(有用)電子負載原理(編輯修改稿)
2025-07-22 04:52 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 補償，使得電壓變化速度減緩，盡量減少mosfet的G極電壓高頻變化引發(fā)振蕩的可能。下面給出各種參數(shù)的表達式：Uref=*（Rp’/(R2+Rp)）其中Rp’為Rp抽頭對地的電阻Is=Uref/RS=*（Rp’/(R2+Rp)）/Rs當Rp抽頭在最上端時，Uref、Is有最大值Urefmax=*（Rp/(R2+Rp)）Ismax=Urefmax/RS=*（Rp/(R2+Rp)）/Rs如果已知最大電流Is可用Rs=Urefmax/RS=*（Rp/(R2+Rp)）/Ismax按圖中元件參數(shù)計算，可以得到Urefmax=*（(27+)）=Ismax=Urefmax/RS=*( Rp/(R2+Rp)）/Rs = *（ (27+)）/=。 多MOS管并聯(lián) 電子負載是靠功率管的耗散功率（發(fā)熱）消耗電能的，流經(jīng)MOS管電流過大會導(dǎo)致耗散功率過大，容易燒壞MOS管。為此可以采用多管并聯(lián)的方式來均分電流。由于元件具有離散性和差異性，流經(jīng)每個MOS管的電流實際并不一致，可以在電路中加入
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