感應(yīng)加熱電源的現(xiàn)狀與感應(yīng)加熱電源發(fā)展趨勢(編輯修改稿)
2024-07-13 12:31 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 代初，浙江大學(xué)開始對IGBT超音頻感應(yīng)加熱電源和MOSFET高頻感應(yīng)加熱電源進行研制。1996年50KW/50KHz的IGBT電流型并聯(lián)逆變感應(yīng)加熱電源通過了產(chǎn)品鑒定。同期，浙江大學(xué)研制出20KW/300KHZ的MOSFET高頻感應(yīng)加熱電源，已被成功應(yīng)用于小型刀具的表面熱處理和飛機渦輪葉片的熱應(yīng)力考核試驗中。今天由自主研發(fā)成功的第三代數(shù)字型IGBT感應(yīng)加熱裝置基于高可靠性、高安全性、低故障率的用戶要求，整體結(jié)構(gòu)設(shè)計先進，選用全球知名品牌元器件并配置全面的智能化保護系統(tǒng)，成就科諾電源尖端科技水平，代表了國內(nèi)的最高發(fā)展水平。總的來說，國內(nèi)高頻感應(yīng)加熱電源與國外有較大的差距，現(xiàn)在正朝著以IGBT和MOSFET為主要器件的全固態(tài)感應(yīng)加熱電源取代以晶閘管和電子管為主要器件的感應(yīng)加熱電源的方向發(fā)展。一、感應(yīng)加熱電源未來的發(fā)展方向 感應(yīng)加熱電源的水平與半導(dǎo)體功率器件的發(fā)展密切相關(guān)，因此當前功率器件在性能上的不斷完善，使得感應(yīng)加熱電源的發(fā)展趨勢呈現(xiàn)出以下幾方面的特點：（１）大功率、高頻率 電力半導(dǎo)體器件的大容量與其使用頻率有著極密切的關(guān)系。早期的晶閘管和晶體管由于受到容量與頻率互相制約的影響，不能同時獲得大功率、高頻率的效果。隨著新型器件的發(fā)展，如MOSFET，IG
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