)測(cè)的準(zhǔn)確性?;谝陨蟽?yōu)點(diǎn),可燃報(bào)警控制系統(tǒng)能廣范應(yīng)用于工業(yè)和家庭中。 氣體傳感器的分類(lèi) 表 氣體傳感器的分類(lèi) 氣體傳感器分類(lèi) 原理 特點(diǎn) 金屬氧化物半導(dǎo)體式傳感器 被測(cè)氣體的吸附后,半導(dǎo)體的電導(dǎo)率變化,從而使電流變化,驅(qū)動(dòng)報(bào)警電路。 反應(yīng)靈敏,成本低廉,適宜于民用氣體檢測(cè)。 催化燃燒式傳感器 是目前使用最多的檢測(cè)可燃?xì)怏w的原理之一。 輸出信號(hào)線形好、無(wú)與其他非可燃?xì)怏w的交叉干擾等特點(diǎn) [1]。 定電位電解式傳感器 是測(cè)毒類(lèi)使用最多的一種。 濱州學(xué)院本科畢業(yè)設(shè)計(jì)(論文) 3 隔膜迦伐尼電池式氧氣傳感器 把氧氣通入電解質(zhì)時(shí),陽(yáng)極金屬被氧化,釋放電子,形成的電流與通入的氧氣濃度成正比 [2]。 整個(gè)過(guò)程中陽(yáng)極金屬在逐漸損耗,因此傳感器需經(jīng)常更換。 紅外式傳感器 不同元素吸收的光的波長(zhǎng)不同。 反應(yīng)靈敏, 能適用于多數(shù)碳?xì)浠衔?,但成本較高結(jié)構(gòu)復(fù)雜。 系統(tǒng)整體方案及硬件設(shè)計(jì) 本次設(shè)計(jì)采用 AT89C51 單片機(jī),配合 ADC0804 轉(zhuǎn)換芯片構(gòu)成一個(gè)簡(jiǎn)易的可燃?xì)怏w監(jiān)測(cè)報(bào)警系統(tǒng)??扇?xì)怏w的濃度用 LCD1602 顯示器進(jìn)行顯示。該電路通過(guò) MQ2傳感器檢測(cè)可燃?xì)怏w,并輸出 05V 的電壓信號(hào),然后輸入到 ADC0804 芯片采樣模擬量電壓,經(jīng)過(guò)模 /數(shù)轉(zhuǎn)換后,產(chǎn)生相應(yīng)的數(shù)字量經(jīng)過(guò)其輸出通道 DB0~ DB7 傳送給 AT89C51 單片機(jī)的 P1 口。 AT89C51 單片機(jī)負(fù)責(zé)把接收到的數(shù)字量經(jīng)過(guò)數(shù)據(jù)處理,LCD1602 顯示可燃?xì)怏w濃度 。當(dāng)環(huán)境中可燃或有毒氣體泄露時(shí),并且可燃?xì)怏w濃度達(dá)到報(bào)警值時(shí),單片機(jī)將驅(qū)動(dòng) LED 和蜂鳴器,就會(huì)發(fā)出聲光報(bào)警。通過(guò)關(guān)聯(lián)的無(wú)線控制模塊觸動(dòng)閥門(mén)以打開(kāi)排氣、排風(fēng)設(shè)備,從而實(shí)現(xiàn)現(xiàn)場(chǎng)可燃?xì)怏w的安全控制。 本系統(tǒng)有單片機(jī)最小系統(tǒng)、電源、信號(hào)采集電路、報(bào)警電路、按鍵和 LCD 顯示、組成。基本原理如圖 : 濱州學(xué)院本科畢業(yè)設(shè)計(jì)(論文) 4 圖 系統(tǒng)基本方框圖 上電復(fù)位 報(bào)警電路 P3 P0 AT89C51 P2 P1 ADC0804 電源電路 LCD 顯示器 排風(fēng)設(shè)備 MQ2 濱州學(xué)院本科畢業(yè)設(shè)計(jì)(論文) 5 第二章 主要元件介紹 單片機(jī) 概述 AT89C51 單片機(jī) 的 FLASH 存儲(chǔ)器 為 4k 且為 高性能、低電壓 CMOS 8 位 CPU。AT89C2051 是一種帶 2K 字節(jié)閃存可編程 又 可擦除 的 ROM,能重復(fù) 擦除 1000 次。該器件采用 的是 ATMEL 高密度非易失存儲(chǔ)器 的制造技術(shù) , 且能 與 MCS51 輸出管腳和指令集兼容。 在一 個(gè)芯片中 同時(shí)置入 8 位 CPU 和閃爍存儲(chǔ)器, 使得 AT89C51更加 高效, AT89C2051 是它的一種精簡(jiǎn)版本。 AT89C51 單片機(jī) 因其靈活性高,且成本較低而成為 嵌入式控制系統(tǒng) 的首選方案 [3]。 