【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 680 R34680SCR1MC97A6SCR2MC97A6SCR3MC97A6SCR4MC97A61 2LED1LEDMR38100R37100R36100R35100C12104PC11104PC10104PC9104P220v..圖 電機(jī)引線圖 K1：低、中、高檔，相應(yīng)的指示燈亮。 K2：控制彩燈，相應(yīng)的指示燈亮 。K3：風(fēng)扇速度調(diào)整開(kāi)關(guān)，實(shí)現(xiàn)自然風(fēng)、睡眠風(fēng)、正常風(fēng)手動(dòng)控制 。 宿遷學(xué)院畢業(yè)設(shè)計(jì)論文20K4: 每按動(dòng)一次可分別設(shè)定 30 分鐘，1 小時(shí)，2 小時(shí)，4 小時(shí)的累計(jì)定時(shí)。并由相應(yīng)的指示燈點(diǎn)亮。K5：具有開(kāi)機(jī)功能和關(guān)機(jī)功能 ，它能切斷風(fēng)扇功能和已經(jīng)設(shè)定的 30 分鐘，1 小時(shí)，2 小時(shí)，4 小時(shí)的累計(jì)定時(shí)。30 分鐘 1 小時(shí) 2 小時(shí) 4 小時(shí) 定時(shí)循環(huán)圖 風(fēng)類 自然風(fēng)的處理流程 : 停 6 秒 弱風(fēng) 6 秒 中風(fēng) 6 秒 強(qiáng)風(fēng) 6 秒睡眠風(fēng)的處理流程 : 停 6 秒 弱風(fēng) 6 秒 停 6 秒 中風(fēng) 6 秒停 6 秒高風(fēng) 6 秒 正常風(fēng)的處理流程 : 弱風(fēng) 10 秒 中風(fēng) 10 秒圖 自然風(fēng) 睡眠風(fēng) 正常風(fēng)循環(huán) 高風(fēng) 10秒宿遷學(xué)院畢業(yè)設(shè)計(jì)論文21自然風(fēng)的處理流程：停開(kāi)低檔延時(shí) 6 秒開(kāi)中檔延時(shí) 6秒開(kāi)高檔循環(huán) 。睡眠風(fēng)的處理流程：停 6S開(kāi)低檔 10S停延時(shí) 10S開(kāi)中檔10S停延時(shí) 10S開(kāi)高檔 10S循環(huán)。正常風(fēng)的處理流程：開(kāi)低檔 10S 開(kāi)中檔 10S 開(kāi)高檔 10S 循環(huán)。 工作方式分為手動(dòng)和遙控兩種方式。 信號(hào)接收芯片外圍電路 接收電路可以使用集成紅外接收器成品，一般不需要任何元件就能完成從紅外接收到輸出 TTL 電平兼容信號(hào)的所有工作。注意選擇接收器件時(shí)要保證接收器件的中心頻率與發(fā)射信號(hào)的頻率相匹配，接受器件對(duì)外只有 3 個(gè)引腳：VCC，GND 和一個(gè)脈沖信號(hào)輸出 OUT。與單片機(jī)接口非常方便。 組成部分元件簡(jiǎn)介 AT89C51 功能AT89C51 是美國(guó) ATMEL 公司生產(chǎn)的低電壓，高性能 CMOS 8 位單片機(jī)，片內(nèi)含 4K bytes 的可反復(fù)擦寫(xiě)的只讀程序存儲(chǔ)器 PEROM 和 128bytes 的隨機(jī)存取數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器，器件采用公司的高密度，非易失性存儲(chǔ)技術(shù)生產(chǎn)，兼容標(biāo)準(zhǔn) MCS—51 指令系統(tǒng)，片內(nèi)置通用 8 位中央處理器和 FLASH 存儲(chǔ)單元，功能強(qiáng)大。