【文章內容簡介】 壓(C4兩端)，此電壓經(jīng)R5與R6分壓加到T3的基極使T3導通，再經(jīng)R7與R8分壓后，晶閘管VT獲得觸發(fā)電流而開通，電燈VD7點亮。在白天工作時，光敏電阻的阻值會變小，導致T3的左端電壓減小，不足以使三極管T3導通。而當電視機關閉時，因電視機的220V電源和燈的電源一致，所以在電視機關閉的時候，燈VD7就關閉了。達到了設計的目的。4 電視機視力保護燈的所用元器件簡介 光敏電阻 原理結構光敏電阻的工作原理是基于內光電效應。在半導體光敏材料兩端裝上電極引線，將其封裝在帶有透明窗的管殼里就構成了光敏電阻。為了增加靈敏度，兩電極常做成梳狀。構成光敏電阻的材料有金屬的硫化物、硒化物、碲化物等半導體。 半導體的導電能力取決于半導體導帶內載流子數(shù)目的多少。當光敏電阻受到光照時，價帶中的電子吸收光子能量后躍遷到導帶，成為自由電子，同時產生空穴，電子—空穴對的出現(xiàn)使電阻率變小。光照愈強，光生電子—空穴對就越多，阻值就愈低。當光敏電阻兩端加上電壓后，流過光敏電阻的電流隨光照增大而增大。入射光消失，電子空穴對逐漸復合，電阻也逐漸恢復原值，電流也逐漸減小。 主要參數(shù)①暗電阻和暗電流：暗電阻是指在不受光照時所測得的電阻值，暗電阻在1至100MΩ之間。這時在光敏電阻兩端加一定的工作電壓，流過光敏電阻的電流就稱為暗電流。②亮電阻和亮電流：亮電阻是指在有光照時所測得的電阻值，實際光敏電阻的亮電阻在幾KΩ以下，此時流過光敏電阻的電流就稱為亮電流。③光電流：亮電流與暗電流的差值稱為光電流。亮電阻與暗電阻之差越大，光敏電阻的靈敏度就越高，其性能越好。 電容器 電容器的作用①旁路旁路電容是為本地器件提供能量的儲能器件，它能使穩(wěn)壓器的輸出均勻化，降低負載需求。就像小型可充電電池一樣，旁路電容能夠被充電，并向器件進行放電。為盡量減少阻抗，旁路電容要盡量靠近負載器件的供電電源管腳和地管腳。這能夠很好地防止輸入值過大而導致的地電位抬高和噪聲。地電位是地連接處在通過大電流毛刺時的電壓降。②去耦去耦，又稱解耦。從電路來說， 總是可以區(qū)分為驅動的源和被驅動的負載。如果負載電容比較大， 驅動電路要把電容充電、放電， 才能完成信號的跳變，在上升沿比較陡峭的時候， 電流比較大， 這樣驅動的電流就會吸收很大的電源電流，由于電路中的電感，電阻（特別是芯片管腳上的電感，會產生反彈），這種電流相對于正常情況來說實際上就是一種噪聲，會影響前級的正常工作，這就是所謂的“耦合”。去耦電容就是起到一個“電池”的作用，滿足驅動電路電流的變化，避免相互間的耦合干擾，在電路中進一步減小電源與參考地之間的高頻干擾阻抗。將旁路電容和去藕電容結合起來將更容易理解。旁路電容實際也是去耦合的，只是旁路電容一般是指高頻旁路，也就是給高頻的開關噪聲提高一條低阻抗泄防途徑。高頻旁路電容一般比較小，、 等；而去耦合電容的容量一般較大，可能是10μF 或者更大，依據(jù)電路中分布參數(shù)、以及驅動電流的變化大小來確定。旁路是把輸入信號中的干擾作為濾除對象，而去耦是把輸出信號的干擾作為濾除對象，防止干擾信號返回電源。這應該是他們的本質區(qū)別。③濾波從理論上（即假設電容為純電容）說，電容越大，阻抗越小，通過的頻率也越高。但實際上超過1μF 的電容大多為電解電容，有很大的電感成份，所以頻率高后反而阻抗會增大。有時會看到有一個電容量較大電解電容并聯(lián)了一個小電容，這時大電容通低頻，小電容通高頻。電容的作用就是通高阻低，通高頻阻低頻。電容越大低頻越不容易通過。具體用在濾波中，大電容（1000μF）濾低頻，小電容（20pF）濾高頻。濾波就是充電，放電的過程。④儲能儲能型電容器通過整流器收集電荷，并將存儲的能量通過變換器引線傳送至電源的輸出端。