應用高頻單片開關(guān)芯片設計多組開關(guān)穩(wěn)壓電源(編輯修改稿)
2025-07-27 01:17 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 =Pi為了提高效率，降低功率損耗，減小集膚效應，我們采用連續(xù)工作模式：我們令I(lǐng)p2=2Ip2這樣就可以求出變換器的原邊峰值電流Ip2：( Ip2+ Ip2)77=2 Ip2=TOP222Y極限電流最小值IL1MIN=，極限電流最大 值IL1MAX= 原邊峰值電流Ip2必須滿足: 一次繞組脈動電流 一次繞組脈動電流舊與一次繞組峰值電流，Ip2的比值一次繞組有效值電流 一次繞組電感量： 選擇E122磁芯作為磁芯選擇依據(jù)(一般選擇最大磁通密度Bm=，)，(特斯拉) 次級VVV5繞組匝數(shù)N2=N4=N5=N1=11匝 結(jié)束語由于TOP222Y高頻單片開關(guān)電源控制芯片引腳少，所以該多組開關(guān)電源性能調(diào)試方便簡單，故障率少可靠性高。至于高頻變壓器的計算是沒有唯一的答案的，在計算過程中需要考慮大量相互關(guān)聯(lián)的設計變量，變量取值不同，其設計的結(jié)果就會有一些差異，有時理論算出的值與實際會有差異，需通過進一步調(diào)整才能滿足興實際要求。多路輸出單端反激式開關(guān)電源設計引言隨著現(xiàn)代科技的高速發(fā)展，功率器件的不斷更新，PWM技術(shù)的發(fā)展日趨完善，開關(guān)電源正朝著短、小、輕、薄的方向發(fā)展。本文介紹了一種基于TOPSwith系列芯片設計的小功率多路輸出AC／DC開關(guān)電源的原理及設計方法。設計要求本文設計的開關(guān)電源將作為智能儀表的電源，最大功率為10 W。為了減少PCB的數(shù)量和智能儀表的體積，要求電源尺寸盡量小并能將電源部分與儀表主控部分做在同一個PCB上?？紤]10W的功率以及小體積的因素，電路選用單端反激電路。單端反激電路的特點是：電路簡單、體積小巧且成本低。單端反激電路由輸入濾波電路、脈寬調(diào)制電路、功率傳遞電路(由開關(guān)管和變壓器組成)、輸出整流濾波電路、誤差檢測電路(由芯片TL431及周圍元件組成)及信號傳遞電路(由隔離光耦及電阻組成)等組成。本電源設計成表面貼裝的模塊電源，其具體參數(shù)要求如下：輸出最大功率：10W輸入交流電壓：85～265V輸出直流電壓／電流：+5V，500mA；+12V，150mA；+24V，100mA紋波電壓：≤120mV單端反激式開關(guān)電源的控制原理所謂單端是指TOPSwitchII系列器件只有一個脈沖調(diào)制信號功率輸出端一漏極D。反激式則指當功率MOSFET導通時，就將電能儲存在高頻變壓器的初級繞組上，僅當MOSFET關(guān)斷時，才向次級輸送電能，由于開關(guān)頻率高達100kHz，使得高頻變壓器能夠快速存儲、釋放能量，經(jīng)高頻整流濾波后即可獲得直流連續(xù)輸出。這也是反激式電路的基本工作原理。而反饋回路通過控制TOPSwitch器件控制端的電流來調(diào)節(jié)占空比，以達到穩(wěn)壓的目的。TOPSwitchⅡ系列芯片選型及介紹TOPSwitchⅡ系列芯片的漏極(D)與內(nèi)部功率開關(guān)器件MOSFET相連，外部通過負載電感與主電源相連，在啟動狀態(tài)下通過內(nèi)部開關(guān)式高壓電源提供內(nèi)部偏置電流，并設有電流檢測。控制極(C)用于占空比控制的誤差放大器和反饋電流的輸入引腳，與內(nèi)部并聯(lián)穩(wěn)壓器連接，提供正常工作時的內(nèi)部偏置電流，同時也是提供旁路、自動重起和補償功能的電容連接點。源極(S)與高壓功率回路的MOSFET的源極相連，兼做初級電路的公共點與參考點。內(nèi)部輸出極MOSFET的占空比隨控制引腳電流的增加而線性下降， V，極限電壓為9 V，控制端最大允許電流為100 mA。在設計時還對閾值電壓采取了溫度補償措施，以消除因漏源導通電阻隨溫度變化而引起的漏極電流變化。當芯片結(jié)溫大
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