此單片機(jī)可為您提供許多高性價(jià)比的應(yīng)用場(chǎng)合。 主要性能參數(shù)： 1 和 MCS8051 產(chǎn)品兼容。 2 4KB 可重編程閃速存儲(chǔ)器。 3 耐久性:1000 寫(xiě)/擦除周期。 4 ~6V 的操作范圍。 5 全靜態(tài)操作：0Hz~24MHz。 6 三級(jí)加密程序存儲(chǔ)器。 7 1288 位內(nèi)部 RAM。 宿遷學(xué)院畢業(yè)設(shè)計(jì)論文228 32 根可編程 I/O 引線。 9 6 個(gè)中斷源。 10 可編程串行 UART 通道。 11 直接 LED 驅(qū)動(dòng)輸出。 12 片內(nèi)模擬比較器。 13 低耗空載和掉電方式。 功能特性概述AT89C51 提供以下標(biāo)準(zhǔn)功能：4K 字節(jié) FLASH 閃速存儲(chǔ)器，128 字節(jié)內(nèi)部RAM，32 個(gè) I/O 口線，兩個(gè) 16 位定時(shí)/計(jì)數(shù)器，一個(gè)向量?jī)杉?jí)中斷結(jié)構(gòu)，一個(gè)全雙工串行通訊口，內(nèi)置一個(gè)精密比較器，片內(nèi)振蕩器及時(shí)鐘電路，同時(shí)AT89C51 可降至 0HZ 的靜態(tài)邏輯操作，并支持兩種軟件可選的工作模式，空閑方式停止 CPU 的工作，但允許 RAM，定時(shí)計(jì)數(shù)器，串行通信及中斷系統(tǒng)繼續(xù)工作。掉電方式保存 RAM 中的內(nèi)容，但振蕩器停止工作，并禁止其它所有部件工作直到下一個(gè)硬件復(fù)位。 1234567891011121314151617181920 21222324252627282930313233343536373839RST(R XD)(TXD)(INT0)(INT1)(T1)(T0)(W R)(R D)XTAL2XTAL1GNDVCC(AD0)(AD1)(AD2)(AD3)(AD4)(AD5)(AD6)(AD7)EA/APPALE/PROGPSEN(A15)(A14)(A13)(A12)(A11)(A10)(A9)(A8)..圖 AT89C51 的引腳圖宿遷學(xué)院畢業(yè)設(shè)計(jì)論文23 引腳功能說(shuō)明:VCC：電源電壓； GND：地；P0 口：P0 口是一組 8 位漏極開(kāi)路型雙向 I/O 口，也即地址/數(shù)據(jù)總線復(fù)用口。作為輸出口用時(shí)，每位能吸收電流的方式驅(qū)動(dòng) 8 個(gè) TTL 邏輯門(mén)電路，對(duì)端口寫(xiě) 1 可作為高阻抗輸入端用。在訪問(wèn)外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器或程序存儲(chǔ)器時(shí)，這組口線分時(shí)轉(zhuǎn)換地址（低8 位）和數(shù)據(jù)總線復(fù)用，在訪問(wèn)期間激活內(nèi)部上拉電阻。在 FLASH 編程時(shí)，P0 口接受指令字節(jié)，而在程序效驗(yàn)時(shí)，輸出指令字節(jié)，效驗(yàn)時(shí)，要求外接上拉電阻。P1 口：P1 口是一個(gè)帶有內(nèi)部上拉電阻的 8 位雙向 I/O 口,p1 的輸出緩沖級(jí)可驅(qū)動(dòng) （吸收或輸出電流）4 個(gè) TTL 邏輯們電路。