【文章內(nèi)容簡介】 用作數(shù)據(jù)的校驗位或多機(jī)通訊中表示地址幀 /數(shù)據(jù)幀的標(biāo)志位。 RB8（ ） ： 在方式 2 或方式 3，是接收到的第 9 位數(shù)據(jù)。在方式 l，若 SM2＝ 0，則 RB8 是接收到的停止位。方式 0 不用 RB8。 TI（ ） ： 發(fā)送中斷請求標(biāo)志位。在方式 0，當(dāng)串行發(fā)送數(shù)據(jù)第 8 位結(jié)束時，由內(nèi)部硬件自動置位 TI=l，向主機(jī)請求中斷，響應(yīng)中斷后必須用軟件復(fù)位 TI=0。在其他方式中，則在停止位開始發(fā)送時由內(nèi)部硬件置位，必須 用軟件復(fù)位 。 RI（ ） ： 接收中斷請求標(biāo)志位。在方式 0，當(dāng)串行接收到第 8 位結(jié)束時由內(nèi)部硬件自動置位 RI=1，向主機(jī)請求申斷，響應(yīng)中斷后必須用軟件復(fù)位 RI=0。在其他方式中，串行接收到停止位的中間時刻由內(nèi)部硬件置位 RI＝ 1(例外情況見 SM2 說明 )，必須由軟件復(fù)位 RI=0。 其中 SM0、 SM1 按下列組合確定串行通訊的工作方式： PCON 電源控制寄存器 SMOD ：雙倍波特率控制位。 － ：保留。 GF1 ：通用標(biāo)志。 GF0 ：通用標(biāo)志。 PD ： PD＝ 1 時，進(jìn)入掉電方式。 IDL ： IDL＝ 1 時，進(jìn)入凍結(jié)方式。 六、定計器初值及串行通訊波特率的計算 定時器初值的計算 公式： TC＝ M－（ T／ T 計數(shù)） 其中 TC 為初值， M 為計數(shù)器模值， T 定時器定時時間， T 為 fosc/12 串行通訊波特率的計算 公式： 方式 0：波特率＝ 1/12 fosc 方式 2：波特率＝ 2SMOD/64 fosc 定時／計數(shù)器 1 的溢出率計算 因為上述 TC＝ M－ T／ T 計數(shù)公式可轉(zhuǎn)換為 T＝ T 計數(shù)（ M－ TC），式中 T 是定時/計數(shù)器溢出一次所需的時間，單位為秒。于是得定時 /計數(shù)器溢出率為 1／ T，單位 為次／秒。那么串行通訊方式 3 的波特率公式可寫為： 注： SMOD 見電源控制寄存器 PCON 中 SMOD 位的設(shè)置， SMOD＝ 1 或 SMOD＝ 0 常用波特率與定時／計數(shù)器 1 各參數(shù)關(guān)系 基于單片機(jī)的錄放音系統(tǒng)設(shè)計 一． ISD25120 語音芯片特點簡述： （ 1）使用方便的單片 120 秒語音錄放 （ 2）多段信息處理，可分 1 至 600 段 （ 3）高質(zhì)量、自然的語音還原技術(shù) （ 4）不耗電信息存 100 年（典型值） （ 5）邊沿 /電平觸發(fā)放音 （ 6） 100， 000 次錄音周期（典型值） （ 7）手動操作 /微控制器控制兼容 （ 8）片內(nèi)免調(diào)整時鐘，可選外部時鐘 （ 9）多片直接級聯(lián)，延長錄放時間 （ 10）無需開發(fā)系統(tǒng) （ 11） 5V 單電源工作，維持電流 1uA （ 12） DIP， SOLC， TSOP 封裝及工業(yè)級 ISD25120 系列單片錄放時間 120 秒，音質(zhì)好。芯片采用 CMOS 技術(shù)，內(nèi)含振蕩器、 話筒前置放大、自動增益控制、防混淆濾波器 、平滑濾波器、揚(yáng)聲器驅(qū)動及 EEPRIM 陣列 ISD2500 系列具備微控制器所需控制接口。通過操縱地址和控制線可完成不同的任務(wù)，實現(xiàn)復(fù)雜的信息處理，如信息的組合，連接，設(shè)定固定的信息段，信息管理等。 ISD2500 可不分段， 也可按最小段長為單位任意組合分段，參見表 1~1“最大段數(shù)”。 芯片采用多電平直接模擬量存儲專利技術(shù)，每個采樣值接存儲在片內(nèi)單個 EEPROM 單元中， 因此能夠非常真實、自然地再現(xiàn)語音、音樂、音調(diào)和效果聲，避免了一般固體錄音電路因量化和 壓縮造成的量化噪聲和“金屬聲”。采樣頻 率從 ， ， 到 ,同一第列的產(chǎn)品休樣頻 率越低 ,錄放時間越長 , 但通頻帶和音質(zhì)有所降低。