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正文內(nèi)容

boost電路設(shè)計(jì)-張凱強(qiáng)(編輯修改稿)

2024-08-31 23:15 本頁(yè)面
 

【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 已知參數(shù):輸入電壓:48V V1輸出電壓:72V V2輸出電流:1A Io設(shè)定工作頻率f:50KHz 1)QDL1和C1元件的選?。簽樘岣咿D(zhuǎn)換效率需:,使電能盡可能多的轉(zhuǎn)化為磁能;,使磁能盡可能多的轉(zhuǎn)化為電能,同時(shí)回路的損耗最低;,因?yàn)閷?duì)于轉(zhuǎn)換來(lái)說(shuō),控制電路的消耗某種意義上是浪費(fèi)掉的,不能轉(zhuǎn)化為負(fù)載上的能量所以在仿真時(shí)選取的D1,Q1都為理想管,無(wú)電阻和導(dǎo)通壓降計(jì)算(1)占空比(由伏秒平衡原理得):(2)負(fù)載電阻R: (3)電感L:(4)電容C:2)、編寫仿真文件,給出仿真結(jié)果:,如圖:(1)電路各節(jié)點(diǎn)電壓、支路流圖仿真結(jié)果;電壓圖:電流圖:(2)V2與IO的相圖(即V2為X坐標(biāo);IO為Y坐標(biāo)),這里相圖在此軟件上不能調(diào)出,所以只能V2t,IOt放在一起對(duì)比:(3)對(duì)V2與IO進(jìn)行紋波分析;通過MOS管的通斷,和電感的對(duì)電流的作用,電壓V2產(chǎn)生鋸齒紋波,而二極管的通斷是由占空比控制的,所以其為占空比為2/3的方波.(4)改變R1,觀察V2與IO的相圖變化。R1=2
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