電源基本拓撲結構(編輯修改稿)
2024-09-01 10:22 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 中都傳輸功率?！鋈ㄍ負浣Y構,所以輸出紋波頻率是變壓器頻率的兩倍?！鍪┘釉贔ET上的電壓是輸入電壓的兩倍。HalfBridge半橋特點■較高功率變換器極為常用的拓撲結構?！鲩_關（FET）的驅(qū)動不同相，進行脈沖寬度調(diào)制（PWM）以調(diào)節(jié)輸出電壓?！隽己玫淖儔浩鞔判纠寐试趦蓚€半周期中都傳輸功率。而且初級繞組的利用率優(yōu)于推挽電路。■全波拓撲結構,所以輸出紋波頻率是變壓器頻率的兩倍。■施加在FET上的電壓與輸入電壓相等。FullBridge全橋特點■較高功率變換器最為常用的拓撲結構?！鲩_關（FET）以對角對的形式驅(qū)動，進行脈沖寬度調(diào)制（PWM）以調(diào)節(jié)輸出電壓?！隽己玫淖儔浩鞔判纠寐试趦蓚€半周期中都傳輸功率■全波拓撲結構，所以輸出紋波頻率是變壓器頻率的兩倍?！鍪┘釉贔ETs上的電壓與輸入電壓相等?！鲈诮o定的功率下，初級電流是半橋的一半。1SEPIC單端初級電感變換器特點■輸出電壓可以大于或小于輸入電壓?！雠c升壓電路一樣，輸入電流平滑，但是輸出電流不連續(xù)?！瞿芰客ㄟ^電容從輸入傳輸至輸出。■需要兩個電感。1C’uk(SlobodanC’uk的專利)特點■輸出反相■輸出電壓的幅度可以大于或小于輸入?！鲚斎腚娏骱洼?
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