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正文內(nèi)容

基于gsm溫度監(jiān)測(cè)系統(tǒng)的研制(編輯修改稿)

2024-12-14 22:09 本頁(yè)面
 

【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 。使用可靠。它只需直 流電源就能工作,而且,無(wú)需進(jìn)行線性校正,所以使用也非常方便,借口也很簡(jiǎn)單。作為電流輸出型傳感器的一個(gè)特點(diǎn)是,和電壓輸出型相比,它有很強(qiáng)的抗外界干擾能力。 AD590 的測(cè)量信號(hào)可遠(yuǎn)傳百余米。 方案三:采用 DS18B20。 DS18B20 采用獨(dú)特的單線接口方式, DS18B20 在與微處理器連接時(shí)僅需要一條口線即可實(shí)現(xiàn)微處理器與 DS18B20 的雙向通訊;在使用中不需要任何外圍元件,全部傳感元件及轉(zhuǎn)換電路集成在形如一只三極管的集成電路內(nèi),故電路比較簡(jiǎn)單;它的測(cè)溫范圍在 55℃~ +125℃之間,在一 10℃ ~十 85℃時(shí)精 度為士 ℃。 綜合比較,方案一、二電路復(fù)雜,調(diào)試復(fù)雜,不容易得出正確的溫度值;方案三電路簡(jiǎn)單而且容易調(diào)試,易得出正確的溫度。同時(shí),系統(tǒng)要求的測(cè)溫時(shí)間間隔 1~10ms左右,可以彌補(bǔ) DS18B20 測(cè)溫時(shí)間比較長(zhǎng)的缺點(diǎn)。所以經(jīng)過(guò)以上分析選擇方案三作為本系統(tǒng)的測(cè)溫模塊比較合理。 GSM 無(wú)線通訊模塊 目前,基于 GSM 無(wú)線通訊模塊實(shí)終現(xiàn)數(shù)據(jù)傳輸?shù)挠袃煞N:短消息和 GPRS。兩者都是利用公用網(wǎng)絡(luò),不同的是 GPRS 的監(jiān)測(cè)終端使用 inter 才能獲得數(shù)據(jù),在互聯(lián)網(wǎng)世界下,使用 GPRS 是一大優(yōu)點(diǎn),但是在沒(méi) 有互聯(lián)網(wǎng)下就是它的缺點(diǎn)。 短消息沒(méi)有這樣的限制,使得它的適用范圍更廣。所以這里選擇短消息作為系統(tǒng)的無(wú)線傳輸方式。而 TC35I 是一個(gè)非常好用的 GSM 模塊,它的設(shè)計(jì)主要是針對(duì)短消息的發(fā)送和接收。所以這里選擇 TC35I 作為本系統(tǒng)的 GSM 無(wú)線傳輸模塊。 顯示模塊 從系統(tǒng)看,系統(tǒng)需要顯示的地方有:按鍵設(shè)置上下限溫度值和測(cè)量溫度值。要顯示的數(shù)據(jù)量不大。如果采用 LCD 作為顯示模塊就顯有點(diǎn)大材小用,而且 LCD 程序編寫(xiě)復(fù)雜, STC89C51 的程序存儲(chǔ)器空間可能不夠。而一般的 LED 顯示程序編寫(xiě)簡(jiǎn)單,硬件設(shè)計(jì)方 面也簡(jiǎn)單,適合作為本系統(tǒng)的顯示模塊。 XXXXXX 學(xué)院畢業(yè)設(shè)計(jì)(論文) 第 8 頁(yè) 3 DS18B20 簡(jiǎn)介 單總線 (1 一 Wire)的基本原理 概述 單總線 (lWire)是 Maxim全資子公司 Dallas 的一項(xiàng)專(zhuān)有技術(shù)。