對(duì)端口寫(xiě) 1，通過(guò)內(nèi)部的上拉電阻把端口拉到高電平，此時(shí)可作輸入口。作輸入口使用時(shí)，因?yàn)閮?nèi)部存在上拉電阻，某個(gè)引腳被外部信號(hào)拉底時(shí)會(huì)輸出一個(gè)電流。FLASH 編程和程序效驗(yàn)期間，P1 接收低 8 位地址。P2 口：P2 口是一個(gè)帶有內(nèi)部上拉電阻的 8 位雙向 I/O 口,p2 的輸出緩沖級(jí)可驅(qū)動(dòng) （吸收或輸出電流）4 個(gè) TTL 邏輯們電路。對(duì)端口寫(xiě) 1，通過(guò)內(nèi)部的上拉電阻把端口拉到高電平，此時(shí)可作輸入口。作輸入口使用時(shí)，因?yàn)閮?nèi)部存在上拉電阻，某個(gè)引腳被外部信號(hào)拉底時(shí)會(huì)輸出一個(gè)電流。在訪問(wèn)外部程序存儲(chǔ)器或 16 位地址的外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器（例如執(zhí)行MOVX@DPTR 指令）時(shí)，P2 口送出高 8 位地址數(shù)據(jù)。在訪問(wèn) 8 位地址的外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器（如執(zhí)行 MOVX@RI）時(shí)，P2 口線上的內(nèi)容（也即特殊功能寄存器（SFR）區(qū)中 R2 寄存器的內(nèi)容），在整個(gè)訪問(wèn)期間不改變。FLASH 編程或效驗(yàn)時(shí)，P2 亦接收高位地址和其它控制信號(hào)。P3 口：P3 口是一個(gè)帶有內(nèi)部上拉電阻的 8 位雙向 I/O 口,p3 的輸出緩沖級(jí)可驅(qū)動(dòng) （吸收或輸出電流）4 個(gè) TTL 邏輯們電路。對(duì)端口寫(xiě) 1，通過(guò)內(nèi)部的上拉電阻把端口拉到高電平，此時(shí)可作輸入口。作輸入口使用時(shí)，因?yàn)閮?nèi)部存在上拉電阻，某個(gè)引腳被外部信號(hào)拉底時(shí)會(huì)輸出一個(gè)電流。P3 口除了作為一般的 I/O 口線外，更重要的用途是他的第二個(gè)功能，如下表所示：宿遷學(xué)院畢業(yè)設(shè)計(jì)論文24 表 P3 口 AT89C2051 特殊功能P3 口還接收一些用于 FLASH 閃速存儲(chǔ)器編程和程序效驗(yàn)的控制信號(hào)。RST：復(fù)位輸入。其引腳一旦變成兩個(gè)機(jī)器周期以上的高電平，所有的I/O 口都將復(fù)位到 1 狀態(tài)，當(dāng)振蕩器正在工作時(shí)，持續(xù)兩個(gè)機(jī)器周期以上高電平便可完成復(fù)位，每個(gè)機(jī)器周期為 12 個(gè)振蕩時(shí)鐘周期。EA/VPP：外部訪問(wèn)允許，欲使 CPU 僅訪問(wèn)外部程序存儲(chǔ)器（0000H—FFFFH），EA 端必須保持低電平接地，需注意的是：如果加密位 LB1 被編程，復(fù)位是內(nèi)部會(huì)鎖存 EA 端狀態(tài)。如 EA 端為高電平（接 VCC 端），CPU 則執(zhí)行內(nèi)部程序存儲(chǔ)器中的指令。FLASH 存儲(chǔ)器編程時(shí)，該引腳加上+12V 的編程允許電源 VPP，當(dāng)然這必須是該器件是使用 12V 編程電壓 VPP。