【總結(jié)】3、本章典型例題分析晶閘管導(dǎo)通和關(guān)斷的條件是什么? 解:晶閘管導(dǎo)通條件是:1)晶閘管陽極和陰極之間施加正向陽極電壓;2)晶閘管門極和陰極之間必須加上適當(dāng)?shù)恼蛎}沖電壓和電流。 在晶閘管導(dǎo)通后,門極就失去控制作用,欲使其關(guān)斷,只需將流過晶閘管的電流減小到其維持電流以下,可采用陽極加反向電壓、減小陽極電壓或增大回路阻抗等方式。 單相正弦交流電源,其電壓有效值為220V,晶閘管和電
2025-03-26 02:51
【總結(jié)】目 錄第1章 電力電子器件183。183。183。183。183。183。183。183。183。183。183。183。183。183。183。183。183。183。183。183。183。183。183。183。183。183。183。183。183。183。183。183。183。183。183。183。183。183。183
2024-08-19 22:53
【總結(jié)】第一章電力電子器件圖1-43中陰影部分為晶閘管處于通態(tài)區(qū)間的電流波形,各波形的電流最大值均為Im,試計(jì)算各波形的電流平均值Id1、Id2、Id3與電流有效值I1、I2、I3。解:a)Id1=I1=b)Id2=I2=c)
2025-06-23 20:12
【總結(jié)】電力電子技術(shù)答案電力電子技術(shù)習(xí)題集標(biāo)*的習(xí)題是課本上沒有的,作為習(xí)題的擴(kuò)展習(xí)題一*試說明什么是電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)及其作用。答:當(dāng)PN結(jié)通過正向大電流時,大量空穴被注入基區(qū)(通常是N型材料),基區(qū)的空穴濃度(少子)大幅度增加,這些載流子來不及和基區(qū)的電子中和就到達(dá)負(fù)極。為了維持基區(qū)半導(dǎo)體的電中性,基區(qū)的多子(電子)濃度也要相應(yīng)大幅度增加。這就意味著,在大注入的條件下原始基
2025-06-07 05:43
【總結(jié)】....電力電子技術(shù)答案2-1與信息電子電路中的二極管相比,電力二極管具有怎樣的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)才使得其具有耐受高壓和大電流的能力?答:,使得硅片中通過電流的有效面積增大,顯著提高了二極管的通流能力。,也稱漂移區(qū)。低摻雜N區(qū)由于摻雜濃度低而接近于無摻雜的純半導(dǎo)體材料即本征半導(dǎo)體,由于摻雜濃度低,低摻雜N區(qū)就可
2025-06-23 20:09
【總結(jié)】1電力電子技術(shù)練習(xí)題一、填空題_______,決定發(fā)熱的因素是流過該管的電流_______。(GTO),在導(dǎo)通后處于________狀態(tài)。為使它關(guān)斷,所需加的反向門極電流要達(dá)到陽極電流的________。,雙向晶閘管常采用________和________兩種觸發(fā)方式。,其輸出電壓的脈動頻率是________,
2024-11-07 05:28
【總結(jié)】《電力電子技術(shù)》習(xí)題及解答龍巖學(xué)院物機(jī)學(xué)院第1章思考題與習(xí)題?導(dǎo)通后流過晶閘管的電流和負(fù)載上的電壓由什么決定?答:晶閘管的導(dǎo)通條件是:晶閘管陽極和陽極間施加正向電壓,并在門極和陽極間施加正向觸發(fā)電壓和電流(或脈沖)。導(dǎo)通后流過晶閘管的電流由負(fù)載阻抗決定,負(fù)載上電壓由輸入陽極電壓UA決定。? 如何實(shí)現(xiàn)? 晶閘管處于阻斷狀態(tài)時其兩端的電壓大小由什么決定?
2024-08-20 05:53
【總結(jié)】《電力電子技術(shù)》習(xí)題及解答1晶閘管的導(dǎo)通條件是什么?導(dǎo)通后流過晶閘管的電流和負(fù)載上的電壓由什么決定?答:晶閘管的導(dǎo)通條件是:晶閘管陽極和陽極間施加正向電壓,并在門極和陽極間施加正向觸發(fā)電壓和電流(或脈沖)。導(dǎo)通后流過晶閘管的電流由負(fù)載阻抗決定,負(fù)載上電壓由輸入陽極電壓UA決定。2晶閘管的關(guān)斷條件是什么? 如何實(shí)現(xiàn)? 晶閘管處于阻斷狀態(tài)時其兩端的電壓大小由什么決定?
