電子技術(shù)課程設(shè)計報告指導(dǎo)書模板(編輯修改稿)
2025-08-30 06:06 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 則對硅管和鍺管是不同的，這是因?yàn)殒N管的ICBO隨溫度變化大，將會影響基極電位的穩(wěn)定，因此IR取值一般比較大。對硅管來說ICBO很小，因此IR的值可取得小些。本電路T2選用的是硅管，故取IR=5IBQ則：由圖4知：?。篟7=；R6=93kΩ。（6）確定T1的靜態(tài)工作點(diǎn)ICQ1；VCEQ因?yàn)榈谝患壥欠糯笃鞯妮斎爰墸漭斎胄盘柋容^小，放大后的輸出電壓也不大。所以對于第一級，失真度和輸出幅度的要求比較容易實(shí)現(xiàn)。主要應(yīng)考慮如何減小噪聲，因輸入級的噪聲將隨信號一起被逐級放大，對整機(jī)的噪聲指標(biāo)影響極大。晶體管的噪聲大小與工作點(diǎn)的選取有很大的關(guān)系，減小靜態(tài)電流對降低噪聲是有利的，但對提高放大倍數(shù)不利。所以靜態(tài)電流不能太小。在工程計算中，一般對小信號電路的輸入級都不詳細(xì)計算，而是憑經(jīng)驗(yàn)直接選?。? ICQ1=~1mA 鍺管 ICQ1=~2mA 硅管 VCEQ=（2~3）V如果輸入信號較大或輸出幅度較大時不能用此方法，而應(yīng)該具體計算。計算方法與計算第二級的方法相同。（7）確定T1管的集電極電阻R3，發(fā)射級電阻RR5：由圖五知： 取：VE1=3V；VCEQ1=3V；ICQ1=則：?。篟3=12kΩ?。篟4= kΩ；R5=(8)選擇T1管選取原則與T2相同：BVCE0＞Ec=12V； ICM＞； PCM＞，根據(jù)現(xiàn)有條件選用S9011，實(shí)測β1=100。（9）T1管基極電阻的選取?。篒R=10IBQ，VE1=3V由圖六知；?。篟1=408kΩ；R2=72kΩ（10）耦合電容和旁路電容的選取各級耦合電容及旁路電容應(yīng)根據(jù)放大器的下限頻率f1決定。這些電容的容量越大，則放大器的低頻響應(yīng)越好。但容量越大電容漏電越大，這將造成電路工作不
高考資料相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1