與目前多數(shù)標(biāo)準(zhǔn)串行數(shù)據(jù)通信方式,如 SP/I2C/MICROWIRE 不同,它采用單根信號(hào)線,既傳輸時(shí)鐘,又傳輸數(shù)據(jù),而且數(shù)據(jù)傳輸是雙向,它具有節(jié)省 I/O 口線資源、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、成本低廉、便于總線擴(kuò)展和維護(hù)等諸多優(yōu)點(diǎn)。 1Wire 單總線適用于單個(gè)主機(jī)系統(tǒng),能夠控制一個(gè)或多個(gè)從機(jī)設(shè)備。當(dāng)只有一個(gè)從機(jī)位于總線上時(shí),系統(tǒng) 可按照單節(jié)點(diǎn)系統(tǒng)操作 。而當(dāng)多個(gè)從機(jī)位于總線上時(shí),則系統(tǒng)按照多節(jié)點(diǎn)系統(tǒng)操作。 為了較為全面地介紹單總線系統(tǒng),將系統(tǒng)分為三個(gè)部分討論硬件結(jié)構(gòu)命令序列和信號(hào)方式 (信號(hào)類(lèi)型和時(shí)序 )。 命令序列 典型的單總線命令序列如下 : 第一步 :初始化 。 第二步 :ROM 命令 (跟隨需要交換的數(shù)據(jù) )。 第三步 :功能命令 (跟隨需要交換的數(shù)據(jù) )。 每次訪問(wèn)單總線器件,必須嚴(yán)格遵守這個(gè)命令序列,如果出現(xiàn)序列混亂,則單總線器件不會(huì)響應(yīng)主機(jī)。但是,這個(gè)準(zhǔn)則對(duì)于搜索 ROM 命令和報(bào)警搜索命令例外,在執(zhí)行兩者中任何一條命令之后,主機(jī)不能執(zhí) 行其后的功能命令,必須返回至第一步。 1)初始化 基于單總線上的所有傳輸過(guò)程都是以初始化開(kāi)始的,初始化過(guò)程由主機(jī)發(fā)出的復(fù)位脈沖和從機(jī)響應(yīng)的應(yīng)答脈沖組成應(yīng)答脈沖使主機(jī)知道總線上有從機(jī)設(shè)備且準(zhǔn)備就緒。 2)ROM 命令 在主機(jī)檢測(cè)到應(yīng)答脈沖后,就可以發(fā)出 ROM 命令。這些命令與各個(gè)從機(jī)設(shè)備的唯一64 位 ROM 代碼相關(guān),允許主機(jī)在單總線上連接多個(gè)從機(jī)設(shè)備時(shí),指定操作某個(gè)從機(jī)設(shè)備。這些命令還允許主機(jī)能夠檢測(cè)到總線上有多少個(gè)從機(jī)設(shè)備以及其設(shè)備類(lèi)型,或者有沒(méi)有設(shè)備處于報(bào)警狀態(tài)。從機(jī)設(shè)備可能支持 5 種 ROM 命令 (實(shí)際情況與具體型 號(hào)有關(guān) ), XXXXXX 學(xué)院畢業(yè)設(shè)計(jì)(論文) 第 9 頁(yè) 每種命令長(zhǎng)度為 8 位。主機(jī)在發(fā)出功能命令之前,必須送出合適的 ROM 命令。 ROM 命令主要包括 :搜索 ROM【 FOh】、讀 ROM【 33h】、匹配 ROM【 55h】、跳越 ROM【 CCh】、報(bào)警搜索【 ECh】等。 3)功能命令 在主機(jī)發(fā)出 ROM 命令,以訪問(wèn)某個(gè)指定的單總線器件,接著就可以發(fā)出單總線器件支持的某個(gè)功能命令。功能命令主要包括 :轉(zhuǎn)換溫度【 44h】、讀暫存器【 BEh】、寫(xiě)暫存器【 4Eh】、復(fù)制暫存器【 48h】、回讀 EEPROM【 B8h】、讀供電方式【 B4h】等。 信號(hào)方式 所有的單總線器件要 求采用嚴(yán)格的通信協(xié)議,以保證數(shù)據(jù)的完整性。該協(xié)議定義了幾種信號(hào)類(lèi)型 :復(fù)位脈沖、應(yīng)答脈沖、寫(xiě) 0、寫(xiě) 讀 0 和讀 1。