片內(nèi)信息可保存 100 年 (無需后備電源 )， EEPROM 單元可反復(fù)錄音十萬次 圖 1~ ISD25120 硬封裝引腳圖 二、 引腳描述 電源（ VCCA， VCCD）： 芯片內(nèi)部的模擬和數(shù)字電路使用不同的電源總線，并且分別引到外封裝上， 這樣可使口若懸河最小。模擬和數(shù)字電源端最好分別走線，盡可能在靠近供電端處相連，而去耦 電容應(yīng)盡量靠近芯片。 地線（ VSSA， VSSD）： 芯片內(nèi)部的模擬和數(shù)字也可使用不同的地線，這兩腳最好在引腳焊盤上相連。 節(jié)電控制（ PD）： 本端拉高使芯片停止工作， 進(jìn)入不耗電的節(jié)電狀態(tài)，芯片發(fā)生溢出，即 /OVF 端輸 出低電平后，要將本端短暫變高復(fù)位芯片，才能使之再次工作。 片選（ /CE）： 本端變低后（而且 PD 為低），允許進(jìn)行錄放操作。芯片在本端的下降沿鎖存地直線和 P/R 端的狀態(tài)。 錄放模式（ P/R）： 本端狀態(tài)在 /CE 的下降沿鎖存。高電平選擇放音，低電平選擇錄音。錄音時，由地 址端提供起始地址，錄音持續(xù)到 /CE 或 PD 變高，或內(nèi) 存溢出；如果是前一種情況，芯片自動在 錄音結(jié)束處寫入 EOM 標(biāo)志。放音時由地址端提供起始地址，放音持續(xù)到 EOM 標(biāo)志。如果 /CE 一 直為低，或芯片工作在某些操作模式，放音會忽略 EOM，繼續(xù)進(jìn)行下去。 信息結(jié)尾標(biāo)志（ /EOM）： EOM 標(biāo)志在錄音時由芯片自動插入到該信息的結(jié)尾。放音遇到 EOM 時， 本端輸出低電平脈沖。芯片內(nèi)部會檢測電源電壓以維護(hù)信息的完整性，當(dāng)電壓低于 時，本端變低，芯片只能放音。 溢出標(biāo)志（ /OVF）： 芯片處于存儲空間末尾時本端輸出低電平脈沖表示溢出，之后本端狀 態(tài)跟隨 /CE 端 的狀態(tài)，直到 PD 端變高。本端可用于級聯(lián)。 話筒輸入（ MIC）： 本端連至片內(nèi)前置放大器。 片內(nèi)自動增溢控制電路（ AGC）： 將置增益控制在 15 至 24dB。外接話筒應(yīng)通過串聯(lián)電容耦合到本端。耦合電容值和本端的 10KΩ輸入阻抗決定了芯片頻帶的低頻截止點。 話筒參考（ MIC REF）： 本端是前置放大器的反向輸入。當(dāng)以差分形式連接話筒時，可減小噪聲，提高 共模抑制比。 自動增益控制（ AGC） AGC 動態(tài)調(diào)整前置增益以補(bǔ)償話筒輸入電平的寬幅變化，使得錄制變化很大的 音量（從耳語到喧 囂聲）時失真都能保持最小。響應(yīng)時間取決于本端的 5KΩ輸入阻抗外接的對地 電容（即線路圖中 C2）的時間常數(shù)。釋放是境取決于本端外接的并聯(lián)對地電容和電阻（即線路圖 中 R2和 C2）的時間常數(shù)。 470KΩ和 的標(biāo)稱值在絕大多數(shù)場合下可獲得滿意的效果 . 模擬輸出 (ANA OUT)前置放大器的輸出 .前置電壓增益取決于 AGC 端電平 . 模擬輸入 (ANA IN )： 本端為芯片錄音信號輸出 .對話筒輸入來說 ANA OUT端應(yīng)通過外接電容連至本端 . 該電容和本端的 3KΩ輸入阻抗給出了芯片頻帶的附加低端截止頻率 .其它音源可通過交流耦合直 接連至本端 (繞過了 TER 的前置 )。 喇叭輸出（ SP+、 SP）： 過對輸出端級驅(qū)動 16Ω以上的喇叭（內(nèi)存放音時功率為 ,AUX IN 放音 時功率為 50mW） .單端使用時必須在輸出端和喇叭間接耦合電容 ,而雙端輸出既不用電容又不能將功率 提高至 4 倍 .錄音和節(jié)電模式下 ,它們保持為低電平 .注意 :多個芯片的喇叭輸出端絕對不能并聯(lián) ,否則 可能損壞芯片 !不用的喇叭輸出端絕對不能接地 ! 輔助輸入 (AUX IN)： 當(dāng) /CE和 P/R為高 ,放音不進(jìn)行 ,或處入放音溢出狀態(tài)時 ,本端的輸入信號過內(nèi)部功 放驅(qū)動喇叭輸出端 .