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正文內(nèi)容

高頻小信號調(diào)諧放大器(編輯修改稿)

2024-09-14 17:19 本頁面
 

【文章內(nèi)容簡介】 MHz雙蹤模擬示波器 一臺 頻譜儀(選項) 一臺 萬用表 一臺三、實驗原理與線路實驗原理所謂調(diào)頻,就是用調(diào)制信號去控制載波(高頻振蕩)的瞬時頻率,使其按調(diào)制信息的規(guī)律變化。設調(diào)制信號:vΩ(t)=VΩmcosΩt載波vC(t)=VCmcos(ωCt+φ)。 根據(jù)定義,調(diào)頻時載波的瞬時頻率隨調(diào)制信號線性變化,載波頻率的變化為Δω(t)=kfvΩ(t)=kfVΩmcosΩt=ΔωmcosΩt調(diào)頻信號的表示可以寫成vFM(t)=Vm0cos(ωCt+mfsinΩt+φ0) 式中:△ω=KfVΩ是調(diào)頻波瞬時頻率的最大偏移,簡稱頻偏,它與調(diào)制信號的振幅成正比。比例常數(shù)Kf亦稱調(diào)制靈敏度,代表單位調(diào)制電壓所產(chǎn)生的頻偏。mf=KfVΩ/Ω=△ω/Ω=△f / F 稱為調(diào)頻指數(shù),是調(diào)頻瞬時相位的最大偏移,它的大小反映了調(diào)制深度。振蕩器產(chǎn)生調(diào)頻信號最常用的方法是利用變?nèi)荻O管的特性直接產(chǎn)生調(diào)頻波。由于變?nèi)荻O管Cj的電容值隨外加電壓vΩ的變化而變化,因此振蕩器輸出信號vo的頻率也隨著vΩ的幅值變化,實現(xiàn)調(diào)頻。變?nèi)荻O管Cj通過耦合電容C1并接在LCN回路的兩端,形成振蕩回路總電容的一部分。如C1取值較大,振蕩回路的總電容C=CN+Cj振蕩頻率為:加在變?nèi)荻O管上的反向偏壓為:VR=VQ(直流反偏)+υΩ(調(diào)制電壓)+υ0(高頻振蕩,可忽略)變?nèi)荻O管利用PN結的結電容制成,在反偏電壓作用下呈現(xiàn)一定的結電容(勢壘電容),而且這個結電容能靈敏地隨著反偏電壓在一定范圍內(nèi)變化,其關系曲線稱Cj~υR曲線。 變?nèi)莨芙Y電容隨外加電壓的變化曲線由圖可見:未加調(diào)制電壓時,直流反偏VQ所對應的結電容為CjΩ。當反偏增加時,Cj減小;反偏減小時,Cj增大,其變化具有一定的非線性,當調(diào)制電壓較小時,近似為工作在Cj~υR曲線的線性段,Cj將隨調(diào)制電壓線性變化,當調(diào)制電壓較大時,曲線的非線性不可忽略,它將給調(diào)頻帶來一定的非線性失真。設未調(diào)制時的載波頻率為f0,C0為調(diào)制信號為0時的回路總電容,Cm是變?nèi)荻O管結電容變化的最大幅值,則頻偏振蕩器振蕩頻率由此可見:振蕩頻率隨調(diào)制電壓線性變化,從而實現(xiàn)了調(diào)頻。其頻偏△f與回路的中心頻率f0成正比,與結電容變化的最大值Cm成正比,與回路的總電容C0成反比。為了減小高頻電壓對變?nèi)荻O管的作用,減小中心頻率的漂移,(與Cj同數(shù)量級),形成部分接入式變?nèi)荻O管調(diào)頻電路。對部分接入式變?nèi)荻O管調(diào)頻電路進行理論分析可得到其頻偏公式:式中為接入系數(shù)。關于直流反偏工作點電壓的選取,可由變?nèi)荻O管的Cj~υR曲線決定。從曲線中可見,對不同的υR值,其曲線得斜率(跨導)SC=△Cj /△υ各不相同。υR較小時,SC較大,產(chǎn)生得頻偏也大,但非線性失真嚴重,故調(diào)制電壓不宜過大。