硅esd保護(hù)器ppt課件(編輯修改稿)
2025-05-28 22:24 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 廠和裝配車間有將 ESD限制在 500V或以下的政策。 因此，即使所有的芯片組在裸片上包含一些 ESD保護(hù)電路，其目 的也只是確保制造的高良率。不過，這一級別的 ESD保護(hù)不足于 保護(hù)芯片組免受消費者實際使用手機(jī)時將會碰到的嚴(yán)重 ESD事件 的傷害。在無法預(yù)先控制的消費環(huán)境中，必須使用不同的 ESD保 護(hù)規(guī)范。這就是 IEC 6100042。 ~You Component Our Profession~ 靜電破壞形態(tài) ESD破壞： 1. 功率產(chǎn)生：如熱崩潰、 金屬被熔融 2. 電壓產(chǎn)生：如介電質(zhì)崩潰、表面崩潰 3. 潛在性故障：如功能劣化、降級 例：接面崩熔 過大的電流通過接面時，產(chǎn)生極大的熱量，使得接面崩熔。此種破壞是屬于接面短路。 E B C E B C ~You Component Our Profession~ ESD導(dǎo)致問題 產(chǎn)品失效（產(chǎn)品不可靠） 客戶抱怨 利潤降低 高返修率 ~You Component Our Profession~ ESD測試標(biāo)準(zhǔn) ESD行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和測試 ? IEC 6100042 (國際認(rèn)可 ) ? MIL STD 883 ? JEDEC A114 and A115 考慮到空氣濕度和接觸狀況， HBM的范圍在 2KV40KV。 ~You Component Our Profession~ ESD測試標(biāo)準(zhǔn) IEC6100042 ~You Component Our Profession~ ESD保護(hù)器件 聚合體器件： 優(yōu)點 ：具極低 ～ pF數(shù)量級的電容，主要應(yīng)用高頻線路中。 缺點 ：觸發(fā)電平高達(dá) 500V1000V，嵌位電壓高達(dá) 150V，回復(fù)速度慢。 變阻器和抑制器： 優(yōu)點 ：單價低、吸收功率高。 缺點 ：觸發(fā)電平高、嵌位電壓高 150V500V、動態(tài)電阻高 20~40Ω導(dǎo)致大部分能力抵達(dá)受保護(hù)器件，而不是被旁路到地、電容 /吸收能力參數(shù)存在老化。 ESD二極管： 優(yōu)點 ：低的鉗位電壓，低電阻，快速開啟時間和更高的可靠性、低的漏電流。 缺點 ： ESD沖擊能力有限、價格高 ~You Component Our Profession~ ESD保護(hù)器件 多層壓敏電阻 (MLV)： 這類基于氧化鋅的器件可提供 ESD保護(hù)和低級別的電涌保護(hù)。它們的小形狀因子 (尺寸已下降到 0402和 0201)使得它們非常適合于便攜式應(yīng)用 (如手機(jī)和數(shù)碼相機(jī)等 )。 硅保護(hù)陣列 (SPA)： 這類分立和多通道器件設(shè)計用于保護(hù)數(shù)據(jù)線和 I/O線免受 ESD和低級別瞬態(tài)浪涌的傷 害。它的關(guān)鍵特性是非常低的鉗位電壓，這允許它們保護(hù)最敏感的電路。 聚合物 ESD抑制器 (PGB)： 這是最新的技術(shù)，設(shè)計用于產(chǎn)生最小的寄生電容值 ()。這一特性允許它們用 于高速數(shù)字和射頻電路，而不會引起任何信號衰減。 ~You Component Our Profession~ ESD二極管選擇 保護(hù)器件的選擇取決于兩個方面： 受保護(hù)電路特性 和 外部應(yīng)力特性 受保護(hù)電路特性 ：正常工作電壓范圍、可能產(chǎn)生破壞電壓值 正常工作范圍內(nèi)，要求保護(hù)器件的阻抗很高，保證了輸入信號的完整 性。當(dāng)超過正常工作范圍的，保護(hù)器件就從高阻抗變?yōu)榈妥杩?，保證受保 護(hù)電路的正常工作。 外部應(yīng)力特性 ：標(biāo)準(zhǔn)測試定義 測試標(biāo)準(zhǔn)詳細(xì)給出了在一個特定的工作環(huán)境中一個產(chǎn)品必須符合的電 壓和電流的波形，如 IEC6100042。 當(dāng)然選擇保護(hù)器件還有其它的考慮，比如說保護(hù)器件的物理大小，在系 統(tǒng)板中的安裝成本、匹配性等。 ~You Comp
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