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正文內(nèi)容

dlte室內(nèi)分布建設(shè)原則(編輯修改稿)

2024-09-18 21:30 本頁(yè)面
 

【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 1000W。主干上采用常規(guī)器件,容易造成主干功率容量過(guò)大、器件長(zhǎng)期處于超負(fù)荷狀態(tài),容易導(dǎo)致干路器件燒壞、影響室分覆蓋質(zhì)量。 ? 建議:在主干前 3級(jí)上的耦合器、功分器進(jìn)行替換,采用高性能的無(wú)源器件。 TDLTE室分建設(shè)合路方案 ?TDLTE建設(shè)方案 單 /雙通道合路對(duì)原有室分天饋影響: ? 合路器: LTE合路時(shí),對(duì)合路器對(duì)多系統(tǒng)間雜散、阻塞、共存隔離度等指標(biāo)較高。合路器隔離度最低要求為 87dB,而原有室分系統(tǒng)合路器基本在 7780,無(wú)法滿(mǎn)足合路器隔離度要求。 ? 建議:對(duì)合路器進(jìn)行替換,采用支持 TDSCDMA E頻段( 2320Mhz2370Mhz)的高性能合路器。 TDLTE室分建設(shè)合路方案 ?TDLTE建設(shè)方案 雙通道合路對(duì)原有室分天饋影響: ? TDLTE對(duì)原有系統(tǒng)干擾: LTE雙通道合路時(shí),引進(jìn)了新的一組頻率,對(duì)原有系統(tǒng)會(huì)產(chǎn)生干擾; ? 建議: GSM、 DCS與 TDLTE( E頻段)與其中一條通路合路; TDF、 TDA與 TDLTE( E頻
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