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正文內(nèi)容

單相電子是預(yù)付費(fèi)電度表的研究畢業(yè)設(shè)計(jì)(編輯修改稿)

2024-07-24 13:51 本頁(yè)面
 

【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 內(nèi)含256字節(jié)的RAM;l 具有32根可編程I/O口線;l 具有3個(gè)可編程定時(shí)器;l 中斷系統(tǒng)是具有8個(gè)中斷源、6個(gè)中斷矢量、2個(gè)優(yōu)先權(quán)的中斷結(jié)構(gòu);l 串行口是具有一個(gè)全雙工的可編程串行通信口;l 具有一個(gè)數(shù)據(jù)指針DPTR;l 低功耗工作模式有空閑模式和掉電模式;l 具有可編程的3級(jí)程序鎖定位;l AT89C52工作電源電壓為5(1177。)V,且典型值為5V;l AT89C52最高工作頻率為24MHz。引腳排列及功能1  AT89C52的引腳排列如圖35所示圖35 AT89C52引腳圖②功能:l P0口——8位、漏極開(kāi)路的雙向I/O口。當(dāng)使用片外存儲(chǔ)器及外擴(kuò)I/O口時(shí),P0口作為低字節(jié)地址/數(shù)據(jù)復(fù)用線。在編程時(shí),P0口可用于接收指令代碼字節(jié);在程序校驗(yàn)時(shí),P0口可輸出指令字節(jié)(這時(shí)需要加外部上拉電阻)。P0口也可作通用I/O口使用,但需要加上拉電阻,變?yōu)闇?zhǔn)雙向口。當(dāng)作為普通輸入時(shí),應(yīng)將輸出鎖存器置1。P0口可驅(qū)動(dòng)8個(gè)TTL負(fù)載。l P1口——8位、準(zhǔn)雙向I/O口,具有內(nèi)部上拉電阻。P1口是為用戶準(zhǔn)備的I/O雙向口。在編程和校驗(yàn)時(shí),可用做輸入低8位地址。用做輸入時(shí),應(yīng)先將輸出鎖存器置1。P1口可驅(qū)動(dòng)4個(gè)TTL負(fù)載。;可編程脈沖輸出端。;定時(shí)器2的計(jì)數(shù)方向控制端。l P2口——8位、準(zhǔn)雙向I/O口,具有內(nèi)部上拉電阻。當(dāng)使用片外存儲(chǔ)器或外擴(kuò)I/O口時(shí),P2口輸出高8位地址。在編程/校驗(yàn)時(shí),P2口可接收高字節(jié)地址和某些控制信號(hào)。P2口也可作普通I/O口使用。用做輸入時(shí),應(yīng)先將輸出鎖存器置1。P2口可驅(qū)動(dòng)4個(gè)TTL負(fù)載。l P3口——8位、準(zhǔn)雙向I/O口,具有內(nèi)部上拉電阻。P3口作為普通的I/O口。用做輸入時(shí),應(yīng)先將輸出鎖存器置1。在編程/校驗(yàn)時(shí),P3口接收某些控制信號(hào)。它可驅(qū)動(dòng)4個(gè)TTL負(fù)載。P3口還提供各種替代功能,如表32所示。表32 P3口替代功能 引腳 替代功能 說(shuō)明RXD串行數(shù)據(jù)接收TXD串行數(shù)據(jù)發(fā)送INT0外部中斷0申請(qǐng)INT1外部中斷1申請(qǐng)T0定時(shí)器0外部事件計(jì)數(shù)輸入T1定時(shí)器1外部事件計(jì)數(shù)輸入WR外部RAM寫選通RD外部RAM讀選通l RST——復(fù)位輸入信號(hào),高電平有效。在振蕩器穩(wěn)定工作時(shí)候,在RST腳施加兩個(gè)機(jī)器周期(即24個(gè)晶振周期)以上的高電平,將器件復(fù)位。