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正文內(nèi)容

基于51單片機(jī)的音樂播放器制作(編輯修改稿)

2024-12-14 07:05 本頁面
 

【文章內(nèi)容簡介】 成電路、畫中畫處理集成電路、微處理器( CPU)集成電路、存儲器集成電路等。 ( 2) 音響用集成電路包括 AM/FM 高中頻電路、立體聲解碼電路、音頻前置放大電路、音頻運(yùn)算放大集成電路、音頻功率放大集成電路、環(huán)繞聲處理集成電路、電平驅(qū)動集成電路,電子音量控制集成電路、延時混響集成電路、電子開關(guān)集成電路等。 ( 3) 影碟機(jī)用集成電路有系統(tǒng)控制集成電路、視頻編碼集成電路、 MPEG 解碼集成電路、音頻信號處理集成電路、音響效果集成電路、 RF 信號處理集成電路、數(shù)字信號處理集成電路、伺服集成電路、電動機(jī)驅(qū)動集 成電路等。 ( 4) 錄像機(jī)用集成電路有系統(tǒng)控制集成電路、伺服集成電路、驅(qū)動集成電路、音頻處理集成電路、視頻處理集成電路。 按應(yīng)用領(lǐng)域分 類 集成電路按應(yīng)用領(lǐng)域可分為標(biāo)準(zhǔn)通用集成電路和專用集成電路。 按外形分 類 集成電路按外形可分為圓形(金屬外殼晶體管封裝型,一般適合用于大功率)、扁平型(穩(wěn)定性好,體積?。┖碗p列直插型。 簡史 1947 年:貝爾實驗室肖特萊等人發(fā)明了晶體管,這是微電子技術(shù)發(fā)展中第一個里程碑; 第 2 章 方案論證 9 1950 年:結(jié)型晶體管誕生 1950 年: R Ohl 和肖特萊發(fā)明了離子注入工藝 1951 年:場效應(yīng)晶體 管發(fā)明 1958 年:仙童公司 Robert Noyce 與德儀公司基爾比間隔數(shù)月分別發(fā)明了集成電路,開創(chuàng)了世界微電子學(xué)的歷史; 1962 年:美國 RCA 公司研制出 MOS 場效應(yīng)晶體管 1963 年: 和 首次提出 CMOS 技術(shù),今天, 95%以上的集成電路芯片都是基于 CMOS 工藝 1964 年: Intel 摩爾提出摩爾定律,預(yù)測晶體管集成度將會每 18 個月增加 1倍 1966 年:美國 RCA 公司研制出 CMOS 集成電路,并研制出第一塊門陣列( 50門),為現(xiàn)如今的大規(guī)模集成電路發(fā)展奠定了堅實基礎(chǔ),具有里 程碑意義 1971 年: Intel 推出 1kb 動態(tài)隨機(jī)存儲器( DRAM),標(biāo)志著大規(guī)模集成電路出現(xiàn) 1971 年:全球第一個微處理器 4004 由 Intel 公司推出,采用的是 MOS 工藝,這是一個里程碑式的發(fā)明 1978 年: 64kb 動態(tài)隨機(jī)存儲器誕生,不足 平方厘米的硅片上集成了 14 萬個晶體管,標(biāo)志著超大規(guī)模集成電路( VLSI)時代的來臨 1979 年: Intel 推出 5MHz 8088 微處理器,之后, IBM 基于 8088 推出全球第一臺 PC 1985 年: 80386 微處理器問世, 20MHz 1988 年: 16M DRAM 問世 , 1 平方厘米大小的硅片上集成有 3500 萬個晶體管,標(biāo)志著進(jìn)入超大規(guī)模集成電路( VLSI)階段 1989 年: 1Mb DRAM 進(jìn)入市場 1989 年: 486 微處理器推出, 25MHz, 1μ m 工藝,后來 50MHz 芯片采用 μ m 工藝 1992 年: 64M 位隨機(jī)存儲器問世 電子科技大學(xué)成都學(xué)院課程設(shè)計 10 1997 年: 300MHz 奔騰Ⅱ問世,采用 m 工藝 1999 年:奔騰Ⅲ問世, 450MHz,采用 m 工藝,后采用 m 工藝 2020 年:奔騰 4 E 系列推出,采用 90nm 工藝。 