電壓額定值為40～450VDC、電容值在220～150 000μF 之間的鋁電解電容器（如EPCOS 公司的 B43504 或B43505）是較為常用的。根據(jù)不同的電源要求，器件有時會采用串聯(lián)、并聯(lián)或其組合的形式， 對于功率級超過10KW 的電源，通常采用體積較大的罐形螺旋端子電容器。 電容器主要特性參數(shù)①電容量和允許偏差標稱電容量是標志在電容器上的電容量。電容器實際電容量與標稱電容量的偏差稱誤差，在允許的偏差范圍稱精度。②額定電壓在最低環(huán)境溫度和額定環(huán)境溫度下可連續(xù)加在電容器的最高直流電壓有效值，一般直接標注在電容外殼上，如果工作電壓超過電容器的耐壓，電容器擊穿，造成不可修復的永久損壞。③絕緣電阻直流電壓加在電容上，并產生漏電電流，兩者之比稱為絕緣電阻。當電容較小時，主要取決于電容的表面狀態(tài)，主要取決于介質性能，絕緣電阻越小越好。電容的時間常數(shù)為恰當?shù)脑u價大容量電容的絕緣情況而引入了時間常數(shù)，它等于電容的絕緣電阻與容量的乘積。④損耗電容在電場作用下，在單位時間內因發(fā)熱所消耗的能量叫做損耗。各類電容都規(guī)定了其在某頻率范圍內的損耗允許值，電容的損耗主要由介質損耗，電導損耗和電容所有金屬部分的電阻所引起的在直流電場的作用下，電容器的損耗以漏導損耗的形式存在，一般較小，在交變電場的作用下，電容的損耗不僅與漏導有關，而且與周期性的極化建立過程有關。⑤頻率特性隨著頻率的上升，一般電容器的電容量呈現(xiàn)下降的規(guī)律。 二極管 二極管的工作原理晶體二極管為一個由P型半導體和N型半導體形成的PN結，在其界面處兩側形成空間電荷層，并建有自建電場。當不存在外加電壓時，由于PN結兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。當外界有正向電壓偏置時，外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流。當外界有反向電壓偏置時，外界電場和自建電場進一步加強，形成在一定反向電壓范圍內與反向偏置電壓值無關的反向飽和電流。當外加的反向電壓高到一定程度時，PN結空間電荷層中的電場強度達到臨界值產生載流子的倍增過程，產生大量電子空穴對，產生了數(shù)值很大的反向電流，稱為二極管的擊穿現(xiàn)象。 二極管的伏安特性圖12 二極管的伏安特性 二極管的主要參數(shù)①最大整流電流IOM：二極管長期使用時，允許流過二極管的最大正向平均電流。②反向工作峰值電壓URWM：是保證二極管不被擊穿而給出的反向峰值電壓，一般是二極管反向擊穿電壓UBR的一半或三分之二。二極管擊穿后單向導電性被破壞，甚至過熱而燒壞。③反向峰值電流IRM：指二極管加最高反向工作電壓時的反向電流。反向電流大，說明管子的單向導電性差，IRM受溫度的影響，溫度越高反向電流越大。硅管的反向電流較小，鍺管的反向電流較大，為硅管的幾十到幾百倍。 發(fā)光二極管它是半導體二極管的一種，可以把電能轉化成光能，常簡寫為LED。發(fā)光二極管與普通二極管一樣是由一個PN結組成，也具有單向導電性。當給發(fā)光二極管加上正向電壓后，從P區(qū)注入到N區(qū)的空穴和由N區(qū)注入到P區(qū)的電子，在PN結附近數(shù)微米內分別與N區(qū)的電子和P區(qū)的空穴復合，產生自發(fā)輻射的熒光。不同的半導體材料中電子和空穴所處的能量狀態(tài)不同。當電子和空穴復合時釋放出的能量多少不同，釋放出的能量越多，則發(fā)出的光的波長越短。常用的是發(fā)紅光、綠光或黃光的二極管。⑴ 發(fā)光原理它的基本結構是一塊電致發(fā)光的半導體材料，置于一個有引線的架子上，然