l VCC——電源電壓輸入引腳。l GND——電源地。l XTAL1——片內(nèi)振蕩器反相放大器和時(shí)鐘發(fā)生電路的輸入端。使用片內(nèi)振蕩器時(shí),連接外部石英晶體和微調(diào)電容。l XTAL2——片內(nèi)振蕩器反相放大器的輸出端。當(dāng)使用片內(nèi)振蕩器時(shí),外接石英晶體和微調(diào)電容。當(dāng)使用外部振蕩器時(shí),引腳XTAL1接收外振蕩器信號(hào),XTAL2懸空。l ALE/PROG——當(dāng)訪問(wèn)外部程序存儲(chǔ)器或數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器時(shí),ALE(地址鎖存允許)輸出脈沖用于鎖存地址的低8 位字節(jié)。一般情況下,ALE 仍以時(shí)鐘振蕩頻率的1/6 輸出固定的脈沖信號(hào),因此它可對(duì)外輸出時(shí)鐘或用于定時(shí)目的。要注意的是:每當(dāng)訪問(wèn)外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器時(shí)將跳過(guò)一個(gè)ALE 脈沖。對(duì)Flash 存儲(chǔ)器編程期間,該引腳還用于輸入編程脈沖(PROG)。如有必要,可通過(guò)對(duì)特殊功能寄存器(SFR)區(qū)中的8EH 單元的D0 位置位,可禁止ALE 操作。該位置位后,只有一條MOVX 和MOVC指令才能將ALE 激活。此外,該引腳會(huì)被微弱拉高,單片機(jī)執(zhí)行外部程序時(shí),應(yīng)設(shè)置ALE 禁止位無(wú)效。l PSEN——程序儲(chǔ)存允許(PSEN)輸出是外部程序存儲(chǔ)器的讀選通信號(hào),當(dāng)AT89C52 由外部程序存儲(chǔ)器取指令(或數(shù)據(jù))時(shí),每個(gè)機(jī)器周期兩次PSEN 有效,即輸出兩個(gè)脈沖。在此期間,當(dāng)訪問(wèn)外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器,將跳過(guò)兩次PSEN信號(hào)。l EA/VPP——外部訪問(wèn)允許。欲使CPU 僅訪問(wèn)外部程序存儲(chǔ)器(地址為0000H—FFFFH),EA 端必須保持低電平(接地)。需注意的是:如果加密位LB1 被編程,復(fù)位時(shí)內(nèi)部會(huì)鎖存EA端狀態(tài)。如EA端為高電平(接Vcc端),CPU 則執(zhí)行內(nèi)部程序存儲(chǔ)器中的指令。Flash 存儲(chǔ)器編程時(shí),該引腳加上+12V 的編程允許電源VCC,當(dāng)然這必須是該器件是使用12V 編程電壓VCC[13]。3  時(shí)鐘振蕩器  AT89C52 中有一個(gè)用于構(gòu)成內(nèi)部振蕩器的高增益反相放大器,引腳XTAL1和XTAL2分別是該放大器的輸入端和輸出端。這個(gè)放大器與作為反饋元件的片外石英晶體或陶瓷諧振器一起構(gòu)成自激振蕩器,振蕩電路參見(jiàn)圖36。外接石英晶體(或陶瓷諧振器)及電容CC2 接在放大器的反饋回路中構(gòu)成并聯(lián)振蕩電路。對(duì)外接電容CC2 雖然沒(méi)有十分嚴(yán)格的要求,但電容容量的大小會(huì)輕微影響振蕩頻率的高低、振蕩器工作的穩(wěn)定性、起振的難易程序及溫度穩(wěn)定性,如果使用石英晶體,我們推薦電容使用30pF177。10pF,而如使用陶瓷諧振器建議選擇40pF177。10F。