所有這些信號(hào),除了應(yīng)答脈沖以外,都由主機(jī)發(fā)出同步信號(hào)。并且發(fā)送所有的命令和數(shù)據(jù)都是字節(jié)的低位在前,這一點(diǎn)與多數(shù)串行通信格式不同 (多數(shù)為字節(jié)的高位在前 )。 DS18B20 介紹及測(cè)溫電路設(shè)計(jì) 美國(guó) MAXIM 公司的子公司 — Dallas 半導(dǎo)體公司的數(shù)字溫度傳感器 DS18B20 是世界上第一片支持“一線總線”接口的溫度傳感器,新一代的 DS18B20 體積更小、更經(jīng)濟(jì)、更靈活。使你可以充分發(fā)揮“一線總線” 的優(yōu)點(diǎn)。 DS18B20 的主要特性 ◎適應(yīng)電壓范圍更寬,電壓范圍 :~,在寄生電源方式下可由數(shù)據(jù)線供電 。 ◎獨(dú)特的單線接口方式, DS18B20 在與微處理器連接時(shí)僅需要一條口線即可實(shí)現(xiàn)微處理器與 DS18B20 的雙向通訊 。 ◎ DS18B20 支持多點(diǎn)功能,多個(gè) DS18B20 可以并聯(lián)在位的三線上,實(shí)現(xiàn)網(wǎng)絡(luò)多點(diǎn)測(cè)量 。 ◎ DS18B20 在使用中不需要任何外圍元件,全部傳感元件及轉(zhuǎn)換電路集成在形如一只三極管的集成電路內(nèi) 。 ◎測(cè)溫范圍一 55℃ ~+125℃,在一 10℃ ~十 85℃時(shí)精度為士 ℃ 。 ◎可編程的分辨率為 9~12 位,對(duì)應(yīng)的測(cè)溫精度為 ℃、 ℃、 ℃、 ℃,可實(shí)現(xiàn)高精度測(cè)溫 。 ◎在 9 位分辨率時(shí)最多在 內(nèi)把溫度轉(zhuǎn)換為數(shù)字, 12 位分辨率時(shí)最多在 750ms XXXXXX 學(xué)院畢業(yè)設(shè)計(jì)(論文) 第 10 頁(yè) 內(nèi)把溫度值轉(zhuǎn)換為數(shù)字,速度更快 。令測(cè)量結(jié)果直接輸出數(shù)字溫度信號(hào),以“一線總線”串行傳送給 CPU,同時(shí)可傳送 CRC 校驗(yàn)碼,具有極強(qiáng)的抗干擾糾錯(cuò)能力 。 ◎負(fù)壓特性 :電源極性接反時(shí),芯片不會(huì)因發(fā)熱而燒毀,但不能正常工作。 DS18B20 的外形和內(nèi)部結(jié)構(gòu) DS18B20 內(nèi)部結(jié)構(gòu)主要有四部分組成 :64 位光 刻 ROM、溫度傳感器、非揮發(fā)的溫度報(bào)警觸發(fā)器 TH 和 TL、配置寄存器, DS18B20 的外形及管腳排列因封裝不同而不同,其外形封裝及內(nèi)部結(jié)構(gòu)分別如圖 31 和 32 所示。 圖 31 DS18B20的外形封裝 圖 32 DS18B20內(nèi)部結(jié)構(gòu) DS18B20 工作原理 DS18B20 測(cè)溫原理如圖 33 所示。圖中低溫度系統(tǒng)晶振的振蕩頻率受溫度影響很小,用于生產(chǎn)固定頻率的脈沖信號(hào)送給計(jì)數(shù)器 1。高溫度系數(shù)晶振隨溫度變化其振蕩明顯改變,所產(chǎn)生的信號(hào)作為計(jì)數(shù)器 2 的脈沖輸入。計(jì)數(shù)器 1 和溫度 寄存器被設(shè)置在一 55℃所對(duì)應(yīng)的一個(gè)基數(shù)值。