光電檢測技術與應用(題(編輯修改稿)
2024-12-16 18:35 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 ， 然后加熱生成 N 型硒化鎘，與原來 P 型硒形成一個 大面積 PN 結，然后涂上半透明保護層，焊上電極，鋁片為正極，硒化鎘為負極。 適用波長 ~∕μ m。 在實際應用中，由于硒光電池的光譜響應曲線與 V（λ）很相似，很適合做光度測量的檢測量。 硅光電池結構： 它是用單晶硅組成的，在一塊 N 型硅片上擴散 P 型雜質(zhì)（如硼），形成一個擴散 P+N 結；或在 P 型硅片擴散 N 型雜質(zhì)（如磷），形成 N+P 結；再焊上兩個電極。 P 端為光電池正極， N 端為光電池負極，作光電檢測器在地面技術上使用的最多為 P+N 型。適用波長 — ∕μ m 在實際應用中，把硅光電池單體經(jīng)串聯(lián)、并聯(lián)組成電池組， 與鎳鎘蓄電池配合，可作為衛(wèi)星、微波站、野外燈塔、航標燈和無人氣象站等無輸電線路地區(qū)的電源供給。 第 光電導效應：在物質(zhì)受到輻射光的照射后，材料的電學性質(zhì)發(fā)生了變化（電導率改變、發(fā)射電子、產(chǎn)生感應電動勢等）的現(xiàn)象稱為光電效應。 外光電效應：是指受到光輻射的作用后，產(chǎn)生電子發(fā)射的現(xiàn)象。 內(nèi)光電效應：是指受到光照射的物質(zhì)內(nèi)部電子能量狀態(tài)產(chǎn)生變化，但不存在表面發(fā)射電子的現(xiàn)象。 光電導效應：半導體受光照后，內(nèi)部產(chǎn)生光生載流子，使半導體中載流子顯著增加而電阻減小的現(xiàn)象。 光生伏特效應：光照在半導體 PN 結或金屬半導體接 觸面上時，會在 PN 結或金屬半導體接觸的兩側(cè)產(chǎn)生光電動勢。 本征光電導效應：只有光子能量 m 大于材料禁帶寬度 Eq 的入射光，才能激發(fā)出電子空穴對，使材料產(chǎn)生光電導效應現(xiàn)象 光熱效應：某些物質(zhì)受到光照后，由于溫度變化而造成材料性質(zhì)發(fā)生變化的現(xiàn)象 溫差電效應：由兩種材料制成的結點出現(xiàn)溫差而在兩結點 間產(chǎn)生電動勢回路產(chǎn)生電流 雜質(zhì)光電導效應：是指雜質(zhì)半導體中的施主或者受主吸收光子能量后電離，產(chǎn)生自由電子或空穴，從而增加材料電導率的現(xiàn)象 第 兩種高速的光電二極管的結構特點，原理 答： APD：在光照時，
法律信息相關推薦
鄂ICP備17016276號-1