用戶也可以采用外部時(shí)鐘。這種情況下,外部時(shí)鐘脈沖接到XTAL1 端,即內(nèi)部時(shí)鐘發(fā)生器的輸入端,XTAL2 則懸空。由于外部時(shí)鐘信號(hào)是通過(guò)一個(gè)2分頻觸發(fā)器后作為內(nèi)部時(shí)鐘信號(hào)的,所以對(duì)外部時(shí)鐘信號(hào)的占空比沒(méi)有特殊要求,但最小高電平持續(xù)時(shí)間和最大的低電平持續(xù)時(shí)間應(yīng)符合產(chǎn)品技術(shù)條件的要求。C2XTAL2XTAL1GNDC1圖36內(nèi)部振蕩電路4  空閑節(jié)電模式 在空閑工作模式狀態(tài),CPU自身處于睡眠狀態(tài)而所有片內(nèi)的外設(shè)仍保持激活狀態(tài),這種方式由軟件產(chǎn)生。此時(shí),同時(shí)將片內(nèi)RAM 和所有特殊功能寄存器的內(nèi)容凍結(jié)??臻e模式可由任何允許的中斷請(qǐng)求或硬件復(fù)位終止。由硬件復(fù)位終止空閑狀態(tài)只需兩個(gè)機(jī)器周期有效復(fù)位信號(hào),在此狀態(tài)下,片內(nèi)硬件禁止訪問(wèn)內(nèi)部RAM,但可以訪問(wèn)端口引腳,當(dāng)用復(fù)位終止空閑方式時(shí),為避免可能對(duì)端口產(chǎn)生意外寫入,激活空閑模式的那條指令后一條指令不應(yīng)是一條對(duì)端口或外部存儲(chǔ)器的寫入指令。5  掉電模式在掉電模式下,振蕩器停止工作,進(jìn)入掉電模式的指令是最后一條被執(zhí)行的指令,片內(nèi)RAM 和特殊功能寄存器的內(nèi)容在終止掉電模式前被凍結(jié)。退出掉電模式的唯一方法是硬件復(fù)位,復(fù)位后將重新定義全部特殊功能寄存器,但不改變RAM中的內(nèi)容,在Vcc恢復(fù)到正常工作電平前,復(fù)位應(yīng)無(wú)效,且必須保持一定時(shí)間以使振蕩器重啟動(dòng)并穩(wěn)定工作。 單片機(jī)復(fù)位、晶振電路的設(shè)計(jì)設(shè)計(jì)AT89C52單片機(jī)復(fù)位、晶振電路如圖37所示。IC4與時(shí)鐘電路(包括晶體振蕩器、電容C1C15),上電復(fù)位電路(包括R2C1SVDC3R50)構(gòu)成單片機(jī)的最小系統(tǒng)。其中,晶體振蕩器選用12MHz的高穩(wěn)定無(wú)源晶體振蕩器,它與AT89C52中的反向放大器構(gòu)成振蕩器,給CPU提供高穩(wěn)定的時(shí)鐘信號(hào)。電容C1C15可起頻率微調(diào)作用,電容值在5pF~30pF之間選擇,本電路選20pF。電容C13和電阻R23構(gòu)成上電復(fù)位電路。電源開(kāi)啟時(shí),電源對(duì)電容C13充電,在CPU的復(fù)位端產(chǎn)生一高脈沖。只要高電平的維持時(shí)間大于兩個(gè)機(jī)器周期(24個(gè)振蕩周期)。CPU就可復(fù)位。二極管VD10的作用是當(dāng)斷電時(shí),可使電容C13所儲(chǔ)存的電荷迅速釋放,以便下次上電時(shí)可靠復(fù)位。電容C13可濾除高頻干擾,防止單片機(jī)誤復(fù)位。按鍵S2和電阻R50構(gòu)成按鍵復(fù)位電路。電阻R30和按鍵S1構(gòu)成鍵盤,用以實(shí)現(xiàn)顯示內(nèi)容的切換。電能脈沖由的8腳經(jīng)光電耦合器IC2送到IC4的T0端,用以實(shí)現(xiàn)脈沖計(jì)數(shù)。圖37 AT89C52單片機(jī)控制電路、 顯示電路的實(shí)現(xiàn)本系統(tǒng)采用液晶顯示器。