2020 年: intel 酷睿 2 系列上市,采用 65nm 工 藝。 2020 年:基于全新 45 納米 HighK 工藝的 intel 酷睿 2 E7/E8/E9 上市。 2020 年: intel 酷睿 i 系列全新推出,創(chuàng)紀(jì)錄采用了領(lǐng)先的 32 納米工藝,并且下一代 22 納米工藝正在研發(fā)。 我國集成電路發(fā)展歷史 我國集成電路產(chǎn)業(yè)誕生于六十年代,共經(jīng)歷了三個發(fā)展階段: 1965 年 1978 年:以計算機(jī)和軍工配套為目標(biāo),以開發(fā)邏輯電路為主要產(chǎn) 品,初步建立集成電路工業(yè)基礎(chǔ)及相關(guān)設(shè)備、儀器、材料的配套條件 1978 年 1990 年:主要引進(jìn)美國二手設(shè)備,改善集成電路裝備水平,在“治散治亂”的同時,以消費 類整機(jī)作為配套重點,較好地解決了彩電集成電路的國產(chǎn)化 1990 年 2020 年:以 908 工程、 909 工程為重點,以 CAD 為突破口,抓好科技攻關(guān)和北方科研開發(fā)基地的建設(shè),為信息產(chǎn)業(yè)服務(wù),集成電路行業(yè)取得了新的發(fā)展。 集成電路產(chǎn)業(yè)是對集成電路產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)市場銷售額的總體描述,它不僅僅包含集成電路市場,也包括 IP 核市場、 EDA 市場、芯片代工市場、封測市場,甚至延伸至設(shè)備、材料市場。 集成電路產(chǎn)業(yè)不再依賴 CPU、存儲器等單一器件發(fā)展,移動互聯(lián)、三網(wǎng)融合、多屏互動、智能終端帶來了多重市場空間,商業(yè)模式不斷創(chuàng)新為市場注入 新活力。目前我國集成電路產(chǎn)業(yè)已具備一定基礎(chǔ),多年來我國集成電路產(chǎn)業(yè)所聚集的技術(shù)創(chuàng)新活力、市場拓展能力、資源整合動力以及廣闊的市場潛力,為產(chǎn)業(yè)在未來 5年~ 10 年實現(xiàn)快速發(fā)展、邁上新的臺階奠定了基礎(chǔ)。 單片機(jī) 最小系統(tǒng) 在設(shè)計的時候我們了解了 2 款芯片, AT89C51 和 AT89C52。下面是 2 款芯片第 2 章 方案論證 11 的簡介 : AT89C51:是一種帶 4K 字節(jié) FLASH 存儲器( FPEROM—Flash Programmable and Erasable Read Only Memory)的低電壓、高性能 CMOS 8 位微處理器,俗稱單片 機(jī)。 AT89C2051 是一種帶 2K 字節(jié)閃存可編程可擦除只讀存儲器的單片機(jī)。單片機(jī)的可擦除只讀存儲器可以反復(fù)擦除 1000 次。該器件采用 ATMEL 高密度非易失存儲器制造技術(shù)制造,與工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 MCS51 指令集和輸出管腳相兼容。由于將多功能 8 位 CPU 和閃爍存儲器組合在單個芯片中, ATMEL 的 AT89C51 是一種高效微控制器, AT89C2051 是它的一種精簡版本。 AT89C51 單片機(jī)為很多嵌入式控制系統(tǒng)提供了一種靈活性高且價廉的方案。 主要功能特性: 1) 與 MCS51 兼容; 2) 4K 字節(jié)可編程 FLASH 存儲器; 3) 全靜態(tài) 工作: 0Hz24MHz; 4) 1288 位內(nèi)部 RAM; 5) 兩個 16 位定時器 /計數(shù)器; 6) 5 個中斷源; 7) 可編程串行通道; 8) 低功耗的閑置和掉電模式; 9) 片內(nèi)振蕩器和時鐘電路 。 