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正文內(nèi)容

智能化壓力傳感器的設(shè)計(jì)學(xué)士學(xué)位論文(編輯修改稿)

2025-07-25 05:13 本頁(yè)面
 

【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 如若模擬量變化太快,則需在輸入前增加采樣保持電路。 地址輸入和控制線:4條 ALE為地址鎖存允許輸入線,高電平有效。當(dāng)ALE線為高電平時(shí),地址鎖存與譯碼器將A,B,C三條地址線的地址信號(hào)進(jìn)行鎖存,經(jīng)譯碼后被選中的通道的模擬量進(jìn)入轉(zhuǎn)換器進(jìn)行轉(zhuǎn)換。A,B和C為地址輸入線,用于選通IN0-IN7上的一路模擬量輸入。通道選擇表如下表所示。表41 ADC0809通道選擇CBA選擇的通道000IN0001IN1010IN2011IN3100IN4101IN5110IN6111IN7數(shù)字量輸出及控制線:11條 ST為轉(zhuǎn)換啟動(dòng)信號(hào)。當(dāng)ST上跳沿時(shí),所有內(nèi)部寄存器清零;下跳沿時(shí),開(kāi)始進(jìn)行A/D轉(zhuǎn)換;在轉(zhuǎn)換期間,ST應(yīng)保持低電平。EOC為轉(zhuǎn)換結(jié)束信號(hào)。當(dāng)EOC為高電平時(shí),表明轉(zhuǎn)換結(jié)束;否則,表明正在進(jìn)行A/D轉(zhuǎn)換。OE為輸出允許信號(hào),用于控制三條輸出鎖存器向單片機(jī)輸出轉(zhuǎn)換得到的數(shù)據(jù)。OE=1,輸出轉(zhuǎn)換得到的數(shù)據(jù);OE=0,輸出數(shù)據(jù)線呈高阻狀態(tài)。D7-D0為數(shù)字量輸出線。 CLK為時(shí)鐘輸入信號(hào)線。因ADC0809的內(nèi)部沒(méi)有時(shí)鐘電路,所需時(shí)鐘信號(hào)必須由外界提供,通常使用頻率為500KHZ, VREF(+),VREF(-)為參考電壓輸入。 ADC0809應(yīng)用說(shuō)明 (1). ADC0809內(nèi)部帶有輸出鎖存器,可以與AT89S51單片機(jī)直接相連。 (2). 初始化時(shí),使ST和OE信號(hào)全為低電平。 (3). 送要轉(zhuǎn)換的哪一通道的地址到A,B,C端口上。 (4). 在ST端給出一個(gè)至少有100ns寬的正脈沖信號(hào)。 (5). 是否轉(zhuǎn)換完畢,我們根據(jù)EOC信號(hào)來(lái)判斷。 (6). 當(dāng)EOC變?yōu)楦唠娖綍r(shí),這時(shí)給OE為高電平,轉(zhuǎn)換的數(shù)據(jù)就輸出給單片機(jī)了。 微處理器本次課題采用單片機(jī)STC89C52作為處理芯片,STC89C52是一種低功耗、高性能CMOS8位微控制器,具有 8K 在系統(tǒng)可編程Flash 存儲(chǔ)器。在單芯片上,擁有靈巧的8 位CPU 和在系統(tǒng)可編程Flash,使得STC89C52為眾多嵌入式控制應(yīng)用系統(tǒng)提供高靈活、超有效的解決方案。 具有以下標(biāo)準(zhǔn)功能: 8k字節(jié)Flash,512字節(jié)RAM, 32 位I/O 口線,看門狗定時(shí)器,內(nèi)置4KB EEPROM,MAX810復(fù)位電路,三個(gè)16 位定時(shí)器/計(jì)數(shù)器,一個(gè)6向量2級(jí)中斷結(jié)構(gòu),全雙工串行口。