其特點(diǎn)是顯示內(nèi)容豐富(可顯示漢字),功耗小,可靠性高,電路簡(jiǎn)單。選用的器件型號(hào)是:SMG12232B2,顯示容量為12232點(diǎn)陣。采用總線方式連接。 SMG12232B2顯示器介紹①主要技術(shù)參數(shù)SMG12232B2的主要技術(shù)參數(shù)如表33所示。表33 SMG12232B2的技術(shù)參數(shù) 顯示容量 12232點(diǎn)陣 工作溫度 10℃~+50℃芯片工作電壓~存儲(chǔ)溫度20℃~+60℃芯片工作電流5mA()背光源類型EL最佳工作電壓背光源工作電壓點(diǎn)尺寸背光源工作電流30mA②接口信號(hào)說(shuō)明SMG12232B2的接口信號(hào)說(shuō)明如表34所示。表34 SMG12232B2的接口信號(hào)說(shuō)明 編號(hào) 符號(hào) 引腳說(shuō)明編號(hào) 符號(hào) 引腳說(shuō)明1RST復(fù)位端(高電平復(fù)位)9DB1數(shù)據(jù)口12VCC電源正極10DB0數(shù)據(jù)口03DB7數(shù)據(jù)口711GND電源地4DB6數(shù)據(jù)口612寫信號(hào)(低電平有效)5DB5數(shù)據(jù)口513讀信號(hào)(低電平有效)6DB4數(shù)據(jù)口414CS1片選IC1信號(hào)7DB3數(shù)據(jù)口315CS2片選IC2信號(hào)8DB2數(shù)據(jù)口216A0數(shù)據(jù)/命令選擇端(H/L)EL+背光源驅(qū)動(dòng)電壓輸入端EL背光源驅(qū)動(dòng)電壓輸入端③SMG12232B2控制器接口說(shuō)明l 基本操作時(shí)序(L為低電平,H為高電平)讀狀態(tài):輸入A0=L,CS1或CS2=L,RD=L,WR=H輸出 DB7~DB0=狀態(tài)字寫指令:輸入A0=L,CS1或CS2=L,RD=H,WR=L,DB7~DB0=指令碼 輸出無(wú)讀數(shù)據(jù):輸入A0=H,CS1或CS2=L,RD=L,WR=H輸出 DB7~DB0=數(shù)據(jù)寫數(shù)據(jù):輸入A0=H,CS1或CS2=L,RD=H,WR=L,DB7~DB0=數(shù)據(jù)輸出無(wú)l 狀態(tài)字說(shuō)明SMG12232B2狀態(tài)字說(shuō)明如表35,36表35 SMG12232B2的狀態(tài)字說(shuō)明STA7STA6STA5STA4STA3STA2STA1STA0D7D6D5D4D3D2D1D0表35 SMG12232B2的狀態(tài)字說(shuō)明STA0~4未用STA5液晶顯示狀態(tài)1:關(guān)閉;0:顯示 STA6未用STA7讀寫操作使能1:禁止;0:允許在使用時(shí),對(duì)控制器的每次讀寫操作之前,都必須進(jìn)行讀寫檢測(cè)。以確保STA7為0。l SMG12232B2中RAM的地址映射圖LCD顯示屏由兩片控制器控制,每個(gè)內(nèi)部帶有3280位(320B)的RAM緩沖區(qū),對(duì)應(yīng)關(guān)系如圖38所示。LCD 122X32IC1 4頁(yè)X61列 32X61點(diǎn)IC1 4頁(yè)X61列 32X61點(diǎn)第2頁(yè)第3頁(yè)第1頁(yè)第0頁(yè)0 4頁(yè)X61列 32X61019790 4頁(yè)X61列 32X6101979圖38 SMG12232B2中RAM的地址映射 顯示電路的設(shè)計(jì)硬件電路如圖39所示。