正激電路設計報告(編輯修改稿)
2025-08-22 02:43 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 tation circuit。 The matlab simulation 目 錄摘 要 IABSTRACT II第一章 設計任務 1第二章 設計方案 2 電路原理 2 任務分析 3第三章 仿真與調(diào)試 4 MOSFET簡介 4 matlab簡介 5 電路仿真 5總結與建議 12參考文獻 1313第一章 設計任務根據(jù)要求本次的設計任務任務為：MOSFET 正激電路設計（純電阻負載）設計條件：輸入直流電壓：Ud=50V輸出功率：300W開關頻率 5KHz占空比 10%~50%輸出電壓脈率：小于 10% 第二章 設計方案 電路原理正激變換器就是直流變換器 buck 中間加了高頻環(huán)節(jié)變壓器。其模型為 mosfet正激電路帶純負載原理圖電路的工作過程為：開關S開通后，變壓器繞組NP兩端電壓為上正下負，與其耦合的繞組NS也為上正下負。故此D1導通D2斷開，電感L的電流逐漸增長；S斷開后，勵磁電流經(jīng)繞組回流。其工作的波形圖如圖所示 正激電路工作波形 任務分析由課程設計任務要求，所以采用50V直流電源；，所以要調(diào)節(jié)輸出電壓；；。變壓器上的參數(shù)調(diào)節(jié)為其中為輸入電壓。輸出端的電感L端電壓為流過電感L的電流為由上式可計算出輸出電壓，故而在設置純電阻負載后即可計算輸出功率。 第三章 仿真與調(diào)試 MOSFET簡介 MOSFET的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導體），F(xiàn)ET（Field Effect Transistor場效應晶體管），即以金屬層（M）的柵極隔著氧化層（O）利用電場的效應來控制半導體（S）的場效應晶體管?！?
語文相關推薦
鄂ICP備17016276號-1