【文章內容簡介】 照外加 電壓 的方向，具備單向電流的轉導性。一般來講，晶體二極管是一個由 p型半導體和 n 型半導體燒結形成的 pn結界面。在其界面的兩側形成 空間電荷 層，構成自建 電場 。當外加電壓等于零時，由于pn 結兩邊 載流子 的濃度差引起 擴散電流 和由自建電場引起的 漂移電流 相等而處于電 平衡狀態(tài) ，這也是常態(tài)下的二極管特性。 ：大部分二極管所具備的電流方向性我們通常稱之為“ 整流（ Rectifying）”功能。二極管最普遍的功能就是只允許電流由單一方向通過（稱為順向偏壓），反向時阻斷（稱為逆向偏壓）。因此，二極管可以想成電子版的逆止閥。然而實際上二極管并不會表現(xiàn)出如此完美的開與關的方向性，而是較為復雜的非線性電子特征 —— 這是由特定類型的二極管技術決定的。二極管使用上除了用做開關的方式之外還有很多其他的功能。 ，外加正向電壓時，在正向特性的起始部分，正向電壓很小，不 足以克服 PN 結內電場的阻擋作用，正向電流幾乎為零，這一段稱為 死區(qū) 。這個不能使二極管導通的正向電壓稱為死區(qū)電壓。當正向電壓大于死區(qū)電壓以后， PN結內電場被克服，二極管正向導通，電流隨電壓增大而迅速上升。在正常使用的電流范圍內，導通時二極管的端電壓幾乎維持不變，這個電壓稱為二極管的正向電壓。 ，外加反向電壓不超過一定范圍時，通過二極管的電流是少數(shù)載流子漂移 運動所形成反向電流。由于反向電流很小，二極管處于截止狀態(tài)。這個反向電流又稱為反向飽和電流或 漏電流 ，二極管的反向飽和電流受溫度影響很大。 ,外加反向電壓超過某一數(shù)值時，反向電流會突然增大，這種現(xiàn)象稱為電擊穿 。引起電擊穿的臨界電壓稱為二極管反向擊穿電壓。電擊穿時二極管失去單向導電性。如果二極管沒有因電擊穿而引起過熱，則單向導電性不一定會被永久破壞，在撤除外加電壓后，其性能仍可恢復，否則二極管就損壞了。因而使用時應避免二極管外加的反向電壓過高。 8 （如圖 26） ： 與 PN結一樣，二極管具有單向導電性。硅二極管典型伏安特性曲線（圖）。在二極管加有正向電壓，當電壓值較小時，電流極小；當電壓超過 時，電流開始按 指數(shù)規(guī)律增大，通常稱此為二極管的開啟電壓；當電壓達到約 時，二極管處于完全導通狀態(tài)，通常稱此電壓為二極管的導通電壓，用符號 UD 表示。 對于鍺二極管，開啟電壓為 ，導通電壓 UD 約為 。 圖 26 二極管特性曲線 在二極管加有反向電壓，當電壓值較小時，電流極小，其電流值為反向飽和電流 IS。當 反向電壓超過某個值時，電流開始急劇增大，稱之為反向擊穿，稱此電壓為二極管的反向擊穿電壓，用符號 UBR 表示。不同型號的二極管的擊穿電壓 UBR 值差別很大，從幾十伏到幾千伏。 ： ，整流二極管主要用于整流電路，即把交流電變換成脈動的直流電。整流二極管都是面結型，因此結電容較大，使其工作頻率較低，一般為 3kHZ 以下。 ，二極管在 正向電壓 作用下電阻很小，處于導通 狀態(tài) ，相當于一只接通的開關；在 反向電壓 作用下，電阻很大，處于 截止狀態(tài) ，如同一只斷開的開關。利 9 用二極管的開關特 性，可以組成各種 邏輯電路 。 ，二極管正向導通后，它的 正向壓降 基本保持不變（硅管為 ， 鍺 管為 ）。利用這一特性，在電路中作為限幅元件，可以把 信號 幅度限制在一定范圍內。 ，在 開關電源 的電感中和 繼電器 等感性 負載中起續(xù)流作用。 ，檢波二極管的主要作用是把高頻信號中的低頻信號檢出。它們的結構為點接觸型。其結電容較小，工作頻率較高，一般都采用鍺材料制成。 ，阻尼二極管多用在高頻電壓電路中，能承受較高的反向擊穿電壓和較大的峰值電流，一般用在電視機電路中，常用的阻尼二極管有 2CN 2CN BSBS44等。 ，用于 VCD、 DVD、計 算器 等 顯示器 上。 ，這種管子是利用二極管的反向擊穿特性制成的，在電路中其兩端的電壓保持基本不變，起到穩(wěn)定電壓的作用。常用的穩(wěn)壓管有 2CW5 2CW56 等。 ， 觸發(fā)二極管又稱雙向觸發(fā)二極管（ DIAC）屬三層結構，具有對稱性的二端半導體器件。