最新寬帶cdma發(fā)射機低相噪本振源的設(shè)計(編輯修改稿)
2025-07-27 03:40 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 幅度的均方根值，即： 其中，N=MAXMIN+1，而MAX和MIN為EVM測量信號段的第一個符號和最后一個符號的排序數(shù)?！∮梢陨隙x可以看出：發(fā)射機的信噪比和非線性都可能造成EVM的變化。而且這些因素對EVM的影響并能做簡單的線性疊加。為便于通過EVM指標確定鎖相環(huán)路的具體指標，筆者利用ADS進行了系統(tǒng)仿真。在考慮功率放大器（PA），輸入功率為10dBm，通過仿真認為將本振的EVM定為2%是合理的?！ 。?）鑒相頻率：?！ 。?）雜散相噪（Spur）：雜散相噪一般由鄰道功率抑制比即ACPR（Adjacent Channel Power Ratio）決定。 ACPR，有時被稱為ACLR（Adjacent Channel Leakage Ratio）。其定義為發(fā)射功率與相鄰信道上的測得功率之比。一般主要由發(fā)射機（尤其PA）的非線性所至。但對于直接上變頻的調(diào)制方法來說，本振源在鄰道上的雜散（Spur）對該指標亦有一定的影響?！ 槭沟迷擃l率點上的Spur不影響整機的ACPR（ACPR40dBc/177。），設(shè)定該點上（177。）的相噪相對幅度為120dBc。3 器件選取與參數(shù)確定 參考頻率源的選取通過上述指標的確定，參數(shù)頻率源的頻率穩(wěn)定度應(yīng)為：177。(包括溫度頻穩(wěn)定、供電電壓頻穩(wěn)定、負載牽引頻穩(wěn)定和年老化率累加)。為便于確定鎖相環(huán)路的分頻比，設(shè)定其工作頻率20MHz=8（信道帶寬）。 鎖相環(huán)芯片的選取與參數(shù)設(shè)定 芯片選取方面決定選用美國國家半導(dǎo)體（National Semiconductor）鎖相環(huán)芯片。本設(shè)計在EVM調(diào)制精度方面要求嚴格，它與本振源相噪之間的關(guān)系為： ?。?）式中，L（f）為相位噪聲密度。因此鎖相環(huán)的相位噪聲成為設(shè)計成功與否的關(guān)鍵。首先，對鎖相環(huán)路的種類進行選擇（見表1）。表1 PLL IC種類與性能比較由表1可以看出，單鎖相環(huán)整數(shù)分頻器應(yīng)為首選?！ 檫_到相噪最小化的目的，在選
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