AT89C52:是一個低電壓,高性能 CMOS 8 位單片機(jī),片內(nèi)含 8k bytes 的可反復(fù)擦寫的 Flash 只讀程序存儲器和 256 bytes 的隨機(jī)存取數(shù)據(jù)存儲器( RAM),器件采用 ATMEL 公司的高密度、非易失性存儲技術(shù)生產(chǎn),兼容標(biāo)準(zhǔn) MCS51 指令系統(tǒng),片內(nèi)置通用 8 位中央處理器和 Flash 存儲單元, AT89C52 單片機(jī)在電子行業(yè)中有著廣泛的應(yīng)用。 主要功能特性: 1) 兼容 MCS51 指令系統(tǒng) ; 2) 8kB 可反復(fù)擦寫 (大于 1000 次) Flash ROM; 電子科技大學(xué)成都學(xué)院課程設(shè)計 12 3) 32 個雙向 I/O 口; 4) 256x8bit 內(nèi)部 RAM; 5) 3 個 16 位可編程定時 /計數(shù)器中斷; 6) 時鐘頻率 024MHz; 7) 2 個串行中斷,可編程 UART 串行通道; 8) 2 個外部中斷源,共 8 個中斷源; 9) 2 個讀寫中斷口線, 3 級加密位; 10) 低功耗空閑和掉電模式,軟件設(shè)置睡眠和喚醒功能 。 結(jié)論 我們通過集成電路和 2 款單片機(jī)的屬性 和優(yōu)缺點對比,我們覺得 AT89C51 單片機(jī)芯片 更加適合本次 實驗的中心控制 芯片。第 3 章 硬件設(shè)計 13 第 3章 硬件設(shè)計 硬件結(jié)構(gòu) 圖 31 是以 AT89C51 單片機(jī)為核心的音樂播放器系統(tǒng)硬件設(shè)計結(jié)構(gòu)框圖。該系統(tǒng)主要是由復(fù)位電路、按鍵電路、時鐘電路、中心模塊、揚(yáng)聲器驅(qū)動等組成。其工作原理為:此音樂播放器,有三個按鍵及控制按鈕:播放 /暫停、下一曲、上一曲;通過控制按鈕控制單片機(jī),播放所要求的音樂,并通過放大電路和喇叭輸出聲音。 圖 31 硬件結(jié)構(gòu)圖 中心控制模塊 中控采用的是 AT89C51 芯片,下面是 AT89C51 的引腳圖 :電子科技大學(xué)成都學(xué)院課程設(shè)計 14 圖 32 AT89C51 引腳圖 各端口作用: P0 口: P0 口是一個 8 位漏極開路的雙向 I/O 口。作為輸出口,每位能驅(qū)動 8個 TTL 邏輯電平。對 P0 端口寫 “1”時,引腳用作高阻抗輸入。當(dāng)訪問外部程序和數(shù)據(jù)存儲器時, P0 口也被作為低 8 位地址 /數(shù)據(jù)復(fù)用。在這種模式下, P0 具有內(nèi)部上拉電阻。在 flash 編程時, P0 口也用來接收指令字節(jié);在程序校驗時,輸出指令字節(jié)。程序校驗時,需要外部 上拉電阻。 P1 口: P1 口是一個具有內(nèi)部上拉電阻的 8 位雙向 I/O 口, p1 輸出緩沖器能驅(qū)動 4 個 TTL 邏輯電平。對 P1 端口寫 “1”時,內(nèi)部上拉電阻把端口拉高,此時可以作為輸入口使用。作為輸入使用時,被外部拉低的引腳由于內(nèi)部電阻的原因,將輸出電流( IIL)。此外, 和 分別作定時器 /計數(shù)器 2 的外部計數(shù)輸入( )和時器 /計數(shù)器 2 的觸發(fā)輸入( ),具體如下表所示。在 flash編程和校驗時, P1 口接收低 8 位地址字節(jié)。 引腳號第二功能 第 3 章 硬件設(shè)計 15 ? T2(定時器 /計數(shù)器 T2 的外部 計數(shù)輸入),時鐘輸出 ? T2EX(定時器 /計數(shù)器 T2 的捕捉 /重載觸發(fā)信號和方向控制) ? MOSI(在系統(tǒng)編程用) ? MISO(在系統(tǒng)編程用) ? SCK(在系統(tǒng)編程用) P2 口: P2 口是一個具有內(nèi)部上拉電阻的 8 位雙向 I/O 口, P2 輸出緩沖器能驅(qū)動 4 個 TTL 邏輯電平。