常用來觸發(fā)雙向可控硅 ,在電路中作過壓保護等用途。 三、電容 電容（ Capacitance）亦稱作“電容量”，是指在給定電位差下的電荷儲藏量，記為 C，國際單位是 法拉 （ F）。一般來說，電荷在電場中會受力而移動，當導體之間有了介質，則阻礙了電荷移動而使得電荷累積在 導體上，造成電荷的累積儲存，儲存的電荷量則稱為電容。電容是電子設備中大量使用的電子元件之一，廣泛應用于隔直、耦合、旁路、 濾波 、調諧回路、能量轉換、控制電路等方面。 ：電容器的基本作用就是充電與放電，但由這種基本充放電作用所延伸出來的許多電路現(xiàn)象，使得電容器有著種種不同的用途。 ：用在 耦合電路 中的電容稱為耦合電容，在阻容耦合放大器和其他電容耦合電路中大量使用這種電容電路，起隔直流通交流作用。 b,濾波電容：用在 濾波電路 中的電容器稱為濾波電容，在電源濾波和各種濾波器電路中使用這種電容電路，濾波電容將一定頻段內的信號從總信號中去除。 ，用在退耦電路中的電容器稱為退耦電容，在多級放大器的直 流電 10 壓供給電路中使用這種電容電路，退耦電容消除每級放大器之間的有害低頻交連。 、諧振電容、旁路電容、中和電容、定時電容、積分電容、微分電容、補償電容、自舉電容、分頻電容、負載電容、調諧電容、等。 四、電阻 電阻（ Resistance，通常用“ R”表示），在 物理學 中表示 導體 對 電流 阻礙作用的大小。導體的電阻越大，表示導體對電流的阻礙作用越大。不同的導體，電阻一般不同，電阻是導體本身的一種特性。電阻將會導致電子流通量的變化，電阻越小，電子流通量越大，反之亦然。 五、電感 電感（ inductance of an ideal inductor）是閉合回路的一種屬性。當線圈通過電流后，在線圈中形成 磁場 感應，感應磁場又會產(chǎn)生感應電流來抵制通過線圈中的電流。這種電流與線圈的相互作用關系稱為電的感抗，也就是電感，單位是“亨利（ H）”。 六、三極管 ： 半導體 三極管又稱“晶體三極管”或“晶體管”。在半導體鍺或硅的單晶上制備兩個能相互影響的 PN結，組成一個 PNP（或 NPN）結構。中間的 N 區(qū)（或 P區(qū)）叫基區(qū)，兩邊的區(qū)域叫發(fā)射區(qū)和集電區(qū)，這三部分各有一條電極引線，分別叫 基極 B、 發(fā)射極 E 和 集電極 C，是能起放大、振蕩或開關等作用的半導體電子器件。 ：晶體三極管（以下簡稱三極管）按材料分有兩種：鍺管和硅管。而每一種又有 NPN和 PNP 兩種結構形式，但使用最多的是硅 NPN 和鍺 PNP 兩種三極管，（其中， N 表示在高純度硅中加入磷，是指取代一些硅原子，在電壓刺激下產(chǎn)生自由電子導電，而 p是加入硼取代硅，產(chǎn)生大量空穴利于導電）。兩者除了電源極性不同外，其工作原理都是相同的，下面僅介紹 NPN 硅管的電流放大原理。對于NPN管，它是由 2塊 N型半導體中間夾著一塊 P 型半導體所組成，發(fā)射區(qū)與基區(qū)之間形成的 PN結稱為發(fā)射結，而集電區(qū)與基區(qū)形成的 PN結稱為集電結，三條引線分別稱為發(fā)射極 e、基極 b 和 集電極 c。當 b 點電位高于 e 點電位零點幾伏時，發(fā)射結處于正偏狀態(tài)，而 C點電位高于 b點電位幾伏時，集電結處于反偏狀態(tài)，集電極 11 電源 Ec要高于基極電源 Ebo。在制造三極管時，有意識地使發(fā)射區(qū)的多數(shù) 載流子 濃度大于基區(qū)的，同時基區(qū)做得很薄，而且，要嚴格控制雜質含量，這樣，一旦接通電源后，由于發(fā)射結正偏，發(fā)射區(qū)的多數(shù)載流子（電子）及基區(qū)的多數(shù)載流子（空穴）很容易地越過發(fā)射結互相向對方擴散，但因前者的濃度基大于后者，所以通過發(fā)射結的電流基本上是電子流，這股電子流稱為發(fā)射極電流了。由于基區(qū)很薄，加上集電結的反偏，注入基區(qū)的電子大部分越過集電結進入集電區(qū)而形成集電極電流Ic，只剩下很少（ 110%）的電子在基區(qū)的空穴進行復合，被復合掉的基區(qū)空穴由