基于51單片機的萬年歷設計報告(編輯修改稿)
2024-12-23 21:42 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 43 DS1302 管腳圖 如果在傳送過程中置 RST 為低電平，則會終止本次數(shù)據(jù)傳送，并且 I/O 引腳變?yōu)楦咦钁B(tài)。上電運行時，在 VCC = 之前， RST 腳必須保持低電平。只有在SCLK 為低電平時，才能將 RST 置為高電平。 DS1302 的管腳圖如圖 43 所示，表42 為各引腳的功能。 表 42 DS1302 引腳功能表 引腳號 引腳名稱 功能 1 VCC2 主電源 2， 3 X1， X2 振蕩源，外接 32768HZ 晶振 4 GND 地線 5 RST 復位 /片選線 6 I/O 串行數(shù)據(jù)輸入 /輸出端（雙向） 7 SCLK 串行數(shù)據(jù)輸入端 8 VCC1 后備電源 DS1302 的控制字如圖 45所示?？刂谱止?jié)的最高有效位（位 7）必須是邏輯1；如果它為邏輯 0， 則不能把數(shù)據(jù)寫入到 DS1302 中。位 6 如果為 0，則表示存取日歷時鐘數(shù)據(jù)；為 1 表示存取 RAM 數(shù)據(jù)。位 5～ 1（ A4～ A0）指示操作單元的地址。最低有效位（位 0）如為 0，表示要進行寫操作；為 1 表示進行讀操作?？刂谱止?jié)總是從最低位開始輸入 /輸出。 圖 45 控制字節(jié)的含義 為了提高對 32 個地址的尋址能力（地址 /命令位 1～ 5＝邏輯 1），可以把時鐘 /日歷或 RAM 寄存器規(guī)定為多字節(jié)（ burst）方式。位 6規(guī)定時鐘或 RAM，而位0規(guī)定讀或?qū)?。在時鐘 /日歷寄存器中的地址 9～ 31 或 RAM 寄存器中的地址 31不 7 6 5 4 3 2 1 0 1 RAM CK A4 A3 A2 A1 A0 RAM K 11 能存儲數(shù)據(jù)。 在多字節(jié)方式中，讀或?qū)憦牡刂?0的位 0開始。必須按數(shù)據(jù)傳送的次序?qū)懽钕鹊?8個寄存器。但是，當以多字節(jié)方式寫 RAM 時，為了傳送數(shù)據(jù)不必寫所有 31 字節(jié)。不管是否寫了全部 31字節(jié)，所寫的每一字節(jié)都將傳送至 RAM。數(shù)據(jù)讀寫程序如圖 46 所示。 圖 46 數(shù)據(jù)讀寫程序 (3) DS1302 的寄存器 DS1302 有 12 個寄存器，其中有 7個寄存器與日歷、時鐘相關，存放的數(shù)據(jù)位為 BCD 碼形式 ,其日歷、時間寄存器及其控制字見表 2。 表 2 DS1302 的日 歷、時間寄存器 此外， DS1302 還有年份寄存器、控制寄存器、充電寄存器、時鐘突發(fā)寄存器及與 RAM 相關的寄存器等。時鐘突發(fā)寄存器可一次性順序讀寫除充電寄存器外的所有寄存器內(nèi)容。 DS1302 與 RAM相關的寄存器分為兩類：一類是單個 RAM單元，共 31 個，每個單元組態(tài)為一個 8 位的字節(jié)，其命令控制字為 C0H～ FDH，其中奇數(shù)為讀操作，偶數(shù)為寫操作；另一類為突發(fā)方式下的 RAM 寄存器，此方式下可一次性讀寫所有的 RAM的 31個字節(jié)，命令控制字為 FEH(寫 )、 FFH(讀 )。 DS1302模塊如下圖： ≈ SCLK SCLK K I/O 5 0 0 0 7 0 0 0 1 3 0 0 0 5 0 0 0 7 0 0 0 2 0 0 0 1 0 0 0 0 2 4 0 0 0 6 0 0 0 0 0 0 0 ≈ 4 0 0 0 6 0 0 0 R/C A2 A3 A0 A1 R/W A4 1 ≈ DATA I/O BYTE DATA I/O BYTE ≈ RST 12 X12X23VCC21GND4RST5I/O6SCLK7VCC18U2DS1302SSCLKSRSTSDAVCCX1X2GND100pFC5CapGNDBT1Battery DS18B20 溫度傳感簡介 引腳圖： DS18B20 的主要特性 、適應電壓范圍更寬，電壓范圍： ～ ，在寄生電源方式下可由數(shù) 據(jù)線供電 、獨特的單線接口方式， DS18B20 在與微處理器連接時僅需要一條口線即可實現(xiàn)微處理器與 DS18B20 的雙向通訊 、 DS18B20 支持多點組網(wǎng)功能，多個 DS18B20 可以并聯(lián)在唯一的三線上，實現(xiàn)組網(wǎng)多點測溫 、 DS18B20 在使用中不需要任何外圍元件，全 部 傳感元件及轉(zhuǎn)換電路集成在形如一只三極管的集成電路內(nèi) 、溫范圍－ 55℃ ～＋ 125℃ ，在 10～ +85℃ 時精度為 177?！? 、可編程 的分辨率為 9～ 12位，對應的可分辨溫度分別為 ℃ 、℃ 、 ℃ 和 ℃ ，可實現(xiàn)高精度測溫 、在 9 位分辨率時最多在 內(nèi)把溫度轉(zhuǎn)換為數(shù)字， 12 位分辨率時最多在 750ms 內(nèi)把溫度值轉(zhuǎn)換為數(shù)字，速度更快 、測量結果直接輸出數(shù)字溫度信號，以 一 線總線 串行傳送給 CPU，同時可傳送 CRC 校驗碼，具有極 強的抗干擾糾錯能力 13 、負壓特性：電源極性接反時，芯片不會因發(fā)熱而燒毀， 但不能正常工作。 DS18B20 的外形和內(nèi)部結構 DS18B20 內(nèi)部結構主要由四部分組成： 64 位光刻 ROM 、溫度傳感器、非揮發(fā)的溫度報警觸發(fā)器 TH 和 TL、配置寄存器。 溫度數(shù)據(jù)表如下： DS18B20 溫度傳感模塊如下圖： 123P618b20VCCGNDDQR7Res1VCC 鍵盤電路簡介 本設計共采
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