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正文內(nèi)容

gsm網(wǎng)絡(luò)質(zhì)量mos提升建議(編輯修改稿)

2025-07-20 16:45 本頁(yè)面
 

【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 。經(jīng)鼎利公司實(shí)驗(yàn),質(zhì)量、C/I與MOS的關(guān)系如下:占用FR時(shí),當(dāng)下行RxQual大于5左右時(shí),下行PESQ有所惡化;,;當(dāng)下行RxQual大于6左右時(shí),下行PESQ直線(xiàn)下降到無(wú)法忍受的程度;當(dāng)C/ 時(shí),下行PESQ值基本不受影響;當(dāng)C/,下行PESQ值可能不受影響,也可能受到影響,和傳送測(cè)試話(huà)音期間的下行RxQual值有關(guān);當(dāng)C/,下行PESQ值下降很快,甚至?xí)鸬粼?huà)。話(huà)音質(zhì)量(RxQual)差一般對(duì)應(yīng)的MOS值也會(huì)較差,但MOS差時(shí)對(duì)應(yīng)的話(huà)音質(zhì)量(RxQual)不一定差,因?yàn)镸OS還會(huì)受到其他方面因素的影響。 切換頻次GSM的服務(wù)區(qū)域是由一個(gè)個(gè)連續(xù)的小區(qū)組成,為了能使用戶(hù)在移動(dòng)的通話(huà)過(guò)程中,從覆蓋區(qū)域中得到持續(xù)的服務(wù),同時(shí)為了使網(wǎng)絡(luò)性能更優(yōu),GSM系統(tǒng)中采用了切換的技術(shù)來(lái)達(dá)到以上的目的,因此切換是GSM移動(dòng)通信中最基本、最重要的特性。但在切換過(guò)程中需要借用TCH幀(用作FACCH)來(lái)傳送相關(guān)切換信令,這種暫時(shí)的中斷是為保持網(wǎng)絡(luò)的連接性能而完成向更合適小區(qū)切換的需要,但卻是以犧牲話(huà)音的連續(xù)性為代價(jià),對(duì)話(huà)音質(zhì)量有一定的影響。當(dāng)出現(xiàn)頻繁的乒乓切換時(shí),連續(xù)的偷幀問(wèn)題在用戶(hù)聽(tīng)覺(jué)上會(huì)出現(xiàn)類(lèi)似幀丟失引起的的話(huà)音中斷情況。由于PESQ算法考慮了切換對(duì)語(yǔ)音的影響,因此,切換過(guò)多也會(huì)影響MOS的整體水平。 DTX對(duì)語(yǔ)音的影響無(wú)線(xiàn)網(wǎng)絡(luò)中如果打開(kāi)DTX,則引入了舒適噪聲和話(huà)音激活檢測(cè)。受通話(huà)背景噪聲、系統(tǒng)噪聲等的影響,話(huà)音激活檢測(cè)不可能做到完全正確,這必將導(dǎo)致語(yǔ)音信號(hào)被切割(Clipping)的現(xiàn)象,造成了語(yǔ)音幀的丟失和話(huà)音失真,嚴(yán)重時(shí)將嚴(yán)重影響語(yǔ)音質(zhì)量以及MOS分測(cè)試。實(shí)驗(yàn)室測(cè)試的結(jié)果如下:DTX對(duì)語(yǔ)音質(zhì)量的影響FRFR的上行DTX打開(kāi),不同的樣本PESQ下降有所不同,~。FR的下行DTX打開(kāi),不同的樣本PESQ下降有所不同,下降范圍在 ~。AMR FR AMR ,不同的樣本PESQ下降有所不同,~。AMR ,不同的樣本PESQ下降有所不同,~。AMR HR AMR ,不同的樣本PESQ下降有所不同,下降范 ~。AMR ,不同的樣本PESQ下降有所不同,~。 傳輸質(zhì)量對(duì)語(yǔ)音的影響傳輸質(zhì)量存在問(wèn)題一般表現(xiàn)在傳輸出現(xiàn)大量的誤碼、滑碼及傳輸閃斷,在BSC統(tǒng)計(jì)里的LAPD統(tǒng)計(jì)包括了LAPD信令重傳、LAPD壞幀及過(guò)負(fù)荷的統(tǒng)計(jì),這幾個(gè)計(jì)數(shù)器可以用來(lái)觀察ABIS的傳輸質(zhì)量情況,如果出現(xiàn)壞幀過(guò)多或信令重傳嚴(yán)重的現(xiàn)象,一般就都是由于傳輸質(zhì)量不好引起的。 傳輸質(zhì)量的問(wèn)題從原理上來(lái)看就相當(dāng)于是丟失了一些話(huà)音幀,這些話(huà)音幀的丟失將嚴(yán)重影響到話(huà)音質(zhì)量。4. 指標(biāo)提升建議 優(yōu)化流程MOS評(píng)分是一個(gè)端到端的問(wèn)題,經(jīng)過(guò)的網(wǎng)元,接口特別多,因此任何一個(gè)語(yǔ)音傳輸環(huán)節(jié)的問(wèn)題,都會(huì)導(dǎo)致語(yǔ)音損傷,最終使MOS分下降,需要逐個(gè)排查。一般MOS分問(wèn)題的定位方法如下: 優(yōu)化手
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