計(jì)數(shù)器 1 對(duì)低溫度系數(shù)晶振產(chǎn)生的脈沖信號(hào)進(jìn)行減法計(jì)算,當(dāng)計(jì)數(shù)器 1 的預(yù)置值減到 0 時(shí),溫度寄存器的值將加 1,計(jì)數(shù)器 1 的預(yù)置將重新被裝入,計(jì)數(shù)器 1 重新開(kāi)始對(duì)低溫度系數(shù)晶振產(chǎn)生的脈沖信號(hào)進(jìn)行計(jì)數(shù),如此循環(huán)直到計(jì)數(shù)器 2 計(jì)數(shù)到 0 時(shí),停止溫度寄存器值的累加,此時(shí)溫度寄存器中的數(shù)值即為所測(cè)溫度。圖中的斜率累加器用于補(bǔ)償和修正測(cè)溫過(guò)程中的非線性,其輸出用于修正計(jì)數(shù)器 1 的預(yù)置值。 XXXXXX 學(xué)院畢業(yè)設(shè)計(jì)(論文) 第 11 頁(yè) 圖 33 DS18B20測(cè)溫原理框圖 DS18B20 有一個(gè)配置寄存器,它用來(lái)配置測(cè)溫分辨率的,配置寄存 器的結(jié)構(gòu)如表 31所示。 表 31 配置寄存器結(jié)構(gòu) TM R1 R0 1 1 1 1 1 低五位一直都是“ 1”, TM 是測(cè)試模式位,用于設(shè)置 DS18B20 出廠時(shí)該位被設(shè)置為0,用戶不要去改動(dòng)。 Rl 和 RO 用來(lái)設(shè)置分辨率,具體配置如表 42 所示 (DS18B20 出廠時(shí)被設(shè)置為 12 位 )。 表 32 溫度分辨率設(shè)置表 R1 R0 分辨率 溫度最大轉(zhuǎn)換時(shí)間 0 0 9位 0 0 10位 1 0 11位 375MS 1 1 12位 750MS 測(cè)溫電路設(shè)計(jì) 對(duì)于 DS18B20,可以采用兩種方式給它供電 :一種是寄生電源供電方式 。另一種是外接電源給它供電。 在寄生電源供電方式下,如圖 34 所示, DS18B20 從單線信號(hào)線上汲取能量 :在信號(hào)線 DQ 處于高電平期間能把能量?jī)?chǔ)存在內(nèi)部電容里,在信號(hào)線處于低電平期間消耗電容上的電能工作,直到高電平到來(lái)再給寄生電源 (電容 )充電。 要想使 DS18B20 進(jìn)行精確的溫度轉(zhuǎn)換, I/O 線必須保證在溫度轉(zhuǎn)換期間提供足夠的能量,由于每個(gè) DS18B20 在溫度轉(zhuǎn)換器件工作電流達(dá)到 lmA,當(dāng)幾個(gè)溫度傳感器掛在同一根 UO 線上進(jìn)行多點(diǎn)測(cè)溫時(shí),只靠 上 拉電阻就無(wú)法提供足夠的能量,會(huì)造成 XXXXXX 學(xué)院畢業(yè)設(shè)計(jì)(論文) 第 12 頁(yè) 無(wú)法轉(zhuǎn)換溫度或溫度誤差極大。 就此電路,做過(guò)大量的實(shí)驗(yàn),在實(shí)驗(yàn)中,降低電源電壓 VCC,當(dāng)?shù)陀? 時(shí),測(cè)出的溫度比實(shí)際的溫度高誤差大。當(dāng)電源電壓降為 4V 時(shí),溫度誤差有 3℃之多,這是因?yàn)榧纳娫醇橙∧芰坎粔蛟斐傻?,因此,不適用用于組建多點(diǎn)測(cè)溫系統(tǒng)。 有人改進(jìn)過(guò)寄生電源供電方式,如圖 35 所示。為了使 DS18B20 在動(dòng)態(tài)轉(zhuǎn)換周期中獲得足夠的電流供應(yīng),當(dāng)進(jìn)行溫度轉(zhuǎn)換或拷貝到存儲(chǔ)器操作時(shí),用 MOSFET 把拍線直接接到 VCC 就可提供足夠的電流,在發(fā)出任何涉及到拷貝到 EEPROM 存儲(chǔ) 器或啟動(dòng)溫度轉(zhuǎn)換指令后,必須在最 1181。S 內(nèi)把 I/0 線轉(zhuǎn)換到強(qiáng)上拉狀態(tài)。