反之,υR較大時,SC較小,達不到所需頻偏的要求,所以VQ一般先選在Cj~υR曲線線性較好,且SC較大區(qū)段的中間位置,一般取手冊上給的反偏數(shù)值。本實驗將具體測出實驗電路上的變?nèi)荻O管的Cj~υR曲線,并由同學們自己選定VQ值,測量其頻偏△f的大小?!訰曲線的測量。設CJX為變?nèi)荻O管加不同反偏υRX時的結電容,其對應的振蕩頻率為fX;若斷開變?nèi)荻O管,由CN、L組成的并聯(lián)諧振電路,對應的振蕩頻率為fN,則它們分別為:由上面兩式可求得 (1)fX、fN易測量,只要知道CN,就可測得變?nèi)荻O管Cj~υR曲線。CN的測試方法如下:斷開變?nèi)荻O管,將一已知電容CK并接在回路LCN兩端,此時對應的頻率為fK,有根據(jù)fN可得: (2)單位調(diào)制電壓所引起的頻偏稱為調(diào)制靈敏度,以Sf表示,單位為KHz/V,即式中,uΩm為調(diào)制信號的幅度(峰值)。Sf越大,調(diào)制信號的控制作用越強,產(chǎn)生的頻偏越大。使用+12V供電,振蕩器Q81使用3DG12C,變?nèi)莨苁褂肐T32,Q82為隔離緩沖級。主要技術指標:主振頻率f0=,最大頻偏△fm=177。20KHz 本實驗中,由R8R8W8R83組成變?nèi)荻O管的直流偏壓電路。C8C8C812組成變?nèi)荻O管的不同接入系數(shù)。TPI81為調(diào)制信號輸入端,由L8C8C8C8C85和振蕩管組成LC調(diào)制電路。三、實驗內(nèi)容 LC調(diào)頻電路實驗1) 連接J8J84組成LC調(diào)頻電路。2) 接通電源調(diào)節(jié)W81,在變?nèi)荻O管D81負端用萬用表測量電壓(即D81右邊焊點電位)。3) 用示波器在TPO82處觀察振蕩波形,調(diào)節(jié)W82使輸出信號幅值最大。用頻率計測頻率,用無感起子調(diào)節(jié)L84。4) 從TPI81處輸入1KHz的正弦信號作為調(diào)制信號(信號由低頻信號源提供,參考低頻信號源的使用。信號大小由零慢慢增大,用示波器在TPO82處觀察振蕩波形變化,如果有頻譜儀則可以用頻譜儀觀察調(diào)制頻偏),此時能觀測到一條正弦?guī)?。如果用方波調(diào)制則在示波器上可看到兩條正弦波,這兩條正弦波之間的相差隨調(diào)制信號大小而變。5) 分別接J8J83重做實驗4。6) (選做)測繪變?nèi)荻O管的CjX~VRX曲線。斷開J8J83,連接J82,斷開TPI81的輸入信號,使電路為LC自由振蕩狀態(tài)。(1)斷開變?nèi)荻O管Cj(即斷開J84),用頻率計在TPO82處測量頻率fN= (2)斷開Cj,接上已知CK(即連通J85, CK=C86=10p),在TPO82處測量頻率fK,由式(2)計算出CN值,填入下表中。fNCK10pfKCN (3)斷開CK(即斷開J85),接上變?nèi)荻O管(即連接J84),調(diào)節(jié)W81,測量不同反偏VRX值時,對應的頻率fX值,代入式(1)計算CjX值,填入下表中。VRX(伏)fX(MHz)105803001057881710580363105815921059364110593623CjX(PF) (4)作CjX~VRX曲線。 (5)作fX~VRX曲線。7) 用頻譜儀觀察調(diào)頻信號(應接入變?nèi)荻O管,即連J84,斷開J85),記下不同的VΩ對應的不同的△f,計算調(diào)制靈敏度的值。(如果沒有頻譜儀則此項不作要求)。 8) 觀察頻偏與接入系數(shù)
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