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正文內(nèi)容

1-光纖通信光電檢測(cè)器(編輯修改稿)

2025-03-15 22:28 本頁(yè)面
 

【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 響應(yīng)速度的主要因素有: (a) 光電二極管結(jié)電容及其負(fù)載電阻的 RC時(shí)間常數(shù) (b) 載流子在耗盡區(qū)里的渡越時(shí)間 (c) 耗盡區(qū)外產(chǎn)生的載流子由于擴(kuò)散而產(chǎn)生的時(shí)間延遲 反向偏壓的作用 : 對(duì)光電二極管上施加反向偏壓是十分有利的。原因是耗盡區(qū)寬度增加,結(jié)電容減小,載流子的漂移速度也快,所以不僅提高了量子效率,而且加快了響應(yīng)速度。 9 wACd ??10 11 不同的脈沖響應(yīng)情況 12 (d) 暗電流 無(wú)光照時(shí)光電二極管的反向漏電流,稱為 暗電流 。 暗電流的無(wú)規(guī)則隨機(jī)漲落產(chǎn)生噪聲。 13 3)光電二極管的結(jié)構(gòu) ? PIN的結(jié)構(gòu) ? 異質(zhì)結(jié)構(gòu) 14 長(zhǎng)波長(zhǎng) PIN管異質(zhì)結(jié)構(gòu)示意圖 原理描述: ? PIN結(jié)構(gòu) ? 異質(zhì)結(jié)構(gòu) InP是寬帶隙材料, ?c=?m,對(duì)長(zhǎng)波長(zhǎng)的光不吸收 。 InGaAs是窄帶隙材料, ?c=?m 15 雪崩光電二極管 (APD, Avalanche Photodiode) 1) 工作原理 光電效應(yīng) 雪崩倍增效應(yīng) 。 16 電離系數(shù): ?e , ?h 電離系數(shù)比: k= ?h / ?e 17 18 2) APD的工作特性 ( a) APD的平均雪崩增益和雪崩擊穿電壓 平均雪崩增益定義為 : G = Im / Ip 式中 Ip為一次光電流, Im為倍增后輸出電流的平均值。由于倍增過(guò)程是隨機(jī)
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