電性能vs失效分析ppt課件(編輯修改稿)
2025-05-31 06:55 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 升高，開路電壓急劇降低，短路電流略微增大，整體轉(zhuǎn)換效率降低 正常光強(qiáng)為 1000177。 50W/M2， 隨著光強(qiáng)的降低，開路電壓略微降低，短路電流急劇下降，整體轉(zhuǎn)換效率降低 U/V 光強(qiáng) I/A 光強(qiáng)降低 ? 氙燈 ?氙燈罩 ?氙燈發(fā)生器 常見的低效電性能參數(shù) Uoc Isc Rs Rsh FF NCell Irev2 0 0 0 0 =0 上下探針直接導(dǎo)通，產(chǎn)生情況：碎片、隱裂片 =1000000 通常是探針沒有壓下，未測到片子，產(chǎn)生情況：校片，設(shè)備維修 Uoc Isc Rs Rsh FF NCell Irev2 0 0 1000000 0 0 0 絲網(wǎng)低效片產(chǎn)生 …… 涉及公司利益機(jī)密 已刪除 Uoc Isc Rs Rsh FF NCell Irev2 刻蝕時放反 Uoc Isc Rs Rsh FF Irev2 NCell PE時放反 Uoc Isc Rs Rsh FF NCell Irev2 黑芯片 NCell Uoc Isc Rs Rsh FF Irev2 轉(zhuǎn)換效率的影響因素 串阻 RS組成 測試中的串聯(lián)電阻主要由以下幾個方面組成： （可以認(rèn)為電阻率為 ρ的均勻摻雜半導(dǎo)體） ，如探針和片子的接觸等 燒結(jié)的關(guān)鍵就是歐姆接觸電阻，也就是金屬漿料與半導(dǎo)體材料接觸處的電阻。 可以這樣考慮，上述 ，也就是基本電阻； 5則是變量電阻燒結(jié)效果的好壞直接影響 Rs的最終值； 6屬于外部測試因素，也會導(dǎo)致 Rs變化 RS影響因素 RS偏大 檢查測試機(jī)探針 是否正好壓到 主柵線上 看探針是否變臟 探針壽命是否到期 擦拭探針 更換探針 檢查網(wǎng)印第三道 虛印情況 通知設(shè)備進(jìn)行調(diào)整， 但同時需注意調(diào)整前后 柵線是否有變粗現(xiàn)象 檢查擴(kuò)散方塊電阻 是否存在偏大現(xiàn)象 及時通知擴(kuò)散工藝進(jìn)行調(diào)整， 穩(wěn)定方阻在正常范圍內(nèi) 核對原始硅片電阻率 是否偏大 做好記錄，對電阻率 偏大的單獨(dú)追蹤 印刷燒結(jié)問題 燒結(jié)爐設(shè)備問題
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