2025-04-17 07:29
【總結(jié)】復(fù)習(xí)題模擬電子技術(shù)(?。?.當(dāng)P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體緊密接觸時,在P型和N型半導(dǎo)體交界處會形成一個區(qū)域,下列的哪種名稱不能描述該區(qū)域。A.耗盡層B.空間電荷區(qū)C.突變層( )2.若場效應(yīng)管的偏置電壓VGSQ=1V,則該管不可能是一個____。A.P溝道結(jié)型管B.N溝道結(jié)型管C.N溝道增強(qiáng)型MOS管(?。?.電路如右圖
2025-04-17 05:05
【總結(jié)】填空題: 。 ,電力電子器件功率損耗主要為________,而當(dāng)器件開關(guān)頻率較高時,功率損耗主要為________。 ,一般由________、________、________三部分組成,由于電路中存在電壓和電流的過沖,往往需添加________。 ,電力電子器件可分為________、________、________三類?! ?。 、________
2025-03-26 03:44
【總結(jié)】《電力電子技術(shù)》(??频诙?習(xí)題解答第1章思考題與習(xí)題?導(dǎo)通后流過晶閘管的電流和負(fù)載上的電壓由什么決定?答:晶閘管的導(dǎo)通條件是:晶閘管陽極和陽極間施加正向電壓,并在門極和陽極間施加正向觸發(fā)電壓和電流(或脈沖)。導(dǎo)通后流過晶閘管的電流由負(fù)載阻抗決定,負(fù)載上電壓由輸入陽極電壓UA決定。? 如何實(shí)現(xiàn)? 晶閘管處于阻斷狀態(tài)時其兩端的電壓大小由什么決定?答:晶閘管的關(guān)
2025-03-25 06:06
【總結(jié)】電力電子技術(shù)習(xí)題集習(xí)題一1.試說明什么是電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)及其作用。2.晶閘管正常導(dǎo)通的條件是什么,導(dǎo)通后流過的電流由什么決定?晶閘管由導(dǎo)通變?yōu)殛P(guān)斷的條件是什么,如何實(shí)現(xiàn)?3.有時晶閘管觸發(fā)導(dǎo)通后,觸發(fā)脈沖結(jié)束后它又關(guān)斷了,是何原因?4.圖1-30中的陰影部分表示流過晶閘管的電流波形,其最大值均為Im,試計(jì)算各波形的電流平均值、有效值。如不考慮安全裕量,額定電流100A
2025-05-31 00:05
【總結(jié)】2-1與信息電子電路中的二極管相比,電力二極管具有怎樣的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)才使得其具有耐受高壓和大電流的能力?答:,使得硅片中通過電流的有效面積增大,顯著提高了二極管的通流能力。,也稱漂移區(qū)。低摻雜N區(qū)由于摻雜濃度低而接近于無摻雜的純半導(dǎo)體材料即本征半導(dǎo)體,由于摻雜濃度低,低摻雜N區(qū)就可以承受很高的電壓而不被擊穿。2-2.使晶閘管導(dǎo)通的條件是什么?答:使晶閘管導(dǎo)通的條件是:晶閘管承受正
2025-04-17 07:00
【總結(jié)】《電力電子技術(shù)》習(xí)題及解答思考題與習(xí)題什么是整流?它與逆變有何區(qū)別?答:整流就是把交流電能轉(zhuǎn)換成直流電能,而將直流轉(zhuǎn)換為交流電能稱為逆變,它是對應(yīng)于整流的逆向過程。單相半波可控整流電路中,如果:(1)晶閘管門極不加觸發(fā)脈沖;(2)晶閘管內(nèi)部短路;(3)晶閘管內(nèi)部斷開;試分析上述三種情況負(fù)載兩端電壓ud和晶閘管兩端電壓uT的波形。答:(1)負(fù)載
2024-08-20 06:02
【總結(jié)】目錄第1章電力電子器件···························
2024-10-29 07:31