主要特性如下: ( 1) 4K 字節(jié) FLASH,可編程; ( 2) 與 MCS51 兼容 ; ( 3) 在 0Hz24MHz 下全靜態(tài)工作 ; ( 4) 1000 次重復(fù) 寫(xiě) /擦 ; ( 5) 保留數(shù)據(jù)長(zhǎng)達(dá) 10 年 ; ( 6) 內(nèi)部 RAM 為1288 位 ; ( 7) 能 鎖定三級(jí)程序存儲(chǔ)器 ;( 8) 32 個(gè) 可編程 I/O 口;( 9) 中斷源 5 個(gè) ;( 10) 16 位 定時(shí) /計(jì)數(shù)器兩個(gè) ; ( 11) 具備 時(shí)鐘電路 和 片內(nèi)振蕩器 ; ( 12) 閑置和掉電模式 為低功耗; ( 13) 1 個(gè) 可編程串行通道 口 。 引腳和最小系統(tǒng) AT89C51 封裝結(jié)構(gòu)為 40 條 引腳雙列直插式,其引腳排列如圖 所示。其中,有 2 條電源引腳, 2 條外接晶體, 4 條控制引腳,其它為 I/O 引腳 濱州學(xué)院本科畢業(yè)設(shè)計(jì)(論文) 6 X T A L 218X T A L 119A L E30EA31P S E N29RS T9P 0 .0 /A D 039P 0 .1 /A D 138P 0 .2 /A D 237P 0 .3 /A D 336P 0 .4 /A D 435P 0 .5 /A D 534P 0 .6 /A D 633P 0 .7 /A D 732P 1 . 01P 1 . 12P 1 . 23P 1 . 34P 1 . 45P 1 . 56P 1 . 67P 1 . 78P 3 .0 /R X D10P 3 .1 /T X D11P 3 .2 /I NT 012P 3 .3 /I NT 113P 3 .4 /T 014P 3 .7 / R D17P 3 . 6 / W R16P 3 .5 /T 115P 2 .7 /A 1 528P 2 .0 / A 821P 2 .1 / A 922P 2 .2 /A 1 023P 2 .3 /A 1 124P 2 .4 /A 1 225P 2 .5 /A 1 326P 2 .6 /A 1 427U1A T 8 9 C5 1 圖 AT89C51 引腳圖 主要引腳介紹: VCC:電源。 GND:接地 。 P0 口: P0 口有 8 個(gè)雙向 I/O 引腳,每個(gè)引腳吸收的門(mén)電 流是 8TTL。第一次給P0 口送“ 1”, 稱(chēng)為 高阻 輸入,此時(shí)需接上拉電阻。 P1 口: P1 口有 8 個(gè)雙向 I/O 引腳,其內(nèi)部自帶上拉電阻。內(nèi)部的緩沖器能接收 /輸出的門(mén)電流為 4TTL。給 P1 口送 1 后,自動(dòng)的被上拉電阻拉高,此時(shí)其可用作輸入引腳。 P1 口為低電平時(shí),會(huì)輸出電流。 FLASH 編程或校驗(yàn)時(shí), P1 口作為地址的低 8 位接收數(shù)據(jù)。 P2 口: P1 口有 8 個(gè)雙向 I/O 引腳,其內(nèi)部自帶上拉電阻。其內(nèi)部的緩沖器接收 /輸出的門(mén)電流為 4TTL,給當(dāng) P2 口送“ 1”時(shí),其管腳被拉高,作為輸入口。 P2口為低電平時(shí),可輸出電流。 P2 口訪問(wèn)外部程序存儲(chǔ)器或進(jìn)行 16 位地址外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器存取時(shí), P2 口作高八位地址引腳。在給地址送“ 1”時(shí),內(nèi)部上拉成為一大優(yōu)勢(shì)。當(dāng)進(jìn)行讀寫(xiě)外部 8 位地址 /數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器時(shí), P2 口輸出 SFR 的內(nèi)容。在 FLASH進(jìn)行編程和校驗(yàn)時(shí), P2 口接收高八位地址和控制信號(hào)。 濱州學(xué)院本科畢業(yè)設(shè)計(jì)(論文) 7 P3 口: P3 口有 8 個(gè)雙向 I/O 引腳,其內(nèi)部自帶上拉電阻??山邮?/輸出的門(mén)電流為 4TTL。