另外 STC89X52 可降至0Hz 靜態(tài)邏輯操作,支持2種軟件可選擇節(jié)電模式??臻e模式下,CPU 停止工作,允許RAM、定時(shí)器/計(jì)數(shù)器、串口、中斷繼續(xù)工作。掉電保護(hù)方式下,RAM內(nèi)容被保存,振蕩器被凍結(jié),單片機(jī)一切工作停止,直到下一個(gè)中斷或硬件復(fù)位為止。最高運(yùn)作頻率35Mhz,6T/12T可選。單片機(jī)STC89C52引腳圖如下。圖46 單片機(jī)STC89C52引腳圖 顯示模塊 LCD1602的優(yōu)點(diǎn)本次課題的顯示模塊采用LCD1602液晶顯示屏進(jìn)行顯示。選擇LCD1602進(jìn)行顯示具有如下優(yōu)點(diǎn):①顯示質(zhì)量高:由于液晶顯示器每一個(gè)點(diǎn)在收到信號(hào)后就一直保持那種色彩和亮度, 恒定發(fā)光,而不像陰極射線管顯示器(CRT)那樣需要不斷刷新新亮點(diǎn)。因此,液晶顯示器畫(huà)質(zhì)高且不會(huì)閃爍。數(shù)字式接口液晶顯示器都是數(shù)字式的,和單片機(jī)系統(tǒng)的接口更加簡(jiǎn)單可靠,操作更加方便。②體積小、重量輕:液晶顯示器通過(guò)顯示屏上的電極控制液晶分子狀態(tài)來(lái)達(dá)到顯示的目的,在重量上比相同顯示面積的傳統(tǒng)顯示器要輕得多。③功耗低:相對(duì)而言,液晶顯示器的功耗主要消耗在其內(nèi)部的電極和驅(qū)動(dòng) IC上,因而耗電量比其它顯示器要少得多。 1602 字符型 LCD 簡(jiǎn)介字符型液晶顯示模塊是一種專門用于顯示字母、數(shù)字、符號(hào)等點(diǎn)陣式 LCD,目前常用 16*1, 16*2,20*2 和 40*2 行等的模塊。下面以長(zhǎng)沙太陽(yáng)人電子有限公司的 1602 字符型液晶顯示器為例介紹其用法。一般 1602 字符型液晶顯示器實(shí)物如圖47圖47 LCD1602實(shí)物圖 1602LCD 的基本參數(shù)及引腳功能① 1602LCD 主要技術(shù)參數(shù):顯示容量:162 個(gè)字符;芯片工作電壓:— ;工作電流:() ;模塊最佳工作電壓: ;字符尺寸:(WH)mm。② 引腳功能說(shuō)明1602LCD的引腳圖如圖48所示。圖48 1602LCD的引腳圖1602采用標(biāo)準(zhǔn)的16腳接口,其中:第 1 腳:VSS 為地電源。第 2 腳:VDD 接 5V 正電源。 第 3 腳:VL 為液晶顯示器對(duì)比度調(diào)整端,接正電源時(shí)對(duì)比度最弱,接地時(shí)對(duì)比度最高,對(duì)比度過(guò)高時(shí)會(huì)產(chǎn)生“鬼影”,使用時(shí)可以通過(guò)一個(gè) 10K 的電位器調(diào)整對(duì)比度。第 4 腳:RS 為寄存器選擇,高電平時(shí)選擇數(shù)據(jù)寄存器、低電平時(shí)選擇指令寄存器。第 5 腳:R/W 為讀寫信號(hào)線,高電平時(shí)進(jìn)行讀操作,低電平時(shí)進(jìn)行寫操作。當(dāng) RS 和 R/W 共同為低電平時(shí)可以寫入指令或者顯示地址,當(dāng) RS 為低電平 R/W 為高電平時(shí)可以讀忙信號(hào),當(dāng) RS 為高電平 R/W 為低電平時(shí)可以寫入數(shù)據(jù)。第 6 腳:E 端為使能端,當(dāng) E 端由高電平跳變成低電平時(shí),液晶模塊執(zhí)行命令。