1-光纖通信光電檢測器(編輯修改稿)
2025-03-15 22:28 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 響應速度的主要因素有： (a) 光電二極管結(jié)電容及其負載電阻的 RC時間常數(shù) (b) 載流子在耗盡區(qū)里的渡越時間 (c) 耗盡區(qū)外產(chǎn)生的載流子由于擴散而產(chǎn)生的時間延遲 反向偏壓的作用 : 對光電二極管上施加反向偏壓是十分有利的。原因是耗盡區(qū)寬度增加，結(jié)電容減小，載流子的漂移速度也快，所以不僅提高了量子效率，而且加快了響應速度。 9 wACd ??10 11 不同的脈沖響應情況 12 (d) 暗電流 無光照時光電二極管的反向漏電流，稱為 暗電流 。 暗電流的無規(guī)則隨機漲落產(chǎn)生噪聲。 13 3）光電二極管的結(jié)構(gòu) ? PIN的結(jié)構(gòu) ? 異質(zhì)結(jié)構(gòu) 14 長波長 PIN管異質(zhì)結(jié)構(gòu)示意圖 原理描述： ? PIN結(jié)構(gòu) ? 異質(zhì)結(jié)構(gòu) InP是寬帶隙材料， ?c=?m,對長波長的光不吸收 。 InGaAs是窄帶隙材料， ?c=?m 15 雪崩光電二極管 (APD， Avalanche Photodiode) 1) 工作原理 光電效應 雪崩倍增效應 。 16 電離系數(shù)： ?e , ?h 電離系數(shù)比： k= ?h / ?e 17 18 2） APD的工作特性 （ a) APD的平均雪崩增益和雪崩擊穿電壓 平均雪崩增益定義為 : G = Im / Ip 式中 Ip為一次光電流， Im為倍增后輸出電流的平均值。由于倍增過程是隨機
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