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正文內(nèi)容

寧夏石嘴山市第三中學(xué)20xx-20xx學(xué)年高二上學(xué)期期末考試物理試題(編輯修改稿)

2025-01-01 20:37 本頁面
 

【文章內(nèi)容簡介】 域。設(shè)電場和磁場區(qū)域有理想的分界線,且分界線與電場方向平行,如圖中的虛線所示。在如圖所示的幾種軌跡中,正確的是 ( ) 1在方向如圖所示的勻強(qiáng)電場(場強(qiáng)為 E)和勻強(qiáng)磁場(磁感應(yīng)強(qiáng)度為 B)共存的場區(qū),一電子沿垂直電場線和磁感線方向以速度 v0 射入場區(qū),則 ( ) A.若 v0 > E/B,電子沿軌跡Ⅰ運(yùn)動(dòng),射出場區(qū)時(shí),速度 v> v0 B.若 v0 > E/B,電子沿軌跡Ⅱ運(yùn)動(dòng),射出場區(qū)時(shí),速度 v< v0 C.若 v0 < E/B,電子沿軌跡Ⅰ運(yùn)動(dòng),射出場區(qū)時(shí),速度 v> v0 D.若 v0 < E/B,電子沿軌跡Ⅱ運(yùn)動(dòng),射出場區(qū)時(shí),速度 v< v0 1如圖所示,金屬導(dǎo)軌上的導(dǎo)體棒 ab 在勻強(qiáng)磁場中沿導(dǎo)軌做下列哪種運(yùn)動(dòng)時(shí),線圈 c 中將有感應(yīng)電流產(chǎn)生 ( ) A.向右做勻速運(yùn)動(dòng) B.向左做勻速運(yùn)動(dòng) C.向右做減速運(yùn)動(dòng) D.向左做減速運(yùn)動(dòng) 如圖所示 ,虛線代表電場中的三個(gè)等勢面,相鄰兩個(gè)等勢面的電勢差相等,實(shí)線為一帶正電的質(zhì)點(diǎn)僅在電場力作用下通過該區(qū)域時(shí)的運(yùn)動(dòng)軌跡,P、 Q 為軌跡上的兩點(diǎn),據(jù)此可得 ( ) 圖 a b c B P Q B E Ⅰ Ⅱ A.三個(gè)等勢面中, Q 點(diǎn)所在處的等勢面電勢最高 B.該質(zhì)點(diǎn)通過 P 點(diǎn)時(shí)電勢能最大 C.該質(zhì)點(diǎn)通過 P 點(diǎn)時(shí)動(dòng)能最大 D.該質(zhì)點(diǎn)通過 P 點(diǎn)時(shí)加速度最大 2 某同學(xué)將一直流電源的總功率 PE、輸出功率 PR和電源內(nèi)部的發(fā)熱功率 Pr隨電流I 變化的 圖線畫在同一坐標(biāo)系內(nèi),如圖所示,根據(jù)圖線可知 ( ) A.反映 Pr變化的圖線是 c B.電源電動(dòng)勢為 8 V C.電源內(nèi)阻為 2 Ω D.當(dāng)電流為 A 時(shí),外電路的電阻為 6 Ω 三、填空題 2( 5 分)如圖所示,將邊長為 L、總電阻為 R 的正方形閉合線圈,從磁感強(qiáng)度為 B 的勻強(qiáng)磁場中以速度 v 勻速拉出(磁場方向,垂直線圈平面) ( 1)所用拉力 F= . ( 2)拉力 F 做的功 WF = . ( 3)拉力 F 的功率 PF = . ( 4)線圈放出的熱量 Q = . ( 5)通過導(dǎo)線截面的電量 q = . 2( 10 分)、測一個(gè)阻值約為 25kΩ 的電阻,備有下列器材 A.電流表(量程 100μ A,內(nèi)阻 2kΩ ) B.電流表(量程 500μ A,內(nèi)阻 300Ω ) C.電壓表(量程 10V,內(nèi)阻 100kΩ ) D.電壓表(量程 50V,內(nèi)阻 500kΩ ) E.直流穩(wěn)壓電源(電動(dòng)勢 15V,允許最大電流 1A) F.滑動(dòng)變阻器(最大電阻 1kΩ ,額定功率 1W) G.導(dǎo)線若干 . ( 1)電流表應(yīng)選 ,電壓表應(yīng)選 . ( 2)畫出測量 Rx的電路圖 . ( 3)用實(shí)線表示導(dǎo)線,將圖中選定的器材連接成實(shí)驗(yàn)電路 . F v B 四、計(jì)算題(寫出具體的計(jì)算步驟共51分)) 2 (8 分 )如圖 21 所示,一簇平行線為方向未知的勻強(qiáng)電場的電場線,沿與此平行線成 60176。角的方向,把一帶電荷量為 q= 106C 的質(zhì)點(diǎn)從 A 點(diǎn)移到 B 點(diǎn),電場力做功為 106J,已知 A、 B 兩點(diǎn)間距為 2cm。求:( 1)勻強(qiáng)電場的大小。( 2)如果 B 點(diǎn)電勢為 φ B=1V,則 A 點(diǎn)電勢為多大。 2(10分) 如圖所示,一個(gè) U 形導(dǎo)體框架,其寬度 l=1m,框架所在平面與
點(diǎn)擊復(fù)制文檔內(nèi)容
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