第 7~14 腳:D0~D7 為 8 位雙向數(shù)據(jù)線。第 15 腳:背光源正極。 第 16 腳:背光源負(fù)極。 1602LCD 的指令說(shuō)明及時(shí)序① 1602 液晶模塊內(nèi)部的控制器共有 11 條控制指令,如表42所示表42 1602LCD控制指令表② 1602LCD基本操作時(shí)序圖圖49 讀操作時(shí)序圖圖410 寫操作時(shí)序圖 溫度補(bǔ)償模塊課程設(shè)計(jì)采用DS18B20芯片進(jìn)行溫度的采集,并實(shí)現(xiàn)溫度補(bǔ)償。以20℃為標(biāo)準(zhǔn)溫度。 DS18B20的主要特征 全數(shù)字溫度轉(zhuǎn)換及輸出。2 、先進(jìn)的單總線數(shù)據(jù)通信。3 、最高12位分辨率。4 、12位分辨率時(shí)的最大工作周期為750毫秒。5 、可選擇寄生工作方式。6 、檢測(cè)溫度范圍為–55176。C ~+125176。C (–67176。F ~+257176。F) 內(nèi)置EEPROM,限溫報(bào)警功能。8 、64位光刻ROM,內(nèi)置產(chǎn)品序列號(hào),方便多機(jī)掛接。9 、多樣封裝形式,適應(yīng)不同硬件系統(tǒng)。 DS18B20引腳功能GND 電壓地 DQ 單數(shù)據(jù)總線 VDD 電源電壓 DS18B20工作原理及應(yīng)用DS18B20的溫度檢測(cè)與數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)輸出全集成于一個(gè)芯片之上,從而抗干擾力更強(qiáng)。其一個(gè)工作周期可分為兩個(gè)部分,即溫度檢測(cè)和數(shù)據(jù)處理。在講解其工作流程之前我們有必要了解18B20的內(nèi)部存儲(chǔ)器資源。18B20共有三種形態(tài)的存儲(chǔ)器資源,它們分別是:ROM 只讀存儲(chǔ)器,用于存放DS18B20ID編碼,其前8位是單線系列編碼(DS18B20的編碼是19H),后面48位是芯片唯一的序列號(hào),最后8位是以上56的位的CRC碼(冗余校驗(yàn))。數(shù)據(jù)在出產(chǎn)時(shí)設(shè)置不由用戶更改。DS18B20共64位ROM。RAM 數(shù)據(jù)暫存器,用于內(nèi)部計(jì)算和數(shù)據(jù)存取,數(shù)據(jù)在掉電后丟失,DS18B20共9個(gè)字節(jié)RAM,每個(gè)字節(jié)為8位。第2個(gè)字節(jié)是溫度轉(zhuǎn)換后的數(shù)據(jù)值信息,第4個(gè)字節(jié)是用戶EEPROM(常用于溫度報(bào)警值儲(chǔ)存)的鏡像。在上電復(fù)位時(shí)其值將被刷新。第5個(gè)字節(jié)則是用戶第3個(gè)EEPROM的鏡像。第8個(gè)字節(jié)為計(jì)數(shù)寄存器,是為了讓用戶得到更高的溫度分辨率而設(shè)計(jì)的,同樣也是內(nèi)部溫度轉(zhuǎn)換、計(jì)算的暫存單元。第9個(gè)字節(jié)為前8個(gè)字節(jié)的CRC碼。EEPROM 非易失性記憶體,用于存放長(zhǎng)期需要保存的數(shù)據(jù),上下限溫度報(bào)警值和校驗(yàn)數(shù)據(jù),DS18B20共3位EEPROM,并在RAM都存在鏡像,以方便用戶操作。 DS18B20時(shí)序圖圖411 控制器對(duì)DS18B20操作流程 復(fù)位:首先我們必須對(duì)DS18B20芯片進(jìn)行復(fù)位,復(fù)位就是由控制器(單片機(jī))給DS18B20單總線至少480uS的低電平信號(hào)。