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正文內(nèi)容

單片機(jī)項(xiàng)目實(shí)踐教程劉燎原-項(xiàng)目六數(shù)字溫度計(jì)(編輯修改稿)

2024-09-10 11:02 本頁面
 

【文章內(nèi)容簡介】 發(fā)對(duì) ROM操作命令; ? 發(fā)對(duì) RAM操作命令: ? 相應(yīng)操作。 1. ROM操作命令 ? 2. RAM操作命令 DS18B20 的 RAM指令集 DS18B20進(jìn)行一次溫度的轉(zhuǎn)換,那具體的操作就是: (1)、初始化 18B20 (主機(jī)作 復(fù)位 操作 ) (2)、發(fā)對(duì) ROM操作命令 (主機(jī)寫 跳過 ROM的操作( CCH) 命令 ) (3)、發(fā)對(duì) RAM操作命令 (主機(jī)寫 轉(zhuǎn)換溫度的操作( 44H)命令 ) 后面釋放總線至少一秒,讓 DS18B20完成轉(zhuǎn)換的操作。 整個(gè)操作的總線狀態(tài)如下圖。 RAM內(nèi)的溫度數(shù)據(jù)流程 具體的操作就是: (1)、初始化 18B20 (主機(jī)作 復(fù)位 操作 ) (2)、發(fā)對(duì) ROM操作命令 (主機(jī)寫 跳過 ROM的操作( CCH) 命令 ) (3)、發(fā)對(duì) RAM操作命令 (主機(jī)寫 讀取 RAM的操作( BEH)命令 ) (4)、隨后主機(jī)依次讀取 DS18B20發(fā)出的從第 0一第 8,共九個(gè)字節(jié)的數(shù)據(jù)。 如果 只想讀取溫度 數(shù)據(jù),那在讀完第 0和第 1個(gè)數(shù)據(jù) 后就不再理會(huì)后面DS18B20發(fā)出的數(shù)據(jù)即可。同樣讀取數(shù)據(jù)也是低位在前的。 整個(gè)操作的總線狀態(tài)如下圖: 初始化 DS18B20 跳過 ROM匹配 開始溫度轉(zhuǎn)換 轉(zhuǎn)換結(jié)束了否? 初始化 DS18B20 跳過 ROM匹配 讀溫度值 結(jié)束 開始 Y N DS18B20溫度測量操作流程 ? DS18B20 ? ROM的操作( CCH)命令 ?( 44H)命令 ? ? DS18B20 ? ROM的操作( CCH)命令 ?( BEH)命令 ?(兩個(gè)字節(jié))從 RAM中讀出,保存起來 ?,送數(shù)碼管顯示 在以上流程中,反復(fù)用到初始化、寫、讀時(shí)序,我們先編程對(duì)應(yīng)程序 ?五、 DS18B20的基本操作 在以上的工作流程中,首先要初始化 18B20,然后發(fā)各種命令以及數(shù)據(jù)傳輸都涉及到對(duì) DS18B20的讀寫操作,所以共涉及到以下 3個(gè)工作時(shí)序: (發(fā)命令) (讀溫度) ? DS18B20的初始化 ( 1) 先將數(shù)據(jù)線置高電平“ 1” 。 ( 2) 延時(shí)(該時(shí)間要求的不是很嚴(yán)格,但是盡可能的短一點(diǎn)) ( 3) 數(shù)據(jù)線拉到低電平“ 0” 。 ( 4) 延時(shí) 750微秒(該時(shí)間的時(shí)間范圍可以從 480到 960微秒)。 ( 5) 數(shù)據(jù)線拉到高電平“ 1” 。 ( 6) 延時(shí)等待(如果 初始化成功 則在 15到 60毫秒時(shí)間之內(nèi)產(chǎn)生一個(gè)由DS18B20所返回的低電平“ 0” 。據(jù)該狀態(tài)可以來 確定它的存在 ,但是應(yīng)注意不能無限的進(jìn)行等待,不然會(huì)使程序進(jìn)入死循環(huán),所以要進(jìn)行超時(shí)控制)。 ( 7) 若單片機(jī)讀到了數(shù)據(jù)線上的低電平“ 0” 后,還要做延時(shí),其延時(shí)的時(shí)間從發(fā)出的高電平算起(第( 5)步的時(shí)間算起)最少要 480微秒。 ( 8) 將數(shù)據(jù)線再次拉高到高電平“ 1” 后結(jié)束。 ? unsigned char presence。 ? init_ds18b02(void) //DS18B20初始化 ? { ? DQ=1。delay_8us(3)。 //延時(shí)約 25微秒 ? DQ=0。 delay_8us(80)。 //延時(shí)約 650微秒 ? ? DQ=1。 delay_8us(2)。 ? presence = DQ。 ? delay_8us(20)。 //延時(shí)約 170微秒 ? ? DQ = 1。 return(presence)。 ? } ?DS18B20的寫操作 ( 1) 數(shù)據(jù)線先置低電平“ 0” 。 ( 2) 延時(shí)確定的時(shí)間為 15微秒,表示寫周期開始。 ( 3) 按從低位到高位的順序發(fā)送字節(jié)(一次只發(fā)送一位)。 ( 4) 延時(shí)時(shí)間為 45微秒。 ( 5) 將數(shù)據(jù)線拉到高電平。 ( 6) 重復(fù)上( 1)到( 6)的操作直到所有的字節(jié)全部發(fā)送完為止。 ( 7) 最后將數(shù)據(jù)線拉高。 若主機(jī)想寫 0,則拉低電平最少 60微秒直至寫周期結(jié)束,然后釋放總線為高電平。 若主機(jī)想寫 1,在一開始拉低總線電平 1微秒后就釋放總線為高電平,一直到寫周期結(jié)束。 2. 寫時(shí)序 ? void write_byte(unsigned char dat)
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