高效led驅動電源設計方案(編輯修改稿)
2025-05-31 22:15 本頁面
【文章內容簡介】 IQ（t）=nIQ（sin）_pksinωt,且等式LP =n2 LS成立，其中參數n為變壓器的初、次級匝數比。‖根據變壓器伏秒平衡原則，在繞組次級伏秒規(guī)則如下： 式中，Uo是輸出直流電壓，UF是整流二極管正向導通壓降。 且根據：T =TON+TOFF 設在第N 點對IQ（sin）_pk_N積分可得到其平均值，在圖3中三角形△CED中： 則市電輸入電流： 由上幾個等式可得到： 設：UR =n （Uo+UF）并定義：UR為反射電壓?！ ∮衷O定電壓反射比為： 則可得輸入電流的表達式： 由輸入電流表達式可見：在開關管按恒定導通時，輸入電流也不是純凈正弦波，失真度THDI與Rvr密切相關，即THDI取決于輸出直流電壓和初次極匝數比n（這里n=N1/N2 ）等?！ 「鶕鲜霰磉_式把輸入電流正弦波特性與Rvr關系式仿真繪圖，如圖4所示。由仿真輸出圖可知：Rvr數值越小時，輸入電流就越正弦，失真度就越小；反之則正弦特性越差。圖4 正弦電流仿真圖‖ 高功率因數輸入的器件優(yōu)化選擇原則 設定輸入電壓為純凈正弦波，輸入功率因數和諧波電流關系如下式： 式中，θ 為基波電壓與基波電流的相角差；這里可設cosθ=1 .把以上關系式按不同的Rvr值仿真，并把PF值和THDI值繪圖，如圖圖6所示，由關系圖可知：Rvr值越小對功率因數和諧波電流越好，但是從系統性價比來看，Rvr并非越小越好；這是因為：由電流表達式可知，Rvr小就意味著反射電壓UR高，匝數比N要求也大，也就是說MOS關斷所承受的反峰電壓就高，而相對于二極管D反向電壓值要求反而小，反之若Rvr值過大，則PF值和THDI值差，但是對MOS電壓要求低而二極管耐壓則相對要求高，過度要求Rvr值對系統安全和器件優(yōu)化選擇是不利的，要從優(yōu)化系統性能與成本的角度出發(fā)去選擇N 值?！ ≡试SMOS關斷電壓、二極管反向電壓、匝數比N三者之間存在直接關聯，圖7是一個設計案例中得到的三者關聯仿真圖（設計交流輸入最大265 V,直流輸出50 V）。如圖7所示：按照器件的最佳性價比，推薦器件的選擇區(qū)域和變壓器的匝數比為圖中陰影部分是比較理想的。圖5 功率
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