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正文內(nèi)容

基于單片機(jī)的點(diǎn)陣圖形顯示設(shè)計課程設(shè)計(編輯修改稿)

2024-08-14 17:39 本頁面
 

【文章內(nèi)容簡介】 點(diǎn) 陣的行控制引腳相連, P2 口則直接與點(diǎn)陣的列控制引腳相連。 9 電源電路的設(shè)計 電源電路采用普通集成穩(wěn)壓電路,在本設(shè)計中,由于考慮到成本問題,這部分電路就以輸出 +5V 的穩(wěn)壓電源代替。 單片機(jī)芯片的性能及功能分析 32 條可編程 I/O 線 兩個 16 位定時器 /計數(shù)器 6 個中斷源 可編程串行通道 低功耗的閑置和掉電模式 片內(nèi)振蕩器和時鐘電路 管腳說明: ① VCC:供電電壓。 GND:接地。 ② P0 口 : P0口為一個 8 位漏級開路雙向 I/O 口,每腳可吸收 8TTL 門電流。當(dāng) P1 口的管腳第一次寫 1 時,被定義為高阻輸入。 P0能夠用于外部程序數(shù)據(jù)存儲器,它可以被定義為數(shù)據(jù) /地址的第八位。在 FIASH 編程時, P0 口作為原碼輸入口,當(dāng) FIASH 進(jìn)行校驗(yàn)時, P0 輸出原碼,此時 P0 外部必須被拉高。 ③ P1 口: P1口是一個內(nèi)部提供上拉電阻的 8 位雙向I/O 口, P1 口緩沖器能接收輸出 4TTL 門電流。 P1 口管腳寫入 1 后,被內(nèi)部上拉為高,可用作輸入, P1口被外部下拉為低電平時,將輸出電流,這是由于內(nèi)部上拉的緣故。在 FLASH 編程 和校驗(yàn)時, P1口作為第八位地址接收。 ④ P2 口: P2口為一個內(nèi)部上拉電阻的 8 位雙向 I/O 口, P2 口緩沖器可接收,輸出 4 個 TTL 門電流,當(dāng) P2 口被 10 寫“ 1”時,其管腳被內(nèi)部上拉電阻拉高,且作為輸入。并因此作為輸入時, P2 口的管腳被外部拉低,將輸出電流。這是由于內(nèi)部上拉的緣故。 P2 口當(dāng)用于外部程序存儲器或 16 位地址外部數(shù)據(jù)存儲器進(jìn)行存取時, P2 口輸出地址的高八位。在給出地址“ 1”時, 它利用內(nèi)部上拉優(yōu)勢,當(dāng)對外部八位地址數(shù)據(jù)存儲器進(jìn)行讀寫時, P2 口輸出其特殊功能寄存器的內(nèi)容。 P2 口在 FLASH 編程和校驗(yàn)時接收高八位地址信號和控制信號。 ⑤ P3 口: P3 口管腳是 8 個帶內(nèi)部上拉電阻的雙向 I/O 口,可接收輸出 4 個 TTL 門電流。當(dāng) P3 口寫入“ 1”后,它們被內(nèi)部上拉為高電平,并用作輸入。作為輸入,由于外部下拉為低電平, P3 口將輸出電流( ILL)這是由于上拉的緣故。 ⑥ RST:復(fù)位輸入。當(dāng)振蕩器復(fù)位器件時,要保持 RST 腳兩個機(jī)器周期的高電平時間。 ⑦ ALE/PROG:當(dāng)訪問外部存儲器時,地址鎖存允許的 輸出電平用于鎖存地址的地位字節(jié)。在 FLASH 編程期間,此引腳用于輸入編程脈沖。在平時, ALE 端以不變的頻率周期輸出正脈沖信號,此頻率為振蕩器頻率的 1/6。因此它可用作對外部輸出的脈沖或用于定時目的。然而要注意的是:每當(dāng)用作外部數(shù)據(jù)存儲器時,將跳過一個 ALE 脈沖。如想禁止 ALE的輸出可在 SFR8EH 地址上置 0。此時, ALE 只有在執(zhí)行 MOVX, MOVC 指令是 ALE 才起作用。另外,該引腳被略微拉高。如果微處理器在外部執(zhí)行狀態(tài) ALE 禁止,置位無效。 ⑧ /PSEN:外部程序存儲器的選通信號。在由外部程序存儲器取指 期間,每個機(jī)器周期兩次 /PSEN 有效。但在訪問外部數(shù)據(jù)存儲器時,這兩次有效的 /PSEN
點(diǎn)擊復(fù)制文檔內(nèi)容
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