【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 選（ C ）。 序 號(hào)ICEO /A.200200B.150150C.501054. 單 管 放 大 電 路 的 靜 態(tài) 基 極 電 流 IB 適 當(dāng) 增 加 時(shí)， 晶 體 管 的 輸 入 電 阻 rbe 將（ A ）。A. 減 小 B. 增 加 C. 不 變55. 低 頻 小 功 率 晶 體 管 的 輸 入 電 阻 rbe 等 于（ B ）。A. B. C. 計(jì) 算 低 頻 小 功 率 晶 體 管 輸 入 電 阻 rbe 時(shí)， 有 三 位 同 學(xué) 用 了 三 種 方 法， 而 且 計(jì) 算 結(jié) 果 差 別 很 大， 請(qǐng) 指 出 正 確 的 表 達(dá) 式 是 （ C ）。A. rbe = B. rbe = C. rbe = 300＋ 體 管 共 發(fā) 射 極 輸 出 特 性 常 用 一 族 曲 線 表 示， 其 中 每 一 條 曲 線 對(duì) 應(yīng) 一 個(gè) 特 定（ C）。A. IC B. UCE C. IB D. IE58. 所 謂 晶 體 管 輸 出 特 性 曲 線 中 的 線 性 區(qū) 域 是 指（ A ）。A. 放 大 區(qū) B. 飽 和 區(qū) C. 截 止 區(qū). 測(cè) 得 某 晶 體 管 三 個(gè) 極 的 電 位 如 圖 所 示， 則 該 管 工 作 在（ A ）。A. 放 大 區(qū) B. 飽 和 區(qū) C. 截 止 區(qū) 59. 如 果 接 在 電 路 中 某 晶 體 管 的 基 極 與 發(fā) 射 極 短 路， 則（ B ）。A. 管 子 深 度 飽 和 B. 管 子 截 止 子 工 作 在 放 大 狀 態(tài)某 一 正 常 工 作 的 共 發(fā) 射 極 接 法 的 單 管 交 流 放 大 電 路， 若 不 適 當(dāng) 地 增 大 集 電 極 電 阻 RC， 其 后 果 為（ C ）。A. 晶 體 管 截 止 而 無(wú) 放 大 作 用B. 偏 流 IB 過(guò) 小 而 無(wú) 法 正 常 工 作C. 晶 體 管 飽 和 而 失 去 放 大 作 用 據(jù) 圖 中 已 標(biāo) 出 各 晶 體 管 電 極 的 電 位， 判 斷 處 于 飽 和 狀 態(tài) 的 晶 體 管 是 （ C ）。 A. B. C. 中 已 標(biāo) 出 各 硅 晶 體 管 電 極 的 電 位， 判 斷 處 于 截 止 狀 態(tài) 的 晶 體 管 是（ D ）。1V3V3V0V0.5V0.7V10V4V9.7V5.3V6V2.3V(a)(b)(c)(d) A. B. C. D.62. 工 作 在 飽 和 狀 態(tài) 的PNP 型 晶 體 管， 其 三 個(gè) 極 的 電 位 應(yīng) 為（ A ）。A. VE VB，VC VB，VE VCB. VE VB，VC VB，VE VCC. VB VE，VB VC，VE VC 得 某 一 PNP 硅 管 三 個(gè) 極 的 電 位 是：VB = ，VE = ，VC = 7V， 則 該 管 工 作 在（ A ）。A. 線 性 放 大 狀 態(tài) B. 飽 和 工 作 狀 態(tài) C. 截 止 工 作 狀 態(tài) 工 作 在 放 大 狀 態(tài) 的 晶 體 管，測(cè) 出 其 三 個(gè) 極 X，Y，Z的 電 位 分 別 為：VX = 9V，VY = ，VZ = 4V， 則（ C ）。A. X 為 基 極，Y 為 集 電 極，Z 為 發(fā) 射 極B. X 為 發(fā) 射 極，Y 為 基 極，Z 為 集 電 極C. X 為 集 電 極，Z 為 基 極，Y 為 發(fā) 射 極 直 流 電 壓 表 測(cè) 得 工 作 在 放 大 區(qū) 的 某 晶 體 管 三 個(gè) 極 1，2，3 的 電 位 分 別 為：V1 = 2V， V2= 6V，V3= ， 則（ B ）。A. 1 為 發(fā) 射 極 E，2 為 基 極 B，3 為 集 電 極 CB. 1 為 發(fā) 射 極 E，2 為 集 電 極 C，3 為 基 極 BC. 1 為 基 極 B，2 為 發(fā) 射 極 E，3 為 集 電 極 C 66. 電 路 如 圖 所 示， 晶 體 管 處 于（ A ）。A. 飽 和 狀 態(tài) B. 放 大 狀 態(tài) C. 截 止 狀 態(tài) 路 如 圖 所 示， 晶 體 管 T 的 電 流 放 大 系 數(shù) =50，RB =300 k，RE =3 k， 晶 體 管 T 處 于（ A ）。A. 放 大 狀 態(tài) B. 截 止 狀 態(tài) C. 飽 和 狀 態(tài) 68. 電 路 如 圖 所 示， 靜 態(tài) 時(shí) 晶 體 管 處 于（ C ）。A. 飽 和 狀 態(tài) B. 放 大 狀 態(tài) C. 截 止 狀 態(tài) 69. 電 路 如 圖 所 示， 已 知 uI = 3V，則 晶 體 管 T 此 時(shí) 工 作 在 ( B )。A. 放 大 狀 態(tài) B. 截 止 狀 態(tài) C. 飽 和 狀 態(tài) 70. 電 路 如 圖 所 示，晶 體 管 UBE = V ， = 50，則 晶 體 管 工 作 在（ B ）。A. 放 大 區(qū) B. 飽 和 區(qū) C. 截 止 區(qū) 71. 電 路 如 圖 所 示， 晶 體 管 工 作 在 （ A ）。A. 截 止 狀 態(tài) B. 放 大 狀 態(tài) C. 飽 和 狀 態(tài) 電 路 如 圖 所 示，晶 體 管 集 電 極 接 有 電 阻 RC， 根 據(jù) 圖 中 的 數(shù) 據(jù) 判 斷 該 管 處 在 ( B )。A. 截 止 狀 態(tài) B. 放 大 狀 態(tài) C. 飽 和 狀 態(tài)，所謂開環(huán)是指 B 。 A．無(wú)信號(hào)源 B．無(wú)反饋通路 C．無(wú)電源 D．無(wú)負(fù)載 B 。 A．考慮信號(hào)源內(nèi)阻 B．存在反饋通路 C．接入電源 D．接入負(fù)載，若引入反饋后 D ，則說(shuō)明引入的反饋是負(fù)反饋。 A．輸入電阻增大 B．輸出量增大 C．凈輸入量增大 D．凈輸入量減小 C 。 A．直接耦合放大電路中所引入的負(fù)反饋 B．只有放大直流信號(hào)時(shí)才有的負(fù)反饋 C．在直流通路中的負(fù)反饋 C 。 A．阻容耦合放大電路中所引入的負(fù)反饋 B．只有放大交流信號(hào)時(shí)才有的負(fù)反饋 C．在交流通路中的負(fù)反饋78. 選擇合適答案填入空內(nèi)。 A．電壓 B．電流 C．串聯(lián) D．并聯(lián) （1）為了穩(wěn)定放大電路的輸出電壓，應(yīng)引入 A 負(fù)反饋； （2）為了穩(wěn)定放大電路的輸出電流，應(yīng)引入 B 負(fù)反饋； （3）為了增大放大電路的輸入電阻，應(yīng)引入 C