4科技創(chuàng)新人物事跡(編輯修改稿)
2024-09-06 18:43 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 ，主要指標(biāo)超過美國同類晶體，并且實現(xiàn)了穩(wěn)定批量地生長出高質(zhì)量的 ktp 晶體，在國際上開創(chuàng)了將助熔劑法用于批量生長非線性光學(xué)晶體的先河。這個發(fā)生在 80 年代中期的故事一度產(chǎn)生了不小的震動。教授參與外貿(mào)，不僅沖破了幾千年來君子重義，小人重利的傳統(tǒng)觀念，而且還打破了我國高技術(shù)只進(jìn)不出的沉悶局面，是商品經(jīng)濟(jì)發(fā)展的產(chǎn)物， 也是新技術(shù)革命時代的必然趨勢。 1986 年 11 月 2 日《人民日報》為此還以教授言商為題作了專門的報道和評論。高質(zhì)量 ktp 晶體不但打破了國外的技術(shù)封鎖，而且被譽為我國高技術(shù)產(chǎn)品出口零的突破。 ktp 晶體出口是當(dāng)時這屆廣交會數(shù)額最大的高技術(shù)出口貿(mào)易項目，全國各大報紙紛紛爭先報道， ktp 名傳四方。如今， ktp 晶體和光波導(dǎo)材料已經(jīng)廣泛地應(yīng)用為激光打標(biāo)機(jī)、激光焊接機(jī)、激光美容、建筑、舞臺裝飾、激光筆等諸多領(lǐng)域，歷經(jīng)二十余年而不衰。蔣民華高度重視研究的應(yīng)用前景，探索出了一套研究、開發(fā)、產(chǎn)業(yè)化的路子。從建所初期他就確定了以應(yīng)用 為導(dǎo)向的研究方向，始終注重研究成果的開發(fā)、利用。他一貫主張，材料研究所一定要拿出貨真價實的材料，研究材料為了用，還要產(chǎn)學(xué)研相結(jié)合。在信息時代，半導(dǎo)體材料是功能材料的主體。由于歷史的原因，中國功能晶體研究和半導(dǎo)體材料的研究長期以來有一定的分離。蔣民華深深認(rèn)識到，半導(dǎo)體和人工晶體之間不應(yīng)該存在鴻溝，因此，他在 第 6 頁 共 11 頁 國家重點實驗室的研究方向上加上了低維材料的制備及研究這一和半導(dǎo)體前沿密切相關(guān)的方向并爭取列入國家科研計劃。在國家計委和ｘｘ省的支持下， 1998 年他們還承擔(dān)了國家產(chǎn)業(yè)化前期關(guān)鍵技術(shù)開發(fā)重大項目半導(dǎo)體發(fā)光器件外 延工藝和管芯技術(shù)，以此為契機(jī)，開展了一個全新模式的研發(fā)工作。在ｘｘ省的支持下，ｘｘ大學(xué)和華光集團(tuán)聯(lián)合建立了ｘｘ華光光電子公司，ｘｘ大學(xué)以科研成果作為技術(shù)入股，開始了新的嘗試和奮斗。在這個項目中，蔣民華擔(dān)任了總的技術(shù)負(fù)責(zé)人，這是迄今為止，ｘｘ省信息產(chǎn)業(yè)規(guī)模最大、國家和省撥款最多的產(chǎn)學(xué)研結(jié)合項目。經(jīng)過三年多的努力，半導(dǎo)體發(fā)光器件外延工藝和管芯技術(shù)課題于 2024年 4 月正式通過驗收?！犊茖W(xué)時報》等紛紛以我國半導(dǎo)體發(fā)光器件擁有中國心作大標(biāo)題報道了這一重要進(jìn)展。這一成果，打破了半導(dǎo)體外延材料與管芯技術(shù)被發(fā)達(dá)國家壟斷的局 面，對發(fā)展ｘｘ省擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的高新技術(shù)，促進(jìn)產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)的調(diào)整具有重大意義。 20 世紀(jì)初，在發(fā)展第二代半導(dǎo)體薄膜材料，初步實現(xiàn) led產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)上，蔣民華又看準(zhǔn)時機(jī)，決定切入寬禁帶半導(dǎo)體單晶新領(lǐng)域。 sic、 gan 等寬禁帶半導(dǎo)體被稱為第三代半導(dǎo)體，是制作高溫、高頻、高遷移率、大功率半導(dǎo)體器件的關(guān)鍵材料，也是功率型固體照明的理想襯底。以 sic 為基礎(chǔ)的大功率半導(dǎo)體器件的發(fā)展瓶頸在于高質(zhì)量的 sic 單晶生長及其產(chǎn)業(yè)化。該項技術(shù)國內(nèi)長期沒有過關(guān)。在美國被視為戰(zhàn)略物資并對我國實施禁運的情 第 7 頁 共 11 頁 況下，只有靠自己力量發(fā)展，而生長 sic 過去沒有工作基礎(chǔ)，起步又晚，難度確實很大。要后來居上，就得跨越式發(fā)展。為此，
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