最新用led數(shù)碼管顯示的秒表設(shè)計(編輯修改稿)
2024-07-27 21:12 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 L0 8AH 定時器 0低8位TH0 8CH 定時器0高8位TL1 8BH 定時器1低8位TH1 8DH 定時器1高8位鹽城工學(xué)院課程設(shè)計說明書（2022）5 圖31 89c52系列單片機管腳圖89C52管腳說明： VCC：供電電壓?！ ND：接地。P0 口：P0 口為一個 8 位漏級開路雙向 I/O 口，每腳可吸收 8TTL 門電流。當(dāng) P1口的管腳第一次寫 1 時，被定義為高阻輸入。P0 能夠用于外部程序數(shù)據(jù)存儲器，它可以被定義為數(shù)據(jù)/地址的第八位。在 FIASH 編程時，P0 口作為原碼輸入口，當(dāng)FIASH 進行校驗時， P0 輸出原碼，此時 P0 外部必須被拉高?！ 1 口：P1 口是一個內(nèi)部提供上拉電阻的 8 位雙向 I/O 口，P1 口緩沖器能接收輸出 4TTL 門電流。 P1 口管腳寫入 1 后，被內(nèi)部上拉為高，可用作輸入，P1 口被外部下拉為低電平時，將輸出電流，這是由于內(nèi)部上拉的緣故。在 FLASH 編程和校驗時，P1 口作為第八位地址接收。P2 口：P2 口為一個內(nèi)部上拉電阻的 8 位雙向 I/O 口，P2 口緩沖器可接收，輸出 4 個 TTL 門電流，當(dāng) P2 口被寫“1” 時，其管腳被內(nèi)部上拉電阻拉高，且作為輸入。并因此作為輸入時，P2 口的管腳被外部拉低，將輸出電流。這是由于內(nèi)部上拉的緣故。P2 口當(dāng)用于外部程序存儲器或 16 位地址外部數(shù)據(jù)存儲器進行存取時，P2 口輸出地址的高八位。在給出地址“1” 時，它利用內(nèi)部上拉優(yōu)勢，當(dāng)對外部八位地址數(shù)據(jù)存儲器進行讀寫時，P2 口輸出其特殊功能寄存器的內(nèi)容。P2 口在 FLASH 編程和校驗時接收高八位地址信號和控制信號?！ 3 口：P3 口管腳是 8 個帶內(nèi)部上拉電阻的雙向 I/O 口，可接收輸出 4 個 TTL鹽城工學(xué)院課程設(shè)計說明書（2022）6門電流。當(dāng) P3 口寫入“1”后，它們被內(nèi)部上拉為高電平，并用作輸入。作為輸入，由于外部下拉為低電平，P3 口將輸出電流（ILL）這是由于上拉的緣故?！ 3 口也可作為 AT89C51 的一些特殊功能口，如下表所示： 口管腳 備選功能 RXD（串行輸入口） TXD（串行輸出口） /INT0（外部中斷 0） /INT1（外部中斷 1） T0 （記時器 0 外部輸入） T1 （記時器 1 外部輸入） /WR（外部數(shù)據(jù)存儲器寫選通） /RD（外部數(shù)據(jù)存儲器讀選通） P3 口同時為閃爍編程和編程校驗接收一些控制信號。 RST：復(fù)位輸入。當(dāng)振蕩器復(fù)位器件時，要保持 RST 腳兩個機器周期的高電平時間?！ SEN ：外部程序存儲器的選通信號。在由外部程序存儲器取指期間，每個機器周期兩次/PSEN 有效。但在訪問外部數(shù)據(jù)存儲器時，這兩次有效的/PSEN 信號將不出現(xiàn)?！ TAL1：反向振蕩放大器的輸入及內(nèi)部時鐘工作電路的輸入?！ TAL2：來自反向振蕩器的輸出。 單片機的振蕩電路與復(fù)位電路 采用內(nèi)部時鐘方式時，如圖所示。片內(nèi)的高增益反相放大器通過XTALXTAL2 外接作為反饋元件的片外晶體振蕩器（呈感性）與電容組成的并聯(lián)諧振回路構(gòu)成一個自激振蕩器，向內(nèi)部時鐘電路提供振蕩時鐘。振蕩器的頻率主要取決于晶體的振蕩頻率，一般晶體可在 ～12MHz 之間任選，電容 CC2 可在 5～30pF 之間選擇，電容的大小對振蕩頻率有微小的影響，可起頻率微調(diào)作用。本電路選用的是內(nèi)部振蕩器方式。選用內(nèi)部振蕩器比選用外部時鐘電路簡單并且易于實現(xiàn)。最重要的是此電路易于調(diào)試，而且精度高。2. 復(fù)位電路 圖 32 振蕩電路鹽城工學(xué)院課程設(shè)計說明書（2022）7復(fù)位電路可分為上電復(fù)位和外部復(fù)位兩種方式。通過某種方式，使單片機內(nèi)各寄存器的值變?yōu)槌跏紶顟B(tài)的操作稱為復(fù)位。 MCS—52 單片機在時鐘電路工作以后，在 RST/VPD 端持續(xù)給出 2 個機器周期的高電平就可以完成復(fù)位操作（一般復(fù)位正脈沖寬度大于 10ms）。復(fù)位分為上電復(fù)位和外部復(fù)位兩種方式。圖33 復(fù)位電路（a）上電復(fù)位電路 （b）上電/外部復(fù)位電路上電復(fù)位是在單片機接通電源時，對單片機的復(fù)位。上電復(fù)位電路如圖（a）所示。在上電瞬間RST/VPD 端與VCC電位相同，隨著電容上電壓的逐漸上升，RST/VPD端電位逐漸下降。上電復(fù)位所 需的最短時間是振蕩器振蕩建立時間加 2個機器周期。復(fù)位電路的阻容參數(shù)通常由實驗調(diào)整。圖（a）參考電路中，電路參數(shù)C取22uF，R 取1Kq，可在RST/VPD端提供足夠的高電平脈沖，使單片機能夠可靠地上電自動復(fù)位。圖（b）為既可進行上電自動復(fù)位，也可外部手動復(fù)位的電路示意圖，R1 可取200q
環(huán)評公示相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1