XTAL1：振蕩器反相放大器的及內(nèi)部時(shí)鐘發(fā)生器的輸入端XTAL2：振蕩器反相放大器輸出端端口引腳 功能特性 RXD（串行口輸入） TXD（并行口輸入） INT0（外部中斷 0） INT1（外部中斷 1） T0（定時(shí)計(jì)數(shù)外部輸入 0） T1（定時(shí)計(jì)數(shù)外部輸入 0） (外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器寫(xiě)選通)WR (外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器讀選通)D宿遷學(xué)院畢業(yè)設(shè)計(jì)論文25 時(shí)鐘振蕩器：AT89C51 中有一個(gè)用于構(gòu)成內(nèi)部振蕩器的高增益反向放大器，引腳XTAL1 和 XTAL2 分別是該放大器的輸入端和輸出端。這個(gè)放大器與作為反饋器件的片外石英晶體或陶瓷諧振器一起構(gòu)成自激振蕩器，振蕩電路參見(jiàn)圖 5外接石英晶體或陶瓷振蕩器及電容 C1，C2 接在放大器的反饋回路中構(gòu)成并聯(lián)振蕩電路。對(duì)外接電容 C1，C2 雖然沒(méi)有十分嚴(yán)格的要求，但電容容量的大小會(huì)輕微影響振蕩頻率的高低，振蕩器工作的穩(wěn)定性，起振得難易程度及溫度穩(wěn)定性，如果使用石英晶體，我們推薦電容使用 30PF177。10PF，而如使用陶瓷振蕩器建議選擇 40PF177。10PF。 空閑節(jié)電模式：AT89C51 有兩種可用軟件編程的省電模式，他們是空閑模式和掉電工作模式。這兩種方式是控制專用寄存器 PCON（即電源控制寄存器）中的PD（）和 IDL()位來(lái)實(shí)現(xiàn)的。PD 是掉電模式，當(dāng) PD=1 時(shí)，激活掉電工作模式，單片機(jī)進(jìn)入掉電工作狀態(tài)，IDL 是空閑等待方式，當(dāng)IDL=1，激活空閑工作模式，單片機(jī)進(jìn)入睡眠狀態(tài)。如需同時(shí)進(jìn)入兩種工作模式，即 PD 和 IDL 同時(shí)為 1 則先激活掉電模式。在空閑工作模式狀態(tài)，CPU 保持睡眠狀態(tài)而所有片內(nèi)的外設(shè)仍保持激活狀態(tài)。這種方式有軟件產(chǎn)生。此時(shí)，片內(nèi) RAM 和所有特殊功能寄存器的內(nèi)容保持不變?？臻e模式可有任何允許的中斷請(qǐng)求或硬件復(fù)位終止。終止空閑工作模式的方法有兩種。其一是任何一條被允許中斷的事件被激活，IDL()被硬件清除，即刻終止空閑工作模式。程序會(huì)首先響應(yīng)中斷，進(jìn)入中斷復(fù)雜程序，執(zhí)行完中斷服務(wù)程序并緊隨 RET1(中斷返回)指令后，下一條要執(zhí)行的指令就是使單片機(jī)進(jìn)入空閑模式那條指令后面的一條指令。其二是通過(guò)硬件復(fù)位也可將空閑工作模式終止。需要注意的是，當(dāng)硬件復(fù)位來(lái)終止空閑模式時(shí)，CPU 通常是從激活空閑模式那條指令的下一條指令開(kāi)始繼續(xù)執(zhí)行程序的，要完成內(nèi)部復(fù)位操作，硬件復(fù)位脈沖要保持兩個(gè)機(jī)器周期(24 個(gè)時(shí)鐘周期)有效，在這種情況下，內(nèi)部禁止 CPU 訪問(wèn)片內(nèi) RAM，而允許訪問(wèn)其它端口。 掉電模式在掉電模式下，振蕩器停止工作，進(jìn)入掉電模式的指令是最后一條被執(zhí)行的指令，片內(nèi) RAM 和特殊功能寄存器的內(nèi)容在終止掉電模式前被凍結(jié)。