當(dāng)18B20接到此復(fù)位信號(hào)后則會(huì)在15~60uS后回發(fā)一個(gè)芯片的存在脈沖。 存在脈沖:在復(fù)位電平結(jié)束之后,控制器應(yīng)該將數(shù)據(jù)單總線拉高,以便于在15~60uS后接收存在脈沖,存在脈沖為一個(gè)60~240uS的低電平信號(hào)。至此,通信雙方已經(jīng)達(dá)成了基本的協(xié)議,接下來(lái)將會(huì)是控制器與18B20間的數(shù)據(jù)通信。如果復(fù)位低電平的時(shí)間不足或是單總線的電路斷路都不會(huì)接到存在脈沖,在設(shè)計(jì)時(shí)要注意意外情況的處理。 控制器發(fā)送ROM指令:雙方打完了招呼之后最要將進(jìn)行交流了,ROM指令共有5條,每一個(gè)工作周期只能發(fā)一條,ROM指令分別是讀ROM數(shù)據(jù)、指定匹配芯片、跳躍ROM、芯片搜索、報(bào)警芯片搜索。ROM指令為8位長(zhǎng)度,功能是對(duì)片內(nèi)的64位光刻ROM進(jìn)行操作。其主要目的是為了分辨一條總線上掛接的多個(gè)器件并作處理。誠(chéng)然,單總線上可以同時(shí)掛接多個(gè)器件,并通過(guò)每個(gè)器件上所獨(dú)有的ID號(hào)來(lái)區(qū)別,一般只掛接單個(gè)18B20芯片時(shí)可以跳過(guò)ROM指令(注意:此處指的跳過(guò)ROM指令并非不發(fā)送ROM指令,而是用特有的一條“跳過(guò)指令”)。ROM指令在下文有詳細(xì)的介紹??刂破靼l(fā)送存儲(chǔ)器操作指令:在ROM指令發(fā)送給18B20之后,緊接著(不間斷)就是發(fā)送存儲(chǔ)器操作指令了。操作指令同樣為8位,共6條,存儲(chǔ)器操作指令分別是寫RAM數(shù)據(jù)、讀RAM數(shù)據(jù)、將RAM數(shù)據(jù)復(fù)制到EEPROM、溫度轉(zhuǎn)換、將EEPROM中的報(bào)警值復(fù)制到RAM、工作方式切換。存儲(chǔ)器操作指令的功能是命令18B20作什么樣的工作,是芯片控制的關(guān)鍵。 執(zhí)行或數(shù)據(jù)讀寫:一個(gè)存儲(chǔ)器操作指令結(jié)束后則將進(jìn)行指令執(zhí)行或數(shù)據(jù)的讀寫,這個(gè)操作要視存儲(chǔ)器操作指令而定。如執(zhí)行溫度轉(zhuǎn)換指令則控制器(單片機(jī))必須等待18B20執(zhí)行其指令,一般轉(zhuǎn)換時(shí)間為500uS。如執(zhí)行數(shù)據(jù)讀寫指令則需要嚴(yán)格遵循18B20的讀寫時(shí)序來(lái)操作。若要讀出當(dāng)前的溫度數(shù)據(jù)我們需要執(zhí)行兩次工作周期,第一個(gè)周期為復(fù)位、跳過(guò)ROM指令、執(zhí)行溫度轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器操作指令、等待500uS溫度轉(zhuǎn)換時(shí)間。緊接著執(zhí)行第二個(gè)周期為復(fù)位、跳過(guò)ROM指令、執(zhí)行讀RAM的存儲(chǔ)器操作指令、讀數(shù)據(jù)(最多為9個(gè)字節(jié),中途可停止,只讀簡(jiǎn)單溫度值則讀前2個(gè)字節(jié)即可)。圖412 DS18B2寫時(shí)序圖寫時(shí)間隙分為
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