對 P2 端口寫 “1”時,內(nèi)部上拉電阻把端口拉高,此時可以作為輸入口使用。作為輸入使用時,被外部拉低的引腳由于內(nèi)部電阻的原因,將輸出電流( IIL)。在訪問外部程序存儲器或用 16 位地址讀取外部數(shù)據(jù)存儲器(例如執(zhí)行 MOVX @DPTR)時, P2 口送出高八位地址。在這種應(yīng)用中, P2 口使用很強(qiáng)的內(nèi)部上拉發(fā)送 1。在使用 8 位地址(如 MOVX @RI)訪問外部數(shù)據(jù)存儲器時,P2 口輸出 P2 鎖存器的內(nèi)容。在 flash 編程和校驗時, P2 口也接收高 8 位地址字節(jié)和一些控制信號。 P3 口: P3 口是一個具有內(nèi)部上拉電阻的 8 位雙向 I/O 口, p3 輸出緩沖器能驅(qū)動 4 個 TTL 邏輯電平。對 P3 端口寫 “1”時,內(nèi)部上拉電阻把端口拉高,此時可以作為輸入口使用。作為輸入使用時,被外部拉低的引腳由于內(nèi)部電阻的原因,將輸出電流( IIL)。 P3 口亦作為 AT89C52 特殊功能(第二功能)使用,如下表所示。在 flash 編程和校驗時, P3 口也接 收一些控制信號。 端口引腳第二功能 ? RXD(串行輸入口 ) ? TXD(串行輸出口 ) ? INTO(外中斷 0) ? INT1(外中斷 1) ? TO(定時 /計數(shù)器 0) ? T1(定時 /計數(shù)器 1) ? WR(外部數(shù)據(jù)存儲器寫選通 ) ? RD(外部數(shù)據(jù)存儲器讀選通 ) 電子科技大學(xué)成都學(xué)院課程設(shè)計 16 此外, P3 口還接收一些用于 FLASH 閃存編程和程序校驗的控制信號。 RST——復(fù)位輸入。當(dāng) 振蕩器工作時, RST 引腳出現(xiàn)兩個機(jī)器周期以上高電平將是單片機(jī)復(fù)位。 ALE/PROG——當(dāng)訪問外部程序存儲器或數(shù)據(jù)存儲器時, ALE(地址鎖存允許)輸出脈沖用于鎖存地址的低 8 位字節(jié)。一般情況下, ALE 仍以時鐘振蕩頻率的 1/6輸出固定的脈沖信號,因此它可對外輸出時鐘或用于定時目的。要注意的是:每當(dāng)訪問外部數(shù)據(jù)存儲器時將跳過一個 ALE 脈沖。對 FLASH 存儲器編程期間,該引腳還用于輸入編程脈沖( PROG)。如有必要,可通過對特殊功能寄存器( SFR)區(qū)中的 8EH 單元的 D0 位置位,可禁止 ALE 操作。該位置位后,只有一 條 MOVX和 MOVC 指令才能將 ALE 激活。此外,該引腳會被微弱拉高,單片機(jī)執(zhí)行外部程序時,應(yīng)設(shè)置 ALE 禁止位無效。 PSEN——程序儲存允許( PSEN)輸出是外部程序存儲器的讀選通信號,當(dāng)AT89C52 由外部程序存儲器取指令(或數(shù)據(jù))時,每個機(jī)器周期兩次 PSEN 有效,即輸出兩個脈沖,在此期間,當(dāng)訪問外部數(shù)據(jù)存儲器,將跳過兩次 PSEN 信號。 EA/VPP——外部訪問允許,欲使 CPU 僅訪問外部程序存儲器(地址為0000HFFFFH), EA 端必須保持低電平(接地)。需注意的是:如果加密位 LB1被編程,復(fù)位時內(nèi)部 會鎖存 EA 端狀態(tài)。如 EA 端為高電平(接 Vcc 端), CPU則執(zhí)行內(nèi)部程序存儲器的指令。 FLASH 存儲器編程時,該引腳加上 +12V 的編程允許電源 Vpp,當(dāng)然這必須是該器件是使用 12V 編程電壓 Vpp。 電源 模塊 對于一個電子系統(tǒng)來說,電源部分的設(shè)計越發(fā)重要。對于一個實際的電子系統(tǒng),要認(rèn)真的分析它的電源需求。不僅僅是關(guān)心輸入電壓,輸出電壓和電流,還
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