無線充電器的設(shè)計和制作畢業(yè)論文(編輯修改稿)
2025-07-21 00:57 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 Ω，晶振X1=2M(因mulitisim中無2M晶振，故選擇3M)，故由應(yīng)滿足的公式：2πRC2fs=1得出C2≈1nF。但是，由于在實際電路中，石英晶體晶體振蕩器產(chǎn)生的方波信號為22kHz,并沒有產(chǎn)生所需的2MHz的方波信號，故舍棄方案。167。: 門電路組成的多諧振蕩與丁類功率放大器 門電路組成的多諧振蕩圖25多諧振蕩電路圖上圖門電路參考數(shù)字電路（康華光）的教材設(shè)計的組成的多諧振蕩電路圖，該電路由30pf可調(diào)電容C5KΩ的R1和R兩個10KΩ的可調(diào)電阻R3和R三個CMOS非門組成；該電路的震蕩的過程是通過電容C充放電作用來實現(xiàn)的。補償電阻RR2可減小電源電壓對振蕩頻率的影響。振蕩周期理論值計算： T=1/fs=RCln4≈(R1+R3)C1 （C1=30pf，fs=2MHz）丁類功率電路特點：效率高，產(chǎn)生的熱量少，丁類功率放大器電路的基本設(shè)計思想是，要求功率管在導(dǎo)通時，飽和管壓降為零；截止時，流過功率管的電流為零。顯然，這時的功率管處于開關(guān)工作狀態(tài)，三極管放大器采用CMOS管IRF640,L1參數(shù)大小由網(wǎng)上所買的元器件所給，約30uH； 為達到2MHz的諧振頻率，由公式f=1/(2π(RC) )得出C≈400pf,C由C2和C3并聯(lián)得到；實際用100pf可調(diào)電容。 R5起到分壓的作用； S極和D極電阻決定放大倍數(shù)。放大倍數(shù)由Rd/Rs決定。實際取Rd=100Ω，Rs= 。圖26 丁類功率放大器 發(fā)射電路圖27 發(fā)射電路此電路為數(shù)電中描述的用門電路組成的多諧振蕩器。原理是通過電容C1充 放電作用。振蕩周期理論值計算： T=1/f=RCln4≈(R1+R3)C1；（C1=30pf）當(dāng)R3=0時，f=；當(dāng)R3=10KΩ時， f=；實際電路電容C1為可調(diào)100pf；振蕩周期實際值：波形不失真的狀況下500k~；滿足波形不失真情況，故該電路為所選方案。 第三章 方案實施167。 圖31 發(fā)射電路原理圖電路組成及工作原理[5]：由門電路組成的多諧振蕩器的特點：a) 產(chǎn)生高、低電平的開關(guān)器件，如門電路、電壓比較器、BJT等b) 具有反饋網(wǎng)絡(luò)，將輸出電壓恰當(dāng)?shù)姆答伣o開關(guān)器件使之改變輸出狀態(tài)c) 有延遲環(huán)節(jié)，利用RC電路的充、放電特性可實現(xiàn)延時，以獲得所需要的振蕩頻率（在許多實用電路中，反饋網(wǎng)絡(luò)兼有延時的作用）一種由CMOS門電路組成的多諧振蕩器如圖32所示。圖32由CMOS門電路組成的多諧振蕩器其原理圖和工作波形圖分別如圖33（a)、(b)所示。（a）多諧振蕩器原理圖（b）多諧振蕩器波形圖圖33多諧振蕩器原理圖和波形圖圖a中DDDD4均為保護二極管。為了討論方便，在電路分析中，假定門電路的電壓傳輸特性曲線為理想化的折線，即： VON為開門電平，VOFF為關(guān)門電平，Vth為門坎電平（閾值電平）。(1) 第一暫穩(wěn)態(tài)及電路自動翻轉(zhuǎn)的過程假定在t=0時接通電源，電容C尚未充電，電路初始狀態(tài)，即第一暫穩(wěn)態(tài) V01= VOH，vI=v02=VOL此時，電源VDD經(jīng)G1的Tp管、R和G2的TN管給電容C充電，如圖32(a)所示。隨著充電時間的增加，vI的值不斷上升，當(dāng)vI達到Vth時，電路發(fā)生下述正反饋過程： 這一正反饋過程瞬間完成，使G1導(dǎo)通，G2截止，電路進入第二暫穩(wěn)態(tài)V01= VOL V02=VOH 。（2）第二暫穩(wěn)態(tài)及電路自動翻轉(zhuǎn)的過程電路進入第二穩(wěn)態(tài)瞬間，v02由0V上跳至VDD，由于電容兩端電壓不能突變，則vI也將上跳，本應(yīng)升至VDD+Vth，但由于保護二極管的鉗位作用，vI僅上跳至VDD+?V+隨后，電容C通過G2的T電阻R和G1的TN放電，使vI下降，當(dāng)vI降至后，電路又產(chǎn)生如下正反饋過程：從而使G1迅速截止，G2迅速導(dǎo)通，電路又回到第一暫穩(wěn)步態(tài)，V01= VOH，vI=v02=VOL。此后，電路重復(fù)上述過程，周而復(fù)始地從一個穩(wěn)態(tài)翻轉(zhuǎn)到另一個暫穩(wěn)態(tài)，在G2的輸出端得到方波。由上述分析不難看出，多諧振蕩器的兩個暫穩(wěn)態(tài)的轉(zhuǎn)換過程是通過電容C充、放電作用來實現(xiàn)，電容的充、放電作用又集中體現(xiàn)在圖中vI的變化上。因此，在分析中要著重注意vI的波形。 狀態(tài)轉(zhuǎn)換：主要取決于電容的充、放電振蕩過程中 轉(zhuǎn)換時刻：決定于vI的數(shù)值根據(jù)以上分析所得電路在狀態(tài)轉(zhuǎn)換時vI的幾個特征值，可以計算出圖32(b)中的TT2值。（1）T1的計算 對應(yīng)于第一暫穩(wěn)態(tài)，將圖32(b)中t1作為時間起點,根據(jù)RC電路瞬態(tài)響應(yīng)的分析，有（2）T2的計算對應(yīng)于圖32(b),在第二暫穩(wěn)態(tài)，將t2作為時間
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