液晶顯示器SMG12232B2的片選信號(hào)引腳CS2或CS1被選中時(shí),液晶顯示器SMG12232B2處于工作狀態(tài)。當(dāng)數(shù)據(jù)/命令選擇端A0為低電平時(shí),執(zhí)行命令操作,且在寫信號(hào)WR有效時(shí),單片機(jī)P0口向液晶顯示器SMG12232B2的DB7—DB0位輸出狀態(tài)字(如液晶顯示狀態(tài)、讀寫操作使能狀態(tài))和顯示指令碼。當(dāng)數(shù)據(jù)/命令選擇端A0為高電平時(shí),且在寫信號(hào)WR分別有效時(shí),單片機(jī)P0口向液晶顯示器SMG12232B2的DB7—DB0輸出數(shù)據(jù)和顯示數(shù)據(jù)(如正在讀卡,請(qǐng)稍后;空卡;卡短路;非法卡;超負(fù)荷等)。圖39液晶顯示接口電路 其他部分電路設(shè)計(jì) IC卡接口電路IC卡接口電路采用的是Atmel公司的存儲(chǔ)IC卡,用于存儲(chǔ)由售電管理系統(tǒng)寫入的卡號(hào)、電度數(shù)等,是電管部門與用戶連接的橋梁。為了提高IC卡操作的可靠性,必須有卡上下電控制電路、卡插入檢測(cè)電路、卡短路檢測(cè)電路等輔助電路,結(jié)合軟件可以大大提高其讀寫的準(zhǔn)確性和可靠性。IC卡接口電路如圖310所示。R2VDVT2組成卡上下電電路。=0時(shí),VT2導(dǎo)通,IC卡座之VCC得電;=1時(shí),VT2截止,IC卡座之VCC失電。,檢測(cè)有無(wú)卡電源短路現(xiàn)象,以防人為破壞。KK2為IC卡座的一對(duì)常閉觸點(diǎn),當(dāng)有卡插入時(shí),KK2開(kāi)路,VT3導(dǎo)通,此信號(hào)用來(lái)檢測(cè)有無(wú)卡插入。圖310 IC卡接口電路 電能存儲(chǔ)器由于IC卡上有許多用戶信息,如用戶號(hào)、電表號(hào)、電表剩余電量、累計(jì)用電量、電表狀態(tài)等,在電表上電和掉電時(shí)需要對(duì)這些數(shù)據(jù)進(jìn)行必要的保護(hù),因此需要選擇合適的EPROM來(lái)存放CPU讀取到的IC卡上的信息以及保護(hù)IC卡電表的工作狀態(tài)參數(shù)。串行EEPROM選用AT24C04,AT24C04為低電壓(~)、長(zhǎng)壽命(可擦寫10萬(wàn)次以上)器件。在掉電時(shí)存儲(chǔ)剩余電度數(shù)。1) AT24C04芯片介紹 AT24C04是ATMEL公司生產(chǎn)的4KB(512Bytes)E2PROM芯片,引腳圖如圖311,該芯片采用I2C總線設(shè)計(jì),主要性能指標(biāo)與AT24C02類似,不同點(diǎn)為:l 容量為AT24C02的兩倍,分為兩部分存儲(chǔ)空間,每部分256bytes。l 有2個(gè)器件地址選擇腳,一個(gè)I2C總線最多能夠掛接4個(gè)AT24C04器件 l 32頁(yè),每頁(yè)16字節(jié),每次可連續(xù)寫入16字節(jié)數(shù)據(jù)。l WP引腳為高電平時(shí),AT24C04的0~255地址空間的數(shù)據(jù)被寫保護(hù)。l 需要9位的地址進(jìn)行數(shù)據(jù)尋址。A0A1A2GNDVCCWPSCLSDA12345678 圖311 AT24C04引腳接口說(shuō)明如表37A0為空引腳,A1,A2口為器件地址設(shè)定口,通過(guò)A1,A2口來(lái)設(shè)定AT24C0
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