基于單片機的轉(zhuǎn)速測量系統(tǒng)設計畢業(yè)論文(編輯修改稿)
2025-07-16 12:58 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 數(shù)據(jù)；在編程校驗時，P0口輸出代碼字節(jié)數(shù)據(jù)（需要外接上拉電阻）。P1口——8位、雙向I/O口、內(nèi)部含有行拉電阻。 P1可作為普通I/O口。輸出緩沖器可驅(qū)動4個TTL負載；用作輸入時，先交引腳置1，有片內(nèi)上拉電阻將其抬到高電平。P1口的引腳可由外部負載拉倒低電平，通過上拉電阻提供拉電流。 在Flash并行 編程和校驗時，P1口可輸入低字節(jié)地址。在串行編程和校驗時， ,、輸出和移位脈沖引腳。I/O具有內(nèi)部拉電阻的8位雙向I/O。 P2口用作輸出口時，可驅(qū)動四個TTL負載；用作輸入口時，先將引腳置1，由內(nèi)部上拉電阻將其提高到高電平。若負載為低電平，則通過內(nèi)部上拉電阻向外輸出電流。 CPU訪問外部16位地址的存儲器時，P2口提供高8位的地址。當CPU用8位地址尋址外部存儲器時，P2口為P2特殊功能寄存器內(nèi)容。 在FLASH并行編程和校檢時，P2口可輸入高字節(jié)地址和某些控制信號。 P3口——局有內(nèi)部上拉電阻8位雙向口。 P3口左忽出口時，輸出緩沖器可吸收4個TTL的灌電流；用作輸入口時，手先將引腳置1，有內(nèi)部上拉電阻抬為高電平。若外部負載是低電平，則通過內(nèi)部上拉電阻向外輸出電流。 在與FLASH并行編程和校檢時，P3口可輸入某些控制信號。AT89C51是一種帶4K字節(jié)閃爍可編程可擦除只讀存儲器（FPEROM—Falsh Programmable and Erasable Read Only Memory）的低電壓，高性能CMOS8位微處理器，俗稱單片機。該器件采用ATMEL高密度非易失存儲器制造技術(shù)制造，與工業(yè)標準的MCS51指令集和輸出管腳相兼容。由于將多功能8位CPU和閃爍存儲器組合在單個芯片中，ATMEL的AT89C51是一種高效微控制器，為很多嵌入式控制系統(tǒng)提供了一種靈活性高且價廉的方案。 最小系統(tǒng)的設計（）：MCS51單片機復位電路是指單片機的初始化操作。單片機啟運運行時，都需要先復位，其作用是使CPU和系統(tǒng)中其他部件處于一個確定的初始狀態(tài)，并從這個狀態(tài)開始工作。因而，復位是一個很重要的操作方式。但單片機本身是不能自動進行復位的，必須配合相應的外部電路才能實現(xiàn)。①復位功能： 復位電路的基本功能是：系統(tǒng)上電時提供復位信號，直至系統(tǒng)電源穩(wěn)定后，撤銷復位信號。為可靠起見，電源穩(wěn)定后還要經(jīng)一定的延時才撤銷復位信號，以防電源開關(guān)或電源插頭分合過程中引起的抖動而影響復位。單片機的復位是由外部的復位電路來實現(xiàn)的。片內(nèi)復位電路是復位引腳RST通過一個斯密特觸發(fā)器與復位電路相連，斯密特觸發(fā)器用來抑制噪聲，它的輸出在每個機器周期的S5P2，由復位電路采樣一次。復位電路通常采用上電自動復位（ (a)）和按鈕復位((b))兩種方式。 RC復位電路②單片機復位后的狀態(tài): 單片機的復位操作使單片機進入初始化狀態(tài)，其中包括使程序計數(shù)器PC＝0000H，這表明程序從0000H地址單元開始執(zhí)行。單片機冷啟動后，片內(nèi)RAM為隨機值，運行中的復位操作不改變片內(nèi)RAM區(qū)中的內(nèi)容，21個特殊功能寄存器復位后的狀態(tài)為確定值，見表1。 