銅包鋼內(nèi)導(dǎo)體射頻同軸電纜(編輯修改稿)
2025-06-12 08:26 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 +αRD +αG tgδtgδ 式中符號(hào)：d電纜內(nèi)導(dǎo)體直徑(mm)；D電纜絕緣直徑(mm)；f頻率(Hz)；εr絕緣等效介電常數(shù)，實(shí)芯聚乙稀為:；tgδr—－絕緣等效介質(zhì)損耗角正切, 聚乙稀為；1104。k1內(nèi)導(dǎo)體直徑有效系數(shù),單芯導(dǎo)體為：1；dw外導(dǎo)體編織線的單根直徑(mm)；k2內(nèi)導(dǎo)體因絞線引起的衰減增加的系數(shù)，單芯導(dǎo)體為1：kb外導(dǎo)體因絞線引起的衰減增加的編織系數(shù)，需查圖表獲得，對(duì)絕緣外徑≤，；kt1,kt2―――內(nèi)外導(dǎo)體材料與標(biāo)準(zhǔn)軟銅不同時(shí)使衰減增加的系數(shù)，對(duì)純銅材料，此系數(shù)值為1（當(dāng)銅包鋼內(nèi)導(dǎo)體銅層厚度，在電纜使用頻率范圍內(nèi)，大于透入深度，就可以將銅包鋼線導(dǎo)體看作為純銅導(dǎo)體）；由衰減計(jì)算式可見(jiàn)：電纜的衰減由導(dǎo)體衰減（內(nèi)導(dǎo)體衰減αRd和外導(dǎo)體衰減αRD）和絕緣介質(zhì)衰減αG兩大部分組成；導(dǎo)體衰減是隨著√f 增加，而介質(zhì)衰減隨著頻率f是線性增加，隨著頻率愈來(lái)愈高介質(zhì)衰減在整個(gè)衰減中的比重也越來(lái)越大；在較低頻段，導(dǎo)體中的衰減，內(nèi)導(dǎo)體的衰減又占據(jù)較大分額，因?yàn)橐话?/d＞kb/D，因此，若為了降低電纜的衰減（損耗），通過(guò)增大內(nèi)導(dǎo)體的直徑來(lái)降低電纜的導(dǎo)體衰減，更為有效。由上述衰減公式計(jì)算所得數(shù)值是理想的理論計(jì)算值，不能作為電纜衰減性能的考核指標(biāo)。電纜衰減性能的考核指標(biāo)數(shù)值，必須考慮制造工藝所造成的電纜阻抗不均勻性，使電纜衰減增加的因素；測(cè)試電纜所用連接器的衰減（損耗）以及連接器連接所形成的失配（不均勻性）所增加的損耗；測(cè)試儀器的測(cè)試誤差等因素。因此電纜衰減的實(shí)際指標(biāo)確定，一般至少是理論計(jì)算值的（～）α倍。3，結(jié)構(gòu)回波損耗結(jié)構(gòu)回波損耗SRL（Structure Return Loss）主要用來(lái)反映和考察電纜結(jié)構(gòu)均勻性（阻抗均勻性），SRL主要用于對(duì)電纜結(jié)構(gòu)的評(píng)價(jià)它是反映電纜制造工藝水平和電纜結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性的指標(biāo)。SRL=20lgΓ電纜的阻抗不均勻性,也可采用有效特性阻抗Ze與額定特性阻抗Zc的偏差來(lái)表示,偏差越大,反映電纜內(nèi)部不均勻性越厲害。電纜內(nèi)部不均勻性,也可用電纜駐波比S（VSWR）來(lái)表示。S=(1+Γ)/(1Γ)式中:?！磔斎攵朔瓷湎禂?shù)； S——電纜駐波比VSWR；結(jié)構(gòu)回波損耗SRL越大,表明反射系數(shù)Γ越小,即電纜的輸入駐波比S越小,電纜內(nèi)部的均勻性越好（匹配性好），回波損耗值就大。例如，、。、。由此可見(jiàn)，要提高電纜的結(jié)構(gòu)回波損耗，就必須降低電纜的駐波比，也就是提高電纜的阻抗均勻性（電纜的結(jié)構(gòu)均勻性）。電纜的內(nèi)部阻抗不均勻性的大小,實(shí)則反映電纜結(jié)構(gòu)的不均勻程度,也就是電纜的制造工藝水平。在實(shí)際電纜制造時(shí),導(dǎo)體直徑﹑絕緣外徑總是或多或少存在著變化,絕緣的介電常數(shù)也會(huì)沿長(zhǎng)度而所變化,加之可能存在的偏心等影響,使得電纜上每一處的阻抗都不一樣,即電纜任意截面處的特性阻抗(局部特性阻抗)不相等,從而沿電纜存在阻抗不均勻性。電纜的阻抗不均勻性，將會(huì)引起信號(hào)或能量的反射，反射造成信號(hào)的畸變、失真和衰減增大，影響傳輸信號(hào)的傳輸質(zhì)量。值得指出，VSWR是隨著頻率的變化而變化，頻率越來(lái)越高VSWR數(shù)值呈現(xiàn)增大的趨勢(shì)。當(dāng)某一頻率的波長(zhǎng)達(dá)到和電纜內(nèi)部的不均勻性，特別是周期性的不均勻性可相比擬數(shù)值時(shí)，VSWR會(huì)急劇增加。