在此前上拉可以解決電流供應(yīng)不足的問(wèn)題,因此也適合于多點(diǎn)溫度應(yīng)用,缺點(diǎn)就是多占用一根 I/O 口線進(jìn)行上拉切換,軟件編程也復(fù)雜些。 圖 34 寄生電源供電圖 圖 35 改進(jìn)型寄生電源供電圖 DS18B20 的時(shí)序圖 單總線系統(tǒng)包括一個(gè)總線控制器和一個(gè)或多個(gè)從機(jī)。 DS18B20 是從機(jī)。系統(tǒng)要通過(guò)單總線選擇合適的時(shí)序才能驅(qū)動(dòng)它。具體為:初始化時(shí)序、寫(xiě)時(shí)序、讀時(shí)序。 (1) 初始化時(shí)序 主機(jī)控 制 DS18B20完成任何操作之前必須先初始化,即主機(jī)發(fā)一復(fù)位脈沖 (最短為480181。s的低電平 ), 接著主機(jī)釋放總線進(jìn)入接收狀態(tài), DS18B20在檢測(cè)到 I/O引腳上的上升沿之后,等待 15~60181。s然后發(fā)出存在脈沖 (60~240181。s的低電平 )。時(shí)序圖如圖 36。 XXXXXX 學(xué)院畢業(yè)設(shè)計(jì)(論文) 第 13 頁(yè) 圖 36 初始化時(shí)序圖 (2) 讀 /寫(xiě)時(shí)序 寫(xiě)時(shí)間片:將數(shù)據(jù)線從高電平拉至低電平,產(chǎn)生寫(xiě)起始信號(hào)。在 15181。S 之內(nèi)將所需寫(xiě)的位送到數(shù)據(jù)線上,在 15181。S 到 60181。S 之間對(duì)數(shù)據(jù)線進(jìn)行采樣,如果采樣為高電平,就寫(xiě)1,如果為低電平, 寫(xiě) 0 就發(fā)生。在開(kāi)始另一 個(gè)寫(xiě)周期前必須有 1181。S 以上的高電平恢復(fù)期。時(shí)序圖如圖 37 所示。 圖 37 讀 /寫(xiě)時(shí)序圖 讀時(shí)間片主機(jī)將數(shù)據(jù)線從高電平拉至低電平 1181。S 以上,再使數(shù)據(jù)線升為高電平 , 從 XXXXXX 學(xué)院畢業(yè)設(shè)計(jì)(論文) 第 14 頁(yè) 而產(chǎn)生讀起始信號(hào)。主機(jī)在讀時(shí)間片下降沿之后 15181。S 內(nèi)完成讀位。每個(gè)讀周期最短的持續(xù)期為 60181。S ,各個(gè)讀周期之間也必須有 1181。S 以上的高電平恢復(fù)期。時(shí)序圖如圖 所示。 DS18B20 的 ROM 和存儲(chǔ)器命令 由 DS18B20 的結(jié)構(gòu)可以看出,要完成溫度采集就必須用軟件對(duì) DS18B20 內(nèi)部的 ROM和存儲(chǔ)器進(jìn)行操作。如果計(jì)算機(jī)檢測(cè) 到單總線上有器件存在,就可以發(fā)出傳送 ROM 命令。具體的傳送 ROM 命令格式如表 33 所示。 表 33 DS18B20的 ROM命令 傳送 RAM 命令是當(dāng)上述命令之一被成功執(zhí)行后,控制機(jī)發(fā)出的控制命令,它用來(lái)訪問(wèn)被選中的器件的存儲(chǔ)和控制部件,例如,啟動(dòng)單總線溫度傳感器 DS18B20 溫度轉(zhuǎn)換的命令。具體命令見(jiàn)表 34。 表 34 DS18B20的存儲(chǔ)命令 主機(jī)對(duì) DS18B20 進(jìn)行 ROMT 和存儲(chǔ)器的操作就可實(shí)現(xiàn)溫度采集。舉例如下表 35 XXXXXX 學(xué)院畢業(yè)設(shè)計(jì)(論文) 第 15 頁(yè) 表 35 存儲(chǔ)器操作舉例 小結(jié) : DS18B20 是
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