值得指出的是，記住一些特殊功能寄存器復位后的主要狀態(tài)，對于了解單片機的初態(tài)，減少應用程序中的初始化部分是十分必要的。 說明：表41中符號*為隨機狀態(tài)：表41 寄存器復位后狀態(tài)表特殊功能寄存器初始狀態(tài)特殊功能寄存器初始狀態(tài)ABPSW00H00H00HTMODTCONTH000H00H00HSPDPLDPHP0—P3IPIE07H00H00HFFH***00000B0**00000BTL0TH1TL1SBUFSCONPCON00H00H00H不定00H0********BPSW＝00H，表明選寄存器0組為工作寄存器組； SP＝07H，表明堆棧指針指向片內(nèi)RAM 07H字節(jié)單元，根據(jù)堆棧操作的先加后壓法則，第一個被壓入的內(nèi)容寫入到08H單元中；PoP3＝FFH，表明已向各端口線寫入1，此時，各端口既可用于輸入又可用于輸出 。IP＝00000B，表明各個中斷源處于低優(yōu)先級； IE＝000000B，表明各個中斷均被關(guān)斷； 系統(tǒng)復位是任何微機系統(tǒng)執(zhí)行的第一步，使整個控制芯片回到默認的硬件狀態(tài)下。51單片機的復位是由RESET引腳來控制的，此引腳與高電平相接超過24個振蕩周期后，51單片機即進入芯片內(nèi)部復位狀態(tài)，而且一直在此狀態(tài)下等待，直到RESET引腳轉(zhuǎn)為低電平后，才檢查EA引腳是高電平或低電平，若為高電平則執(zhí)行芯片內(nèi)部的程序代碼，若為低電平便會執(zhí)行外部程序。51單片機在系統(tǒng)復位時，將其內(nèi)部的一些重要寄存器設置為特定的值，至于內(nèi)部RAM內(nèi)部的數(shù)據(jù)則不變。 晶振電路 晶振（）是晶體振蕩器的簡稱，在電氣上它可以等效成一個電容和一個電阻并聯(lián)再串聯(lián)一個電容的二端網(wǎng)絡，電工學上這個網(wǎng)絡有兩個諧振點，以頻率的高低分其中較低的頻率是串聯(lián)諧振，較高的頻率是并聯(lián)諧振。AT89C51單片機內(nèi)部有一個用于構(gòu)成振蕩器的高增益反相放大器。引腳XTAL1和XTAL2分別是此放大器的輸入端和輸出端。這個放大器與作為反饋元件的片外晶體諧振器一起構(gòu)成一個自激振蕩器。外接晶體諧振器以及電容C1和C2構(gòu)成并聯(lián)諧振電路，接在放大器的反饋回路中。對外接電容的值雖然沒有嚴格的要求，但電容的大小會影響震蕩器頻率的高低、震蕩器的穩(wěn)定性、起振的快速性和溫度的穩(wěn)定性。因此，此系統(tǒng)電路的晶體振蕩器的值為12MHz，電容應盡可能的選擇陶瓷電容，電容值約為30μF。在焊接刷電路板時，晶體振蕩器和電容應盡可能安裝得與單片機芯片靠近，以減少寄生電容，更好地保證震蕩器穩(wěn)定和可靠地工作。晶體振蕩電路如圖36：晶振有一個重要的參數(shù)，那就是負載電容值，選擇與負載電容值相等的并聯(lián)電容，就可以得到晶振標稱的諧振頻率。 最小系統(tǒng)的仿真 最小系統(tǒng)的仿真附最小系統(tǒng)仿真程序如下：include sbit LED=P1^0。 //void Delay () //延時函數(shù)//{unsigned char i,j。 for(i=255。i0。i) for(j=255。j0。j)。}void main ()
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