單片機(jī)項(xiàng)目實(shí)踐教程劉燎原-項(xiàng)目六數(shù)字溫度計(jì)(編輯修改稿)
2025-02-10 21:29 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 ? DS18B20 ? ROM的操作（ CCH）命令 ?（ 44H）命令 ? ? DS18B20 ? ROM的操作（ CCH）命令 ?（ BEH）命令 ?（兩個(gè)字節(jié)）從 RAM中讀出，保存起來 ?，送數(shù)碼管顯示 在以上流程中，反復(fù)用到初始化、寫、讀時(shí)序，我們先編程對(duì)應(yīng)程序 ?五、 DS18B20的基本操作 在以上的工作流程中，首先要初始化 18B20，然后發(fā)各種命令以及數(shù)據(jù)傳輸都涉及到對(duì) DS18B20的讀寫操作，所以共涉及到以下 3個(gè)工作時(shí)序： （發(fā)命令） （讀溫度） ? DS18B20的初始化 （ 1） 先將數(shù)據(jù)線置高電平“ 1” 。 （ 2） 延時(shí)（該時(shí)間要求的不是很嚴(yán)格，但是盡可能的短一點(diǎn)） （ 3） 數(shù)據(jù)線拉到低電平“ 0” 。 （ 4） 延時(shí) 750微秒（該時(shí)間的時(shí)間范圍可以從 480到 960微秒）。 （ 5） 數(shù)據(jù)線拉到高電平“ 1” 。 （ 6） 延時(shí)等待（如果 初始化成功 則在 15到 60毫秒時(shí)間之內(nèi)產(chǎn)生一個(gè)由DS18B20所返回的低電平“ 0” 。據(jù)該狀態(tài)可以來 確定它的存在 ，但是應(yīng)注意不能無限的進(jìn)行等待，不然會(huì)使程序進(jìn)入死循環(huán)，所以要進(jìn)行超時(shí)控制）。 （ 7） 若單片機(jī)讀到了數(shù)據(jù)線上的低電平“ 0” 后，還要做延時(shí)，其延時(shí)的時(shí)間從發(fā)出的高電平算起（第（ 5）步的時(shí)間算起）最少要 480微秒。 （ 8） 將數(shù)據(jù)線再次拉高到高電平“ 1” 后結(jié)束。 ? unsigned char presence。 ? init_ds18b02(void) //DS18B20初始化 ? { ? DQ=1。delay_8us(3)。 //延時(shí)約 25微秒 ? DQ=0。 delay_8us(80)。 //延時(shí)約 650微秒 ? ? DQ=1。 delay_8us(2)。 ? presence = DQ。 ? delay_8us(20)。 //延時(shí)約 170微秒 ? ? DQ = 1。 return(presence)。 ? } ?DS18B20的寫操作 （ 1） 數(shù)據(jù)線先置低電平“ 0” 。 （ 2） 延時(shí)確定的時(shí)間為 15微秒，表示寫周期開始。 （ 3） 按從低位到高位的順序發(fā)送字節(jié)（一次只發(fā)送一位）。 （ 4） 延時(shí)時(shí)間為 45微秒。 （ 5） 將數(shù)據(jù)線拉到高電平。 （ 6） 重復(fù)上（ 1）到（ 6）的操作直到所有的字節(jié)全部發(fā)送完為止。 （ 7） 最后將數(shù)據(jù)線拉高。 若主機(jī)想寫 0，則拉低電平最少 60微秒直至寫周期結(jié)束，然后釋放總線為高電平。 若主機(jī)想寫 1，在一開始拉低總線電平 1微秒后就釋放總線為高電平，一直到寫周期結(jié)束。 2. 寫時(shí)序 ? void write_byte(unsigned char dat) //單片機(jī)向 DS18B20寫 入一個(gè)字節(jié)數(shù)據(jù)，先低后高 ? { ? unsigned char i。 ? for(i=0。i8。i++) ? { ? DQ=0。 ? DQ=dat0x01。 //單片機(jī)逐位發(fā)出數(shù)據(jù)給 DS18B20 ? delay_8us(4)。 //延時(shí)約 52微秒，給 DS18B20采樣 ? DQ=1。 ? dat=1。 ? } ? } 完成一個(gè)讀時(shí)序過程，至少需要 60us才能完成 DS18B20的讀操作 （ 1）將數(shù)據(jù)線拉高“ 1”。 （ 2）延時(shí) 2微秒。 （ 3）將數(shù)據(jù)線拉低“ 0”。 （ 4）延時(shí) 15微秒。 （ 5）將數(shù)據(jù)線拉高“ 1”。 （ 6）延時(shí) 15微秒，對(duì)總線進(jìn)行采樣檢測(cè)。 （ 7）讀數(shù)據(jù)線的狀態(tài)得到 1個(gè)狀態(tài)位，并進(jìn)行數(shù)據(jù)處理。 （ 8）延時(shí) 30微秒。 ? unsigned char read_byte(void) //單片機(jī)從 DS18B20讀出一個(gè)字節(jié)數(shù)據(jù) ? { ? unsigned char i,dat。 ? for(i=0。i8。i++) ? { ? DQ=0。 ? dat=1。 //一舉兩得 ? DQ=1。 ? if(DQ) //存儲(chǔ)采樣到的值 ? dat|=0x80。 ? delay_8us(4)。 ? } ? return dat。 ? } 例：設(shè)計(jì)溫度計(jì)， 4位顯示， 1位小數(shù)點(diǎn)。 ?程序流程 初始化 DS18B20 跳過 ROM匹配 開始溫度轉(zhuǎn)換 轉(zhuǎn)換結(jié)束了否？ 初始化 DS18B20 跳過 ROM匹配 讀溫度值 結(jié)束 開始 Y N ? DS18B20 ? ROM的操作（ CCH）命令 ?（ 44H）命令 ? ? DS18B20 ? ROM的操作（ CCH）命令 ?（ BEH）命令 ?（兩個(gè)字節(jié)）讀出保存起來 ?，送數(shù)碼管顯示 ?每個(gè)步驟具體化： ? DS18B20
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