當(dāng)多個 2500芯片級聯(lián)時 ,后級的喇叭輸出通過本端連接到本級的輸出放大器 , 為防止噪聲 ,建議在放內(nèi)存信息時 ,本端不要有驅(qū)動信號 外部時鐘 (XCLK)： 本端內(nèi)部有下拉元件 ,不用時應(yīng)接地。芯片內(nèi)部的采樣時鐘在出廠前已調(diào)節(jié)器校 ,誤差 地 +1%內(nèi) .商業(yè)級芯片在整個溫度和電壓范圍內(nèi) ,頻率變化在 +%內(nèi) .工業(yè)級芯片在整個溫度和電 壓范圍內(nèi)，頻率變化在 +5%內(nèi)，建議使用穩(wěn)壓電源。若要求更高精度或系統(tǒng)同步，可從本端輸入 外部時鐘，頻率如表 2~3“外部鐘頻” 基于單片機(jī)的錄放音系統(tǒng)設(shè)計 所示。由于內(nèi)部的防混淆及增滑濾波器已設(shè)定，故上述推 薦的時鐘頻率不應(yīng)改京戲。輸入時鐘的占空比無關(guān)緊要，因內(nèi)部首先了進(jìn)行分頻。 地址 /模式輸 入（ AX/MX）： 地址端有個作用，取 決于最高兩位（ MSB， 25120 的 A8 和 A9）的狀態(tài)。當(dāng)最高兩位中有一個為 0 時，所有輸入均解釋為地址位， 作為當(dāng)前錄入操作的起始地址。地址端只作輸入，不輸出操作過程中的內(nèi)部地址信息。地址在 /CE 的下降沿鎖存。 三 .操作模式 ISD25120 系列內(nèi)置了若干操作模式，可用最少的外圍器件實現(xiàn)最多的功能。操作 模式也由地址端控制；當(dāng)最高兩位都為 1 時，其它地址端置高就選擇某個（或某幾個）模式。因 此操作模式和直接尋址相互排斥。操作模式可由微控制器也可由硬件實現(xiàn)。使用操作模式有兩點 要注意： （ 1）所有操作最初都是從 0 地址，即存儲空間的起始端開始。后續(xù)操作根據(jù)選用的模式 可從其它地址開始。但是，電路由錄轉(zhuǎn)為放，或由放轉(zhuǎn)為錄時（ M6 模式除外），或執(zhí)行了掉電周 期后，地址計數(shù)器復(fù)位為 0。 （ 2）當(dāng) /CE 變低，最高兩地址位同高時，執(zhí)行操作模式。這種操作 模式一直有效，除非 /CE 再次由高變低，芯片重新鎖存當(dāng)前的地址 /模式端電平，然后執(zhí)行相應(yīng)操作。 表 1~2 操作模式簡表 M0（信息檢索） —— 快速跳過信息而不必知道其確切地址。 /CE 每輸入一個低脈沖，內(nèi)部地址計 器就跳到下一條信息，此 模式僅用于放音，通常與 M4 同時使用。 M1（刪除 EOM 標(biāo)志） —— 使分段信息變?yōu)橐粭l信息，僅在信息后保留一個 EOM 標(biāo)志 .這個模式 完成后， 錄入的所有信息就變成一條連續(xù)的信息。 M3（信息循環(huán)） —— 循環(huán)重入位于存儲空間起始處的那條信息。一條信息可以完全占滿存儲空 間，那么循環(huán)就從頭至尾進(jìn)行，這進(jìn) /OVF 不變低。 M4（連續(xù)尋址） —— 正常操作中，重放遇到 EOM 標(biāo)志時， 地址計數(shù)器會復(fù)位。M4 禁止地址計 數(shù)器復(fù)位，使得信息可連續(xù)錄放或重放。 M5（ /CE 電平有效） —— 通常，錄音時 /CE 為 電平觸發(fā)，放音時 /CE 為邊沿觸發(fā)。本模式將放音 時 /CE 設(shè)置為電平觸發(fā)，特別適用于需用 /CE 終止放音的場合。操作為： /CE 變低扣，芯 片從內(nèi)存起始放音， /CE 變高放音即刻停止。 /CE 再變低后。仍從內(nèi)存起處開始放音，除 非 M4 也是高。 M6（按鍵模式） —— 本模式的外圍電路最簡，成本大為降低；在錄放結(jié)束， /CE 變高后，芯片自 動進(jìn)入節(jié)電模式。而且， /CE、 PD、 /EOM 的作用重新定義如下： /CE（開始 /暫停，低脈沖有效） —— /CE 端的下降沿控制操作的開始和暫停。當(dāng)芯片不錄不放時， /CE 端的下降沿就啟動錄 /放操作。之后，如果在芯片沒遇到 EOM 標(biāo)志（放音時）或沒發(fā)生溢出疥，再來一個 /CE 下降沿將暫停當(dāng)操作。暫停后，地址并不復(fù)位，再來一個 /CE 下 降沿后從暫停處繼續(xù)操作。 PD（停止 /復(fù)位，高脈沖有效） —