給 P3 口送入“ 1”后,由于內(nèi)部的上拉電阻,引腳變?yōu)楦唠娖剑?作輸入端口。當(dāng)外部下拉為低電平, P3口作為輸出將輸出電流 。 P3 口還具有一些特殊功能: 作串行輸入引腳; 作串行輸出引腳 ; 為外部中斷 0 引腳; 為外部中斷 1 引腳; 為定時(shí) /計(jì)數(shù)器 0 外部輸入引腳; 為定時(shí) /計(jì)數(shù)器 1 外部輸入; 為外部的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器的寫(xiě)選通引腳; 為外部的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器的讀選通引腳; P3 口還能同時(shí)為編程和校驗(yàn)接收控制信號(hào)。 RST:復(fù)位輸入引腳。要對(duì)器件進(jìn)行復(fù)位時(shí),必須保持 RST 引腳兩個(gè)周期的高電平。 ALE/PROG:對(duì)外部存儲(chǔ)器進(jìn)行讀寫(xiě)時(shí),該引腳鎖存地址的低位字節(jié)。進(jìn)行FLASH 編程時(shí),此引腳為編程輸入脈沖。一般 ALE 輸出周期穩(wěn)定的正脈沖,此周期為振蕩器周期的 6 倍。所以它能為外部輸出脈沖,也可用來(lái)定時(shí)。但是作為外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器時(shí),將會(huì)跳過(guò)一個(gè) ALE 脈沖。 /PSEN: External program memory( 外部程序存儲(chǔ)器)選通信號(hào)。在由 External program memory 取指時(shí),一個(gè)機(jī)器周期中 /PSEN 有效兩次。但對(duì) External program memory 訪問(wèn)時(shí),將不出現(xiàn)這兩次有效的信號(hào)。 /EA/VPP: 當(dāng) /EA 為低電平期間,不管是否有內(nèi)部程序存儲(chǔ)器,都為外部程序存儲(chǔ)器。注意加密方式為“ 1”時(shí), /EA 將內(nèi)部鎖定為 RESET;當(dāng) /EA 端保持高電平時(shí),此間內(nèi)部程序存儲(chǔ)器。在 FLASH 編程期間,此引腳也用于施加 12V 編程電源( VPP)。 XTAL1:為內(nèi)部時(shí)鐘工作電路或振蕩器反相放大器提供輸入。 XTAL2:振蕩器輸出引腳。 最小系統(tǒng)由 AT89C5 12M 晶振、兩個(gè) 33pF 電容、 10K 和 1K 電阻、復(fù)位開(kāi)關(guān)組成。 濱州學(xué)院本科畢業(yè)設(shè)計(jì)(論文) 8 12345678RST91011121314151617XTAL218XTAL119VSS202122232425262728PSEN29ALE/PROG30EA/VPP313233343536373839VCC40U?P80C51FAJN33pFC1Cap33pFC2Cap12Y1XTALS1SWPB10uFC3Cap Pol110KR1Res11KR2Res1D1LED1GNDGNDVCCGNDGNDVCCVCCVCCD0D1D2D3D4D5D6D7INT0WR 圖 AT89C51 的最小系統(tǒng) 上電復(fù)位是用 RC 充電來(lái)實(shí) 現(xiàn)的。按鍵復(fù)位又分為:按鍵電平復(fù)位,相當(dāng)于 RST端通過(guò)電阻接高電平;按鍵脈沖復(fù)位,利用 RC 微分電路產(chǎn)生正脈沖 [4]。 圖 中電容器 C1 和 C2 起穩(wěn)定振蕩頻率、快速起振的作用,起電容值一般在1533pF, 本次設(shè)計(jì)采用 33pF 電容。晶振頻率的采用 6MHz 的情況比較多。內(nèi)部振蕩方式所得的時(shí)鐘信號(hào)比較穩(wěn)定,實(shí)際電路中使用比較多,本次設(shè)計(jì)采用 12M 晶體振蕩器。 時(shí)鐘電路 單片機(jī)的時(shí)鐘電路產(chǎn)生
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