推出掉電模式的唯一方法是硬件復(fù)位，復(fù)位后將重新定義全部特殊功能寄存器但不改變 RAM 中的內(nèi)容，在 VCC 恢復(fù)到正常工作電平前，復(fù)位應(yīng)無(wú)效，且必須保持一定時(shí)間使振蕩器重啟動(dòng)并穩(wěn)定工作。表 空閑和掉電模式外部引腳狀態(tài)宿遷學(xué)院畢業(yè)設(shè)計(jì)論文26模式 程序存儲(chǔ)區(qū) ALE PSEN P0 P1 P2 P3空閑模式 內(nèi)部 1 1 數(shù)據(jù) 數(shù)據(jù) 數(shù)據(jù) 數(shù)據(jù)空閑模式 外部 1 1 浮空 數(shù)據(jù) 地址 數(shù)據(jù)掉電模式 內(nèi)部 0 0 數(shù)據(jù) 數(shù)據(jù) 數(shù)據(jù) 數(shù)據(jù)掉電模式 外部 0 0 浮空 數(shù)據(jù) 數(shù)據(jù) 數(shù)據(jù) T1838 的介紹T1838 是一種用于紅外遙控接收或其它方面的小型一體化接收頭，中心頻率為 ,可改善自然光的反射干擾。獨(dú)立的 PIN 二極管同前置放大器集成在同一封裝上。 具有以下特性和參數(shù)光電檢測(cè)和前置放大器集成在同一封裝上。 內(nèi)帶 PCM 頻率濾波器。 對(duì)于自然光有較強(qiáng)的抗干擾性。 改進(jìn)了對(duì)電場(chǎng)干擾的防護(hù)性。 電源電壓 5V，低功耗。 輸出電平兼容 TTL，CMOS。 電源電壓 5V，低功耗。 輸出電平兼容 TTL，CMOS。 電源電壓，Vcc：5，工作溫度 Topr：10~+60℃儲(chǔ)存溫度 Tstg：20～75℃，焊接溫度 Tsd：260℃，最長(zhǎng)時(shí)間 5 秒 電光特性(Vcc=5V)消耗電流 ，無(wú)信號(hào)的情況下波幅 λP：940nm，調(diào)諧頻率f0：，高電平輸出電壓 Voh：，低電平輸出電壓 Vol：，高宿遷學(xué)院畢業(yè)設(shè)計(jì)論文27電平輸出脈寬 Twh：400，800μs，低電平輸出脈寬 Twh：400，800μs 發(fā)射器和檢測(cè)器之間的距離 L：，半角 Δθ：177。45deg，水平方向 T1838 接受頭的注意事項(xiàng)無(wú)外加壓力時(shí)儲(chǔ)存和使用或運(yùn)輸不會(huì)引起質(zhì)量的改變。 無(wú)腐蝕氣體或鹽分的天氣儲(chǔ)存和使用。 不可以在極度濕度的環(huán)境下儲(chǔ)存和使用。 在定值條件下焊接管腳。焊接后不可以加高壓。 該接收頭不可以洗。可用軟布輕輕地擦拭二極管邊上污垢。也可用溶劑溶解，只可用甲醇、乙醇、丙烯。 前置放大器可確保人體的防靜電感應(yīng)損壞，且在使用前必須焊接鐵制品接地。 不要在電源和地之間放成對(duì)的接收頭，以減少因電源線所引起的噪聲。 遙控器的性能取決于外界環(huán)境和外圍元器件的性能?？蛻魬?yīng)根據(jù)在各種條件下來(lái)評(píng)價(jià)整體性能。該器件由指令、宏指令和接收模式三部分組成。 遙控的解碼過(guò)程代代代9ms代代代 代代代代代代代代代代代代代代代代代代代代代.圖 遙控信號(hào)編碼波形圖 μ=108ms..μ=108ms. 圖 數(shù)據(jù)幀圖形 單片機(jī)收到一個(gè)中斷后,開(kāi)始計(jì)數(shù)， 然后在主程序有一個(gè)判斷子程序,首先判斷是否＞8MS,是否有高電平，再判斷是否4MS 的低電平，然后再判斷是否是 0 或 1，循環(huán) 32 次完成,32 個(gè)碼的接收和存儲(chǔ)。解碼的關(guān)鍵是如何