半導(dǎo)體與太陽(yáng)能(編輯修改稿)
2024-12-27 23:26 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 大小與電場(chǎng)強(qiáng)度成正比 電位差 漂移運(yùn)動(dòng) 漂移電流 電場(chǎng)力 22/49 PN 結(jié)的形成 在同一片半導(dǎo)體基片上，分別制造 P 型半導(dǎo)體和 N 型半導(dǎo)體，經(jīng)過(guò)載流子的擴(kuò)散，在它們的交界面處就形成了 PN 結(jié)。 PN結(jié)及半導(dǎo)體二極管 23/49 P型半導(dǎo)體 － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － N型半導(dǎo)體 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + 擴(kuò)散運(yùn)動(dòng) 內(nèi)電場(chǎng) E 漂移運(yùn)動(dòng) 擴(kuò)散的結(jié)果是使空間電荷區(qū)逐漸加寬，空間電荷區(qū)越寬。 內(nèi)電場(chǎng)越強(qiáng)，就使漂移運(yùn)動(dòng)越強(qiáng)，而漂移使空間電荷區(qū)變薄。 空間電荷區(qū)， 也稱耗盡層。 一、多子擴(kuò)散 24/49 漂移運(yùn)動(dòng) P型半導(dǎo)體 － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － N型半導(dǎo)體 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + 擴(kuò)散運(yùn)動(dòng) 內(nèi)電場(chǎng) E 所以擴(kuò)散和漂移這一對(duì)相反的運(yùn)動(dòng)最終達(dá)到平衡，相當(dāng)于兩個(gè)區(qū)之間沒(méi)有電荷運(yùn)動(dòng)，空間電荷區(qū)的厚度固定不變。 二、少子漂移 25/49 － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + 空間電荷區(qū) N型區(qū) P型區(qū) 電位 V V0 26/49 。 P中的空穴 .N區(qū) 中的電子（ 都是多子 ）向?qū)Ψ竭\(yùn)動(dòng)（ 擴(kuò)散運(yùn)動(dòng) ）。 區(qū)中的電子和 N區(qū)中的空穴（ 都是少子 ），數(shù)量有限，因此由它們形成的電流很小。 注意 : 27/49 28/49 為什么硅可以吸收光？ 光激發(fā)可以打斷共價(jià)鍵，產(chǎn)生自由電子；將價(jià)電子激發(fā)到導(dǎo)帶。 硅的禁帶寬度 (1100nm。 29/49 光生
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