【總結(jié)】現(xiàn)代電力電子及電源技術(shù)的發(fā)展現(xiàn)代電源技術(shù)是應(yīng)用電力電子半導(dǎo)體器件,綜合自動控制、計算機(jī)(微處理器)技術(shù)和電磁技術(shù)的多學(xué)科邊緣交又技術(shù)。在各種高質(zhì)量、高效、高可靠性的電源中起關(guān)鍵作用,是現(xiàn)代電力電子技術(shù)的具體應(yīng)用。當(dāng)前,電力電子作為節(jié)能、節(jié)才、自動化、智能化、機(jī)電一體化的基礎(chǔ),正朝著應(yīng)用技術(shù)高頻化、硬件結(jié)構(gòu)模塊化、產(chǎn)品性能綠色化的
2025-05-31 07:17
【總結(jié)】第10章電力電子技術(shù)的應(yīng)用晶閘管直流電動機(jī)系統(tǒng)變頻器和交流調(diào)速系統(tǒng)不間斷電源開關(guān)電源功率因數(shù)校正技術(shù)電力電子技術(shù)在電力系統(tǒng)中的應(yīng)用電力電子技術(shù)的其他應(yīng)用
2025-04-30 02:29
【總結(jié)】班號學(xué)號姓名電力電子技術(shù)試題(A)題號一二三四五六平時成績總分分?jǐn)?shù)評卷人注:卷面85分,平時成績15分本題得分一、回答下列問題1、下列器件的分類表中,將符合每一類別的全部選項添入表中。(8分)
2025-03-25 06:07
【總結(jié)】1一、填空題(共20小題,每題1分,共20分)1、在PWM整流電路的控制方法中,如果引入了交流電流反饋稱為________。2、對用晶閘管組成的整流電路常用的控制方式是________。3、電阻性負(fù)載三相半波可控整流電路中,晶閘管所承受的最大正向電壓UFm等于__
2025-01-06 17:18
【總結(jié)】《電力電子技術(shù)》教案授課人:郝培華授課班級:電氣0601-02課程類型:專業(yè)基礎(chǔ)課學(xué)時數(shù):48(講課42,實驗6)學(xué)分:3教材:1)雙語講義2)王兆安主編,電力電子技術(shù),機(jī)械工業(yè)出版社2003南京工業(yè)大學(xué)自動化學(xué)院電氣工程系2008年9月22日~12月12日《電力電子技術(shù)》教案
2025-04-17 07:30
【總結(jié)】裝訂線專業(yè)班級:
2024-07-23 01:09
2025-01-07 22:08
【總結(jié)】1數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)試題(一)一、填空題:(每空1分,共10分)1.()10=()2=()16。2.邏輯函數(shù)L=+A+B+C+D=。3.三態(tài)門輸出的三種狀態(tài)分別為:、和。4.主從型JK觸發(fā)器的特性方程=。5.用4個觸發(fā)器可以存儲位二
2024-10-25 13:00
【總結(jié)】第2章電力電子器件3.圖1-43中陰影部分為晶閘管處于通態(tài)區(qū)間的電流波形,各波形的電流最大值均為Im,試計算各波形的電流平均值Id1、Id2、Id3與電流有效值I1、I2、I3。圖1-43晶閘管導(dǎo)電波形解:a)Id1==()ImI1==Imb)Id2==()ImI2==c)
2025-06-18 13:36
【總結(jié)】電力電子技術(shù)習(xí)題集標(biāo)*的習(xí)題是課本上沒有的,作為習(xí)題的擴(kuò)展習(xí)題一*試說明什么是電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)及其作用。答:當(dāng)PN結(jié)通過正向大電流時,大量空穴被注入基區(qū)(通常是N型材料),基區(qū)的空穴濃度(少子)大幅度增加,這些載流子來不及和基區(qū)的電子中和就到達(dá)負(fù)極。為了維持基區(qū)半導(dǎo)體的電中性,基區(qū)的多子(電子)濃度也要相應(yīng)大幅度增加。這就意味著,在大注入的條件下原始基片的電阻率實際上大大
2025-06-27 16:13
【總結(jié)】1考試試卷(1)卷一、填空題(本題共8小題,每空1分,共20分)1、電子技術(shù)包括______________和電力電子技術(shù)兩大分支,通常所說的模擬電子技術(shù)和數(shù)字電子技術(shù)就屬于前者。2、為減少自身損耗,提高效率,電力電子器件一般都工作在_________狀態(tài)。當(dāng)器件的工作頻率較高時,_________損耗會成為主要的損耗。3、在PWM控制電路中,載波頻率與調(diào)制信號頻
2025-06-07 03:22
【總結(jié)】電力電子技術(shù)復(fù)習(xí)2011一、選擇題(每小題10分,共20分)1、單相半控橋整流電路的兩只晶閘管的觸發(fā)脈沖依次應(yīng)相差?????A???度。A、180°,?B、60°,?c、360°,?D、120°2、α為?
2025-05-31 07:08
【總結(jié)】第1章電力電子器件1.使晶閘管導(dǎo)通的條件是什么?答:使晶閘管導(dǎo)通的條件是:晶閘管承受正向陽極電壓,并在門極施加觸發(fā)電流(脈沖)?;颍簎AK0且uGK0。2.維持晶閘管導(dǎo)通的條件是什么?怎樣才能使晶閘管由導(dǎo)通變?yōu)殛P(guān)斷?答:維持晶閘管導(dǎo)通的條件是使晶閘管的電流大于能保持晶閘管導(dǎo)通的最小電流,即維持電流。要使晶閘管由導(dǎo)通變?yōu)殛P(guān)斷,可利用外加電壓和
2025-06-18 13:41
【總結(jié)】2、晶閘管對觸發(fā)脈沖的要求是???要有足夠的驅(qū)動功率?、????觸發(fā)脈沖前沿要陡幅值要高????和??觸發(fā)脈沖要與晶閘管陽極電壓同步。3、多個晶閘管相并聯(lián)時必須考慮 均流?的問題,解決的方法是???串專用
2025-06-22 17:31
【總結(jié)】電力電子技術(shù)答案2-1與信息電子電路中的二極管相比,電力二極管具有怎樣的結(jié)構(gòu)特點才使得其具有耐受高壓和大電流的能力?答:,使得硅片中通過電流的有效面積增大,顯著提高了二極管的通流能力。P區(qū)和N區(qū)之間多了一層低摻雜N區(qū),也稱漂移區(qū)。低摻雜N區(qū)由于摻雜濃度低而接近于無摻雜的純半導(dǎo)體材料即本征半導(dǎo)體,由于摻雜濃度低,低摻雜N區(qū)就可以承受很高的電壓
2024-11-04 04:06