電力電子技術(shù)緒論ppt課件(編輯修改稿)
2025-06-01 02:51 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 電力電子技術(shù)和相關(guān)學(xué)科的關(guān)系 與控制理論（自動(dòng)化技術(shù)）的關(guān)系 控制理論廣泛用于電力電子系統(tǒng)中。 電力電子技術(shù)是弱電控制強(qiáng)電的技術(shù)，是弱電和強(qiáng)電的接口； 控制理論是這種接口的有力紐帶。 電力電子裝置是自動(dòng)化技術(shù)的基礎(chǔ)元件和重要支撐技術(shù)。 電力電子器件的發(fā)展 傳統(tǒng)電力電子器件階段 主要是功率整流與晶閘管（也曾稱為可控硅），屬于不控與半控型器件。自 1957年第一只晶閘管誕生以來，現(xiàn)已由普通晶閘管衍生出快速晶閘管、逆導(dǎo)晶閘管、雙向晶閘管、不對稱晶閘管等品種，經(jīng)過近半個(gè)世紀(jì)的發(fā)展器件的電壓、電流等技術(shù)參數(shù)均有了很大的提高，單只晶閘管的容量已達(dá) 8KV、 6KA。晶閘管器件價(jià)格相對低廉，在高電壓、大電流方面的發(fā)展空間依然很大。 現(xiàn)代電力電子器件階段 二十世紀(jì) 80年代以來，將微電子技術(shù)與電力電子技術(shù)結(jié)合，研制出新一代高頻、全控型器件我們將其稱為現(xiàn)代電力電子器件。主要的有電力晶體管（ GTR）、可關(guān)斷晶閘管（ GTO）、功率場效應(yīng)管（ MOSFET）、結(jié)緣柵雙極型晶體管（ IGBT）、 MOS門極晶閘管（ MCT）、靜電感應(yīng)晶體管（ SIT）等全控型高頻電力電子器件相繼問世。特別是以 IGBT、 SIT等為代表的全控型復(fù)合器件的問世，它們集MOSFET管驅(qū)動(dòng)功率小、開關(guān)速度快和 GTR（或 GTO）載流能
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