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正文內(nèi)容

材料科學(xué)與工程基礎(chǔ)第二章習(xí)題答案題目整合版(編輯修改稿)

2025-07-16 17:40 本頁面
 

【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 間隙或者是置換)的分?jǐn)?shù)。c. 若含B的Fe進(jìn)行氣體滲碳,這個(gè)過程會(huì)比在不含B的Fe中進(jìn)行得快還是慢?請(qǐng)解釋。 (a)B是小分子,它在鐵的晶格中以間隙的形式存在。(b)(1)若B占據(jù)αFe(bcc)中的八面體間隙位置,則bcc晶胞中有2個(gè)鐵原子,6個(gè)八面體間隙,所以 (2)若B占據(jù)αFe(fcc)中的八面體間隙位置,則(c)當(dāng)鐵中的B含量少時(shí),少量的B會(huì)使晶格產(chǎn)生畸變,系統(tǒng)能量升高,擴(kuò)散系數(shù)D增大,有利于滲碳時(shí)C的擴(kuò)散。當(dāng)鐵中的B趨向于飽和時(shí),C在鐵中的溶解度大大下降(畸變能太大),即C在鐵中的溶劑和擴(kuò)散的化學(xué)驅(qū)動(dòng)力大大下降,不利于碳的擴(kuò)散。17. 在室溫下SiO2可以是玻璃也可以是晶態(tài)固體。問在玻璃態(tài)的二氧化硅還是在晶態(tài)二氧化硅中擴(kuò)散更快?為什么? 玻璃態(tài)的二氧化硅系統(tǒng)自由能大于晶態(tài)的二氧化硅,所以玻璃態(tài)中的擴(kuò)散系數(shù)更大些。18. 何為位錯(cuò)?它有哪些類型?什么叫滑移?什么叫攀移?在什么情況下會(huì)發(fā)生滑移和攀移。 位錯(cuò)即是晶體中的線缺陷,基本類型有:刃位錯(cuò),螺位錯(cuò)和混合位錯(cuò)?;疲壕w的一部分相對(duì)于另一部分在切應(yīng)力作用下沿一定的晶面進(jìn)行相對(duì)滑動(dòng)?;剖俏诲e(cuò)在滑移面上移動(dòng)并移出表面而實(shí)現(xiàn)的。攀移:刃位錯(cuò)在正應(yīng)力作用下垂直于滑移面的運(yùn)動(dòng),滑移是位錯(cuò)在切應(yīng)力作用下沿滑移面運(yùn)動(dòng)并移出晶體表面實(shí)現(xiàn)的,攀移是刃位錯(cuò)在正應(yīng)力作用下垂直于滑移面的運(yùn)動(dòng),攀移只有刃位錯(cuò)才能進(jìn)行,并需借助于擴(kuò)散才能攀移,所需的溫度比位錯(cuò)的滑移要高。,在剪切應(yīng)力的作用下,求:I)該位錯(cuò)環(huán)各段位錯(cuò)線的結(jié)構(gòu)類型(位錯(cuò)線方向?yàn)轫槙r(shí)針方向);II)指出其中刃型位錯(cuò)的半原子面位置;III)在t的作用下,該位錯(cuò)環(huán)在晶體中如何運(yùn)動(dòng)?運(yùn)動(dòng)結(jié)果如何?IV) t=0時(shí),該位錯(cuò)線是否會(huì)穩(wěn)定存在,為什么? 答:Ⅰ.a段為正刃,b段為負(fù)刃,c段為左螺,d段為右螺。 Ⅱ.a段半原子面在滑移面上方,b段半原子面在滑移面下方。 Ⅲ.在切應(yīng)力作用下,位錯(cuò)環(huán)沿著滑移面滑移,最終移出表面,在柏氏矢量方向產(chǎn)生一個(gè)柏氏矢量長(zhǎng)度的臺(tái)階。 Ⅴ.切應(yīng)力等于零時(shí),該位錯(cuò)環(huán)在位錯(cuò)張力的作用下,存在一個(gè)指向位錯(cuò)環(huán)中心的收縮力,如果晶格阻力小于位錯(cuò)環(huán)的收縮力,位錯(cuò)環(huán)收縮變小。晶格阻力如果為零,則位錯(cuò)環(huán)收縮為一點(diǎn)而消失。20. 柏氏矢量的物理意義是什么?當(dāng)一根位錯(cuò)線在什么條件下才能自發(fā)轉(zhuǎn)變成另兩根位錯(cuò)線? 柏氏矢量的物理意義是反映了位錯(cuò)的畸變大小和方向,一根位錯(cuò)線自發(fā)轉(zhuǎn)變成為兩根位錯(cuò)線的條件是:矢量相等,能量下降。( ,)。21. 為什么間隙固溶體中的溶質(zhì)擴(kuò)散要比置換固溶體中的溶質(zhì)擴(kuò)散快得多?請(qǐng)解釋之。 同隙固溶體溶質(zhì)的擴(kuò)散所需的激活能低(只要遷移能)而置換固溶體溶質(zhì)的擴(kuò)散所需激活能較高(遷移能+空位形成能),所以間隙固溶體溶質(zhì)的擴(kuò)散比置換的要快()。22. 晶體在低溫時(shí)的擴(kuò)散以晶界擴(kuò)散為主,高溫時(shí)以體積擴(kuò)散為主,試述理由。由于擴(kuò)散系數(shù)為。在低溫時(shí)晶格的擴(kuò)散系數(shù)很小(Q大,T小),晶界的擴(kuò)散系數(shù)較大(Q小,T大)。所以,低溫時(shí)晶體擴(kuò)散以晶界擴(kuò)散為
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