為此，在電纜加工生產(chǎn)過(guò)程中，我們首先要避免由于收放線的周期性不均勻，如線軸偏心、收放線張力等造成的周期性結(jié)構(gòu)不均勻；同時(shí)要控制好導(dǎo)體、絕緣和編織屏蔽的結(jié)構(gòu)公差和均勻性。4，插入損耗IL(Insertion Loss)插入損耗IL(Insertion Loss)定義為：由于插入一個(gè)組件或器件（在信號(hào)源和預(yù)期的接受負(fù)載之間），由于插入引起的功率減小或損耗。傳輸信號(hào)輸出（E0）與接收信號(hào)輸入間（E1）的差就是一個(gè)組件或器件的插入損耗。用數(shù)學(xué)公式可表示為：IL＝20lgE0/E1 dB（分貝）插入損耗是一個(gè)器件或組件插入一個(gè)通信信道前后，其輸出功率或電壓相對(duì)輸入功率或電壓的比例的分貝數(shù)。插入損耗，要求越小越好。電纜組件的插入損耗是指電纜加上連接器后，插入線路的損耗。因此，一個(gè)電纜組件的插入損耗包括有：電纜的損耗（衰減）、連接器的損耗和安裝連接器工藝好壞的附加損耗以及失配損耗。要降低電纜組件的插入損耗，就要降低電纜的損耗（衰減）、連接器的損耗和改進(jìn)提高連接器安裝工藝，減小失配損耗。同樣道理，電纜組件的駐波比S也是隨著頻率變化而變化，駐波比S值的增大，會(huì)使插入損耗增大。5，屏蔽效率電纜屏蔽的有效性（效率）是電纜的又一重要特性。它既表明電纜對(duì)外部電磁場(chǎng)影響，同時(shí)也反映外部電磁場(chǎng)對(duì)電纜內(nèi)部信號(hào)傳輸?shù)挠绊憽ｋ娎|一方面對(duì)周?chē)椛淠芰?，引起電纜的附加損耗；另一方面外部電磁場(chǎng)的干擾造成和引起傳輸信號(hào)的噪聲。電纜的屏蔽效率表示了電纜的電磁兼容性能EMC。電磁兼容EMC（Eelectromagnetic Compatibility），它是指電子及電氣設(shè)備在共同的電磁環(huán)境中能執(zhí)行各自功能的共存狀態(tài)，即要求在同一電磁環(huán)境中的上述各種設(shè)備都能正常工作又互不干擾，達(dá)到“兼容”狀態(tài)。 電纜的屏蔽性能好壞——屏蔽的有效性（效率），可以用屏蔽系數(shù)S、屏蔽衰減BS和轉(zhuǎn)移阻抗ZT 等指標(biāo)衡量。，屏蔽系數(shù)S電纜中屏蔽的效果，通?？梢岳闷帘误w的屏蔽系數(shù)來(lái)表示屏蔽作用的大小或屏蔽的有效性。屏蔽系數(shù)S值是屏蔽層設(shè)置前后同一點(diǎn)上的場(chǎng)強(qiáng)之比。S＝EB/ E = HB/ H式中：EB——設(shè)置屏蔽層后空間同一點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度；E——未設(shè)置屏蔽層前空間某一點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度；HB——設(shè)置屏蔽層后空間同一點(diǎn)的磁場(chǎng)強(qiáng)度；H——未設(shè)置屏蔽層前空間某一點(diǎn)的磁場(chǎng)強(qiáng)度；屏蔽系數(shù)是一個(gè)復(fù)數(shù)值，它的絕對(duì)值在1～0之間。S=1代表無(wú)屏蔽作用,S=0代表屏蔽最佳。屏蔽系數(shù)值越小，說(shuō)明設(shè)置屏蔽層后，屏蔽空間內(nèi)某一點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度或磁場(chǎng)強(qiáng)度的值，得到了較大的降低和減小，從而對(duì)外界的騷擾、干擾得到了有效的遏制。因此屏蔽系數(shù)值越小，表明屏蔽效果越好，屏蔽層所起作用越大，屏蔽體內(nèi)傳輸信號(hào)對(duì)外界的電磁騷擾的能力和影響越小，反過(guò)來(lái)說(shuō)，外部的電磁騷擾對(duì)電纜內(nèi)部所傳輸信號(hào)干擾影響也就越小。，轉(zhuǎn)移阻抗ZT轉(zhuǎn)移阻抗ZT是衡量屏蔽性能好壞的又一個(gè)指標(biāo)，它又可稱(chēng)為耦合阻抗。轉(zhuǎn)移阻抗的大小是由屏蔽層一個(gè)表面上流通的電流I（同軸電纜外導(dǎo)體的內(nèi)表面上）與該電流流經(jīng)的同一層另一表面上（同軸電纜外導(dǎo)體的外表面上）引
公司管理相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1